Nome do Produto Samsung DDR2 SDRAM de 2 GB 2R × 8 PC2-6400 Part Number M378T5663QZ3-CF7 Fabricante Samsung Electronics País de Fabricação China Ano de construção / Semana 2009/04, 2010/07 Módulo de memória DIMM Tipo de Dados Capacidade 2GB Velocidade do relógio de 800Mhz (PC2-6400) O sincronismo de memória CL = 6, tRCD = 6, tRP = 6 Características 240pin, Unbuffer não-ECC DDR2 SDRAM DIMM Bits de Dados x64 Interno Módulo Bancos 8 ranks 2 Dados […]

Nome do produto Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Fabricante Samsung Electronics País-produtor Filipinas Ano / semana de fabricação 2014/08 Capacidade de dados 8 GB Velocidade do relógio 1600 MHz (PC3-12800) Tempo de memória CL = 11, tRCD = 11, tRP = 11 Recursos 240 pinos, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Tecnologia de processo de produção 20, 30, 40nm bits de dados x64 Bancos de módulos internos 8 ranks […]

Nome do Produto : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Fabricante : EKmemory País de fabricação : Capacidade de dados da Coreia do Sul : 2Velocidade do relógio GB : 1333Mhz (PC3-10600) Recursos : 240PIN, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Composição do chip de dados : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 chips VDD tensão : 1.5V Homepage : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = dram&não = 91

Nome do produto Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Memory (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Fabricante Samsung Electronics (SEC) País-produtor Coreia do Sul Ano de construção / semana 2011/31 Capacidade de dados 4 GB Velocidade do relógio 1333 MHz (PC3-10600) Tempo de memória CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9 Recursos 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM bits de dados x64 Profundidade / Organização de bits 512M / Módulo Interno x8 […]

Nome do produto Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB de memória (1rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Fabricante Samsung Electronics País-produtor China Ano / semana de construção 2010/38 Capacidade de dados 2 GB Velocidade do relógio 1333 MHz (PC3-10600) Apresenta 240 pinos, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Tecnologia de processo de produção 40nm Bits de dados x64 Bancos de módulos internos 8 composição chip de dados [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 salgadinhos […]