Producător : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Anul construcției : 1994 Tara de fabricatie : Numărul părții din Coreea de Sud : HYM532100AM-70 Factor de formă : SIMM Tipul de memorie : EDO DRAM Capacitate de memorie : 4MB tip de autobuz : Memorie rapidă de pagină (FPM) Corectarea erorii : Pinii fără paritate : 72lățime de bandă : 32putin latenta : 70ns (TRAC) Voltaj […]

Numele produsului : Producător EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 : EKmemory Țara de fabricație : Capacitatea de date a Coreei de Sud : 2GB Viteza ceasului : 1333Mhz (PC3-10600) Caracteristici : 240bolț, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Compoziția cipurilor de date : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 cipuri Tensiune VDD : 1.5V Prima pagină : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = drami&nr = 91

KMM591000AN-7 este compus din două cipuri KM44C1000AJ-7 și un cip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 este compus cu două cipuri KM44C1000BJ-7 și un cip KM44C1000CJ-7. Sunt SIMM-uri DRAM de 1MB produse de Samsung Electronics. Companie de producție : Anul fabricat de Samsung Electronics : 1992 / 1993 Tara de fabricatie : Caracteristicile modulului Coreea de Sud : 30bolț, SIMM, Paritate RAM Capacitate memorie […]

EDO DRAM dispune de spațiu de memorie temporară pentru I / O de date mai rapide. Este eficient atunci când sistemul nu poate primi suport de memorie cache. Dar dacă sistemul are memorie cache, efectul DRAM EDO este mic. Producător : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Construiți Anul / Săptămână : 1997/32 Tara de fabricatie : Coreea (Coreea de Sud) Part Number […]

Această memorie RAM este SIMM cu 30 de pini 1MB produsă de industria Hyundai Electronics(Hynix de acum). 30-pin SIMM-urile au fost utilizate universal de la 80286 la 80486. Dacă numărul de jetoane este numărul impar, una dintre jetoane efectuează verificarea parității. Această memorie RAM este compusă din două HY514400A(1M x 4 biți) și un HY531000A(1M x 1bit). Capacitatea de memorie a […]