Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Construir ano : 1994 País de fabricação : Número da Peça Coréia do Sul : Fator de forma HYM532100AM-70 : Tipo de memória SIMM : Capacidade de memória EDO DRAM : 4Tipo de barramento MB : Memória de página rápida (FPM) Correção de erros : Pinos sem paridade : 72largura de banda do pino : 32latência de bits : 70ns (tRAC) Voltagem […]

Nome do Produto : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Fabricante : EKmemory País de fabricação : Capacidade de dados da Coreia do Sul : 2Velocidade do relógio GB : 1333Mhz (PC3-10600) Recursos : 240PIN, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Composição do chip de dados : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 chips VDD tensão : 1.5V Homepage : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = dram&não = 91

KMM591000AN-7 é composto por dois chips KM44C1000AJ-7 e um chip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 é composto por dois chips KM44C1000BJ-7 e um chip KM44C1000CJ-7. São SIMMs de 1 MB DRAM produzidos pela Samsung Electronics. Empresa Fabricante : Ano de fabricação da Samsung Electronics : 1992 / 1993 País de fabricação : Recursos do módulo da Coreia do Sul : 30PIN, SIMM, Capacidade de memória RAM de paridade […]

EDO DRAM tem espaço de memória temporário para E/S de dados mais rápida. É eficaz quando o sistema não pode receber suporte de memória cache. Mas se o sistema tiver memória cache, o efeito da EDO DRAM é pouco. Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Ano de construção / Semana : 1997/32 País de fabricação : Coréia (Coreia do Sul) Número da peça […]

Esta RAM é SIMM de 1 MB de 30 pinos produzida pela indústria Hyundai Electronics(Hynix de agora). 30-pinos SIMMs foram usados ​​universalmente a partir de 80286 para 80486. Se o número de fichas for um número ímpar, um dos chips executa a verificação de paridade. Esta RAM é composta por dois HY514400A(1M x 4 bits) e um HY531000A(1M x 1 bit). A capacidade de memória de […]