DRAM – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/ro/ device, part, spec Thu, 01 Dec 2022 23:32:55 +0000 ro hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/ https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/#respond Wed, 20 Jul 2022 09:33:56 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1358-ro Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0) backside

  • Numele produsului : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66
  • Part number : KMM366S203CTL-G0
  • Producător : Samsung Electronics Co., Ltd. (SEC)
  • Tara de fabricatie : Coreea de Sud
  • Anul constructiei / saptamana : 1998/09
  • Capacitatea de date : 16MB
  • viteza de ceas : 66Mhz (PC66)
  • Caracteristici : 168 bolț, DIMM SDRAM non-ECC fără tampon
  • compoziție cip de date : [KM48S2020CT-G10] × 8 chipsuri
    (2M × 64 de biți)
  • Informații cu un cip
    • KM48S2020CT-G10 (UQK218EM sau UQL004DD)
    • Tip de memorie IC : DRAM sincronă
    • Capacitate : 2M x 8 biți
    • Acces Time-Max : 7 ns
    • Lungimea exploziei intercalate: 1, 2, 4, 8
    • Frecvența ceasului-max (fCLK) : 100 MHz
    • 44 bolț
    • Anul constructiei / saptamana : 1998/07
  • VDD : 3.3V
  • ETC : 366S203BTL, AD1055-00, SMB2 94V-0
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/feed/ 0 LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S) https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/ https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/#respond Fri, 15 Jul 2022 08:54:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1350-ro LG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM GMM2642233BLTG-10K 7101SLG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM 168pin DIMM

  • Numele produsului : LG SDRAM 16MB PC66
  • Part number : GMM2642233BLTG-10K 7101S
  • Producător : LG Semicon Co., Ltd.
  • Tara de fabricatie : Coreea de Sud
  • Anul constructiei / saptamana : 1997/03
  • Capacitatea de date : 16MB
  • viteza de ceas : 66Mhz (PC66)
  • Caracteristici : 168bolț, DIMM SDRAM non-ECC fără tampon
  • compoziție cip de date : [GM72V16821BT10K] × 8 chipsuri
    (2M × 64 de biți)
  • Capacitate de un cip : 2M x 8 biți
  • VDD : 3.3V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/feed/ 0 LG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/ https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/#comments Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1336-ro LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM backside

  • Producător : LG Semicon Co., Ltd.
  • Tara de fabricatie : Coreea de Sud
  • Part Number : ?
  • Form Factor : SIMM
  • Caracteristici : 72bolț, EDO DRAM, Non-Paritatea
  • Capacitate de memorie : 16MB
  • Lățime de bandă : 32pic
  • Viteză : 60ns(TRAC)
  • Voltaj : 5V
  • Chip Compoziție : GM71C17400CJ6 × 8
  • Anul/Săptămâna construcției cipului : 1998/27
  • Capacitate de un cip : 4M x 4 biți
  • etc : Addonics®, SD816
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/feed/ 1 Memorie EK 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-ro EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

numele produsului EK Memorie 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
Part Number EKM256S74BP8-E6
Producător EK Memorie
Tara de fabricatie Taiwan
Anul/Săptămâna construcției cipului 2008/27
Tipul modulului de memorie DDR2 SO-DIMM 200 bolț
Capacitatea de date 2GB
Viteza ceasului 667Mhz (PC2-5300)
Timing memorie CL=5, tRCD = 5, tRP=5
Caracteristici 200bolț
unbuffered
Non-ECC
Caiet(Laptop) Memorie
Biți de date x64
Informații despre cip de date EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
Pachet FBGA (BGA cu pas fin)
VDD tensiune 1.8V

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-ro SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

numele produsului Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
Part Number M378A2K43CB1-CTD
(C-the)
Producător Samsung Electronics
Tara de fabricatie China
Construiți Anul / Săptămână 2019 / 06
tip DIMM Udinn
Capacitatea de date 16GB
Rata de date
(Max Lățime de bandă)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
Timing memorie
(CL – tRCD – TRP – TRAS – TRC)		 19-19-19-43-61
Caracteristici 288bolț, DDR4 Unbuffered ECC SDRAM DIMM
Biți de date x64
Modulul intern Bănci 16 bănci (4 grupurile bancare)
rangurile 2 (dual Locul)
Compozitie Componenta (1G × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
Pachet 78FBGA cu plumb & Fără halogen
(conforme cu RoHS)
Înălţime 31.25 mm
VDD tensiune 1.2 V ± 0.06 V
Cazul de operare Interval de temperatură Media Refresh Perioada 7.8us la mai mic, atunci TCAZ 85℃,
3.9ne la 85 ℃ < TCAZ ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-ro SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

