Fabricante : LG Semicon Co., Ltd. País de fabricação : Número da Peça Coréia do Sul : ? Fator de forma : Recursos do SIMM : 72PIN, EDO DRAM, Capacidade de memória sem paridade : 16MB de largura de banda : 32Velocidade de bits : 60ns(tRAC) Voltagem : 5Composição do Chip V : GM71C17400CJ6 × 8 Ano/Semana de Construção de Chip : 1998/27 Capacidade de um chip : 4M […]

Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Construir ano : 1994 País de fabricação : Número da Peça Coréia do Sul : Fator de forma HYM532100AM-70 : Tipo de memória SIMM : Capacidade de memória EDO DRAM : 4Tipo de barramento MB : Memória de página rápida (FPM) Correção de erros : Pinos sem paridade : 72largura de banda do pino : 32latência de bits : 70ns (tRAC) Voltagem […]

KMM591000AN-7 é composto por dois chips KM44C1000AJ-7 e um chip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 é composto por dois chips KM44C1000BJ-7 e um chip KM44C1000CJ-7. São SIMMs de 1 MB DRAM produzidos pela Samsung Electronics. Empresa Fabricante : Ano de fabricação da Samsung Electronics : 1992 / 1993 País de fabricação : Recursos do módulo da Coreia do Sul : 30PIN, SIMM, Capacidade de memória RAM de paridade […]

EDO DRAM tem espaço de memória temporário para E/S de dados mais rápida. É eficaz quando o sistema não pode receber suporte de memória cache. Mas se o sistema tiver memória cache, o efeito da EDO DRAM é pouco. Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Ano de construção / Semana : 1997/32 País de fabricação : Coréia (Coreia do Sul) Número da peça […]