Nome do Produto : Samsung SDHC Class 10 Nome do modelo essencial de 32 GB : MB-SSBGA/KR Fabricante : Samsung Electronics País de fabricação : Coreia do Sul Tipo de memória : Tamanho SDHC : 32mm x 24 mm x 2,1 mm Capacidade de dados : 32GB (2923GiB, 29927MiB) Velocidade de leitura : Max. 24Velocidade de gravação em MB/s : Max. 13MB/s Tensão permitida : 2.7 ~ 3,6V […]

Nome do produto Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Memory (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Fabricante Samsung Electronics (SEC) País-produtor Coreia do Sul Ano de construção / semana 2011/31 Capacidade de dados 4 GB Velocidade do relógio 1333 MHz (PC3-10600) Tempo de memória CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9 Recursos 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM bits de dados x64 Profundidade / Organização de bits 512M / Módulo Interno x8 […]

Nome do produto Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB de memória (1rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Fabricante Samsung Electronics País-produtor China Ano / semana de construção 2010/38 Capacidade de dados 2 GB Velocidade do relógio 1333 MHz (PC3-10600) Apresenta 240 pinos, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Tecnologia de processo de produção 40nm Bits de dados x64 Bancos de módulos internos 8 composição chip de dados [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 salgadinhos […]

Memória A-DATA Viesta DDR600 Viesta, em módulos de memória DDR SDRAM, primeiro alcançou velocidade de clock de 600Mhz com chips de memória Samsung TCCD. A capacidade de dados do A-data Viesta era de 512 MB ou 256 MB. Foi usado principalmente para ovcrclocking.   Nome do produto A-DATA Vitesta DDR600 512MB Número da peça MDOSSLF3H47A0B1G0Z Fabricante A-DATA País de fabricação Taiwan Build Year 2004 Características 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 é composto por dois chips KM44C1000AJ-7 e um chip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 é composto por dois chips KM44C1000BJ-7 e um chip KM44C1000CJ-7. São SIMMs de 1 MB DRAM produzidos pela Samsung Electronics. Empresa Fabricante : Ano de fabricação da Samsung Electronics : 1992 / 1993 País de fabricação : Recursos do módulo da Coreia do Sul : 30PIN, SIMM, Capacidade de memória RAM de paridade […]