numele produsului Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
Part Number M378A1K43CB2-CTD
(C-the)
Producător Samsung Electronics
Tara de fabricatie China
Construiți Anul / Săptămână 2018 / 28
tip DIMM Udinn
Capacitatea de date 8GB
Rata de date
(Max Lățime de bandă)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
Timing memorie
(CL – tRCD – TRP – TRAS – TRC)		 19-19-19-43-61
Caracteristici 288bolț, DDR4 Unbuffered ECC SDRAM DIMM
Biți de date x64
Modulul intern Bănci 16 bănci (4 grupurile bancare)
rangurile 1 (Rang unic)
Compozitie Componenta (1G × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
Pachet 78FBGA cu plumb & Fără halogen
(conforme cu RoHS)
Înălţime 30mm
VDD tensiune 1.2V ± 0,06V
Cazul de operare Interval de temperatură Media Refresh Perioada 7.8us la mai mic, atunci TCAZ 85℃,
3.9ne la 85 ℃ < TCAZ ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM PC2-6400 2Rx8 (M378T5663QZ3-CF7) https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/ https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/#respond Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1116-ro Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

numele produsului Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400
Part Number M378T5663QZ3-CF7
Producător Samsung Electronics
Tara de fabricatie China
Construiți Anul / Săptămână 2009/04, 2010/07
Tipul modulului de memorie DIMM
Capacitatea de date 2GB
Viteza ceasului 800Mhz (PC2-6400)
Timing memorie CL=6, tRCD = 6, tRP=6
Caracteristici 240bolț, Unbuffer DIMM DDR2 SDRAM non-ECC
Biți de date x64
Modulul intern Bănci 8
rangurile 2
Compoziția cipului de date
(Adâncime × Organizare biți × buc)		 128M × 8 × 16 buc
(K4T1G084QQ × 16 buc)
Pachet 60FBGA cu fără plumb și fără halogeni
(conforme cu RoHS)
Înălţime 30mm
VDD tensiune 1.8V ± 0,1V
Cazul de operare Interval de temperatură 0° C ~ 95 ° C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/feed/ 0 Samsung 8GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-12800 (2R × 8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-ro Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

Numele produsului Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8 GB DIMM
(2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
Producător Samsung Electronics
Tara de fabricatie Filipine
Anul constructiei / saptamana 2014/08
Capacitatea de date 8GB
viteza de ceas 1600Mhz (PC3-12800)
Timing memorie CL = 11, tRCD = 11, TRP = 11
Caracteristici 240bolț, Unbuffered DIMM DDR3 ECC SDRAM
Tehnologia Procesul de producție 20, 30, 40nm
biți de date x64
băncile modulului intern 8
rangurile 2
compoziție cip de date
(Adâncime × Organizare biți × buc)		 512M × 8 × 16 buc
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 buc)
Pachet
78 FBGA cu Fără plumb & Fără halogen
(conforme cu RoHS)
Înălţime 30mm
tensiune VDD 1.5V ± 0,075V
Cazul de operare Interval de temperatură 0° C ~ 95 ° C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-ro M368L6423DTM este 32M bit x 64 Rată dublă(DDR) Modul de memorie de înaltă densitate SDRAM bazat pe a cincea generație de 256Mb, respectiv DDR SDRAM. M368L6423DTM este format din șaisprezece CMOS 32M x 8 bit cu SDRAM-uri Double Rate Rate 4banks în TSOP-II cu 66 pini(400mie) pachete montate pe un substrat epoxidic de 184 pini. Patru condensatori de decuplare de 0,1 uF sunt montați pe placa de circuit imprimat în paralel pentru fiecare DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Numele produsului Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Producător Samsung Electronics
Tara de fabricatie Coreea
Anul constructiei / saptamana 2003/12
Capacitatea de date 512MB
viteza de ceas 166Mhz (PC2700, DDR333)
Timing memorie CL=2,5
Caracteristici 184bolț, DIMM, Unbuffer non-ECC DDR SDRAM
mărimea 133.35mm × 31,75 mm
biți de date 64pic
băncile modulului intern 4
compoziție cip de date K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8 biți × 16 cipuri)
Pachet TSOP-II
tensiune VDD 2.5V ± 0,2V
Cazul de operare Interval de temperatură 0° C ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 SDRAM Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SO-DIMM https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/ro/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-ro Samsung Electronics a lansat module DDR3 SDRAM folosind tehnologia proceselor de 30 nm în iulie 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

Numele produsului Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4 GB SO-DIMM
(2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
Producător Samsung Electronics (SEC)
Tara de fabricatie China
Anul constructiei / saptamana 2011/13
Capacitatea de date 4GB
viteza de ceas 1333Mhz (PC3-10600)
Timing memorie CL = 9, tRCD = 9, TRP = 9
Caracteristici 204bolț, SODIMM, Unbuffer SDRAM DDR3 non-ECC
Tehnologia Procesul de producție 40nm
biți de date x64
băncile modulului intern 8
rangurile 2
compoziție cip de date 256M x 8 * 16 buc
Componenta de revizuire 2Gb, C-the
Pachet 78 minge FBGA
Înălţime 30mm
tensiune VDD 1.5V
Cazul de operare Interval de temperatură 0° C ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3