https://www.devicelog.com/pt/ device, part, especificação Wed, 06 Nov 2019 11:16:37 +0000 pt hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 https://www.devicelog.com/pt/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/pt/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-pt

Nome do Produto	SDRAM DDR4 Samsung 16GB 2R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11)
Número da peça	M378A2K43CB1-CTD (C-a)
Fabricante	Samsung Electronics
País de fabricação	China
Ano de construção / Semana	2019 / 06
tipo de DIMM	Udinn
Capacidade de dados	16GB
Taxa de dados (Max Bandwidth)	2666.67 MT / s (21333.33 MB / s)
O sincronismo de memória (CL – tRCD – tRP – tRAS – TRC)	19-19-19-43-61
Recursos	288PIN, DDR4 ECC sem buffer SDRAM DIMM
Bits de dados	x64
Módulo Interno Banks	16 bancos (4 Grupos bancários)
ranks	2 (Classificação Dupla)
Composição componente	(1G × 8) × 16 (K4A8G085WC-BCTD) × 16
Pacote	78FBGA com Chumbo & Livre de halogênio (compatível com RoHS)
Altura	31.25 milímetros
VDD tensão	1.2 V ± 0.06 V
Caso TEMPERATURA DE OPERAÇÃO	Média de actualização Período 7.8us em seguida, menor TCASO 85℃, 3.9-nos em 85 ℃ < TCASO ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 https://www.devicelog.com/pt/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/pt/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-pt

Nome do Produto	Samsung DDR4 8GB 1R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11)
Número da peça	M378A1K43CB2-CTD (C-a)
Fabricante	Samsung Electronics
País de fabricação	China
Ano de construção / Semana	2018 / 28
tipo de DIMM	Udinn
Capacidade de dados	8GB
Taxa de dados (Max Bandwidth)	2666.67 MT / s (21333.33 MB / s)
O sincronismo de memória (CL – tRCD – tRP – tRAS – TRC)	19-19-19-43-61
Recursos	288PIN, DDR4 ECC sem buffer SDRAM DIMM
Bits de dados	x64
Módulo Interno Banks	16 bancos (4 Grupos bancários)
ranks	1 (único Ranking)
Composição componente	(1G × 8) × 8 (K4A8G085WC-BCTD) × 8
Pacote	78FBGA com Chumbo & Livre de halogênio (compatível com RoHS)
Altura	30milímetros
VDD tensão	1.2V ± 0.06V
Caso TEMPERATURA DE OPERAÇÃO	Média de actualização Período 7.8us em seguida, menor TCASO 85℃, 3.9-nos em 85 ℃ < TCASO ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0