Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

postado por DeviceLog.com | Postado em DDR SDRAM | postado em 2015-03-03

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O M368L6423DTM é 32M bit x 64 Taxa de dados dupla(DDR) Módulo de memória de alta densidade SDRAM baseado na quinta geração de 256Mb DDR SDRAM respectivamente. O M368L6423DTM consiste em dezesseis CMOS 32M x 8 bit com SDRAMs de taxa de dados dupla de 4 bancos em 66 pinos TSOP-II(400mil) pacotes montados em um substrato de vidro-epóxi de 184 pinos. Quatro capacitores de desacoplamento de 0,1uF são […]

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Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM

postado por DeviceLog.com | Postado em DDR3 SDRAM | postado em 2015-03-02

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A Samsung Electronics lançou módulos DDR3 SDRAM usando a tecnologia de processo de 30nm em julho 2010. Este módulo de RAM foi feito pela tecnologia de processo de 40nm. Nome do produto Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Fabricante Samsung Electronics (SEC) País de fabricação China Ano de construção / semana 2011/13 Capacidade de dados 4 GB Velocidade do relógio 1333 MHz (PC3-10600) O sincronismo de memória […]

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Hyundai 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70)

postado por DeviceLog.com | Postado em EDO DRAM | postado em 2013-03-15

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Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Construir ano : 1994 País de fabricação : Número da Peça Coréia do Sul : Fator de forma HYM532100AM-70 : Tipo de memória SIMM : Capacidade de memória EDO DRAM : 4Tipo de barramento MB : Memória de página rápida (FPM) Correção de erros : Pinos sem paridade : 72largura de banda do pino : 32latência de bits : 70ns (tRAC) Voltagem […]

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Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0)

postado por DeviceLog.com | Postado em SDRAM | postado em 2013-03-14

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Nome do Produto : Samsung SDRAM 32MB PC66 Part number : KMM366S403BTN-G0 Manufacturer : Samsung Electronics (SEC) País de fabricação : Coreia do Sul Construir ano/semana : 1997/33 Capacidade de dados : 32Velocidade do relógio MB : 66Mhz (Samsung SDRAM 32 MB PC66 KMM366S403BTN-G0) Recursos : 168PIN, Composição do chip de dados SDRAM DIMM não-ECC sem buffer : [Samsung SDRAM 32 MB PC66 KMM366S403BTN-G0] ✕ 16 chips VDD : 3.3V

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Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, não genuíno RAM)

postado por DeviceLog.com | Postado em DDR SDRAM | postado em 2013-03-13

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Nome do Produto : Samsung DDR SDRAM 512 MB PC3200 (peças não genuínas) Número da peça : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC Fabricante : Samsung Electronics (SEC) País de fabricação : Coreia do Sul Construir ano/semana : 2003/33 Capacidade de dados : 512Velocidade do relógio MB : 400Mhz (PC3200) Recursos : 184PIN, Composição de chip de dados sem buffer DDR SDRAM DIMM sem buffer : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 dados de chips […]

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