Pamięć – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/pl/ device, part, spec Thu, 01 Dec 2022 23:32:55 +0000 pl hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/ https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/#respond Wed, 20 Jul 2022 09:33:56 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1358-pl Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0) backside

  • Nazwa produktu : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66
  • Numer części : KMM366S203CTL-G0
  • Producent : Samsung Electronics Co., Sp. z o.o. (SEC)
  • Kraj produkcji : Korea Południowa
  • Rok budowy / tydzień : 1998/09
  • dane Wydajność : 16MB
  • Szybkośc zegara : 66Mhz (PC66)
  • cechy : 168 kołek, Niebuforowana pamięć DIMM SDRAM bez ECC
  • Kompozycja układ dane : [KM48S2020CT-G10] × 8 frytki
    (2M × 64bit)
  • Informacje o jednym żetonie
    • KM48S2020CT-G10 (UQK218EM lub UQL004DD)
    • Typ układu scalonego pamięci : Synchroniczna pamięć DRAM
    • Pojemność : 2M x 8 bitów
    • Czas dostępu-maks : 7 ns
    • Przeplatana długość serii: 1, 2, 4, 8
    • Częstotliwość zegara-maks (fCLK) : 100 MHz
    • 44 kołek
    • Rok budowy / tydzień : 1998/07
  • VDD : 3.3V
  • ITP : 366S203BTL, AD1055-00, SMB2 94V-0
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/feed/ 0 LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S) https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/ https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/#respond Fri, 15 Jul 2022 08:54:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1350-pl LG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM GMM2642233BLTG-10K 7101SLG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM 168pin DIMM

  • Nazwa produktu : LG SDRAM 16MB PC66
  • Numer części : GMM2642233BLTG-10K 7101S
  • Producent : LG Semicon Co., Ltd.
  • Kraj produkcji : Korea Południowa
  • Rok budowy / tydzień : 1997/03
  • dane Wydajność : 16MB
  • Szybkośc zegara : 66Mhz (PC66)
  • cechy : 168kołek, Niebuforowana pamięć DIMM SDRAM bez ECC
  • Kompozycja układ dane : [GM72V16821BT10K] × 8 frytki
    (2M × 64bit)
  • One Chip Pojemność : 2M x 8 bitów
  • VDD : 3.3V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/feed/ 0 LG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/ https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/#comments Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1336-pl LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM backside

  • Producent : LG Semicon Co., Ltd.
  • Kraj produkcji : Korea Południowa
  • Numer części : ?
  • Form Factor : SIMM
  • cechy : 72kołek, EDO DRAM, Zakaz parzystości
  • Pojemność pamięci : 16MB
  • Pasmo : 32kawałek
  • Prędkość : 60ns(Trac)
  • Napięcie : 5V
  • Chip Skład : GM71C17400CJ6 × 8
  • Rok/tydzień budowy chipów : 1998/27
  • One Chip Pojemność : 4Mx 4bit
  • Itp : Addonics®, SD816
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/feed/ 1 Pamięć EK 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-pl EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

Nazwa produktu EK Pamięć 2 GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
Numer części EKM256S74BP8-E6
Producent Pamięć EK
Kraj produkcji Tajwan
Rok/tydzień budowy chipów 2008/27
Moduł pamięci Typ DDR2 SO-DIMM 200 kołek
dane Wydajność 2GB
Szybkośc zegara 667Mhz (PC2-5300)
taktowanie pamięci CL=5, tRCD = 5, tRP=5
cechy 200kołek
unbuffered
Non-ECC
Notatnik(Laptop) Pamięć
Bity danych x64
Informacje o chipie danych EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
Pakiet FBGA (BGA o drobnym skoku)
VDD Voltage 1.8V

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 Samsung 16GB ddr4 UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-pl SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

Nazwa produktu Samsung ddr4 16GB 2R x 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
Numer części M378A2K43CB1-CTD
(C-)
Producent Samsung Electronics
Kraj produkcji Chiny
Rok budowy / tydzień 2019 / 06
Typ DIMM Udinn
dane Wydajność 16GB
Prędkość transmisji danych
(max Bandwidth)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
taktowanie pamięci
(CL – tRCD – TRP – tRAS – TRC)		 19-19-19-43-61
cechy 288kołek, Unbuffer bez funkcji ECC DIMM ddr4
Bity danych x64
Moduł wewnętrzny Banks 16 banki (4 Grupy Banku)
Szeregi 2 (dual rank)
składnik Skład (1xg 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
Pakiet 78FBGA z bezołowiowych & Wolne od halogenu
(Zgodny z RoHS)
Wysokość 31.25 mm
VDD Voltage 1.2 V ± 0.06 V
Działających Case Zakres temperatur Średnia Odśwież Okres 7.8us na niższe niż TWALIZKA 85℃,
3.9nam w temperaturze 85 ℃ < TWALIZKA ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 Samsung 8GB ddr4 UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-pl SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

