K4H560838D-TCB3 – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/pt/ device, part, especificação Thu, 02 Jun 2016 08:02:55 +0000 pt hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/pt/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/pt/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-pt O M368L6423DTM é 32M bit x 64 Taxa de dados dupla(DDR) Módulo de memória de alta densidade SDRAM baseado na quinta geração de 256Mb DDR SDRAM respectivamente. O M368L6423DTM consiste em dezesseis CMOS 32M x 8 bit com SDRAMs de taxa de dados dupla de 4 bancos em 66 pinos TSOP-II(400mil) pacotes montados em um substrato de vidro-epóxi de 184 pinos. Quatro capacitores de desacoplamento de 0,1uF são montados na placa de circuito impresso em paralelo para cada DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Nome do Produto SDRAM Samsung DDR PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Fabricante Samsung Electronics
País de fabricação Coréia
Ano de construção / semana 2003/12
Capacidade de dados 512MB
Velocidade do relógio 166Mhz (PC2700, DDR333)
O sincronismo de memória CL=2,5
Recursos 184PIN, DIMM, Não-ECC DDR SDRAM Unbuffer
Tamanho 133.35mm × 31,75 mm
Bits de dados 64mordeu
bancos módulo interno 4
composição chip de dados K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8 bits × 16 chips)
Pacote TSOP-II
tensão VDD 2.5V±0,2V
Caso TEMPERATURA DE OPERAÇÃO 0° C ~ 85 ° C
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