Nome do Produto : Samsung 16 MB SDRAM 16 MB PC66 Número da peça : KMM366S203CTL-G0 Fabricante : Samsung Electronics Co., Ltd. (SEC) País de fabricação : Coreia do Sul Construir ano/semana : 1998/09 Capacidade de dados : 16Velocidade do relógio MB : 66Mhz (Samsung SDRAM 32 MB PC66 KMM366S403BTN-G0) Recursos : 168 PIN, Composição do chip de dados SDRAM DIMM não-ECC sem buffer : [KM48S2020CT-G10] × 8 salgadinhos (2M […]

Nome do Produto : LG SDRAM 16 MB PC66 Número da peça : GMM2642233BLTG-10K 7101S Fabricante : LG Semicon Co., Ltd. País de fabricação : Coreia do Sul Construir ano/semana : 1997/03 Capacidade de dados : 16Velocidade do relógio MB : 66Mhz (Samsung SDRAM 32 MB PC66 KMM366S403BTN-G0) Recursos : 168PIN, Composição do chip de dados SDRAM DIMM não-ECC sem buffer : [GM72V16821BT10K] × 8 salgadinhos (2M × 64 bits) 1 […]

Fabricante : LG Semicon Co., Ltd. País de fabricação : Número da Peça Coréia do Sul : ? Fator de forma : Recursos do SIMM : 72PIN, EDO DRAM, Capacidade de memória sem paridade : 16MB de largura de banda : 32Velocidade de bits : 60ns(tRAC) Voltagem : 5Composição do Chip V : GM71C17400CJ6 × 8 Ano/Semana de Construção de Chip : 1998/27 Capacidade de um chip : 4M […]

EDO DRAM tem espaço de memória temporário para E/S de dados mais rápida. É eficaz quando o sistema não pode receber suporte de memória cache. Mas se o sistema tiver memória cache, o efeito da EDO DRAM é pouco. Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Ano de construção / Semana : 1997/32 País de fabricação : Coréia (Coreia do Sul) Número da peça […]