Nazwa produktu Samsung ddr4 8GB 1R x 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
Numer części M378A1K43CB2-CTD
(C-)
Producent Samsung Electronics
Kraj produkcji Chiny
Rok budowy / tydzień 2018 / 28
Typ DIMM Udinn
dane Wydajność 8GB
Prędkość transmisji danych
(max Bandwidth)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
taktowanie pamięci
(CL – tRCD – TRP – tRAS – TRC)		 19-19-19-43-61
cechy 288kołek, Unbuffer bez funkcji ECC DIMM ddr4
Bity danych x64
Moduł wewnętrzny Banks 16 banki (4 Grupy Banku)
Szeregi 1 (single rank)
składnik Skład (1xg 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
Pakiet 78FBGA z bezołowiowych & Wolne od halogenu
(Zgodny z RoHS)
Wysokość 30mm
VDD Voltage 1.2V ± 0.06V
Działających Case Zakres temperatur Średnia Odśwież Okres 7.8us na niższe niż TWALIZKA 85℃,
3.9nam w temperaturze 85 ℃ < TWALIZKA ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM PC2-6400 2Rx8 (M378T5663QZ3-CF7) https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/ https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/#respond Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1116-pl Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

Nazwa produktu Samsung DDR2 SDRAM 2 GB 2R x 8 PC2-6400
Numer części M378T5663QZ3-CF7
Producent Samsung Electronics
Kraj produkcji Chiny
Rok budowy / tydzień 2009/04, 2010/07
Moduł pamięci Typ DIMM
dane Wydajność 2GB
Szybkośc zegara 800Mhz (PC2-6400)
taktowanie pamięci CL 6, tRCD = 6, Trp = 6
cechy 240kołek, Unbuffered ECC DDR2 SDRAM DIMM
Bity danych x64
Moduł wewnętrzny Banks 8
Szeregi 2
Dane Chip Skład
(Głębokość x organizacja Bit x szt)		 128M × 8 x 16szt
(16szt K4T1G084QQ ×)
Pakiet 60FBGA z bezołowiowe i bezhalogenowe
(Zgodny z RoHS)
Wysokość 30mm
VDD Voltage 1.8V ± 0,1 V
Działających Case Zakres temperatur 0° C + 95 ° C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/feed/ 0 Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R x 8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-pl Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

Nazwa produktu Samsung 8GB DDR3 SDRAM DIMM 8GB PC3-12800
(2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
Producent Samsung Electronics
Kraj produkcji Filipińska
Rok budowy / tydzień 2014/08
dane Wydajność 8GB
Szybkośc zegara 1600Mhz (PC3-12800)
taktowanie pamięci 11 CL, tRCD = 11, Trp = 11
cechy 240kołek, Unbuffered DDR3 ECC SDRAM DIMM
Technologia Proces produkcji 20, 30, 40nm
bity danych x64
Moduł wewnętrzny banki 8
Szeregi 2
Kompozycja układ dane
(Głębokość x organizacja Bit x szt)		 512M x 8 x 16 szt
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 szt)
Pakiet
78 FBGA z bezołowiowych & Wolne od halogenu
(Zgodny z RoHS)
Wysokość 30mm
napięcie VDD 1.5V ± 0.075V
Działających Case Zakres temperatur 0° C + 95 ° C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-pl M368L6423DTM ma 32M bit x 64 Podwójna szybkość przesyłania danych(DDR) Moduł pamięci o wysokiej gęstości SDRAM oparty na piątej generacji odpowiednio 256 MB DRAM SDRAM. M368L6423DTM składa się z szesnastu CMOS 32M x 8 bit z SDRAMami 4banks Double Data Rate w 66-pinowym TSOP-II(400tysiąc) paczki montowane na podłożu szklano-epoksydowym o długości 184pin. Cztery kondensatory odsprzęgające 0,1 uF są zamontowane równolegle na płytce drukowanej dla każdej pamięci DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Nazwa produktu Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Producent Samsung Electronics
Kraj produkcji Korea
Rok budowy / tydzień 2003/12
dane Wydajność 512MB
Szybkośc zegara 166Mhz (PC2700, DDR333)
taktowanie pamięci CL=2,5
cechy 184kołek, DIMM, Unbuffer Non-ECC DDR SDRAM
Rozmiar 133.35mm × 31,75 mm
bity danych 64kawałek
Moduł wewnętrzny banki 4
Kompozycja układ dane K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8 bitów × 16 żetonów)
Pakiet TSOP-II
napięcie VDD 2.5V ± 0,2 V
Działających Case Zakres temperatur 0° C + 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/pl/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-pl Samsung Electronics wydany moduły DDR3 SDRAM przy użyciu technologii 30nm procesu w lipcu 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

Nazwa produktu Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
Producent Samsung Electronics (SEC)
Kraj produkcji Chiny
Rok budowy / tydzień 2011/13
dane Wydajność 4GB
Szybkośc zegara 1333Mhz (PC3-10600)
taktowanie pamięci CL 9, tRCD = 9, Trp = 9
cechy 204kołek, SODIMM, Unbuffer bez funkcji ECC SDRAM DDR3
Technologia Proces produkcji 40nm
bity danych x64
Moduł wewnętrzny banki 8
Szeregi 2
Kompozycja układ dane 256mx 8 * 16 szt
rewizja komponent 2gb, C-
Pakiet 78 piłka FBGA
Wysokość 30mm
napięcie VDD 1.5V
Działających Case Zakres temperatur 0° C + 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3