DDR3 SDRAM – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/pa/ device, part, ਖਾਸ Tue, 23 Mar 2021 10:34:01 +0000 pa hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 ਸੈਮਸੰਗ 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R×8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/pa/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/pa/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-pa Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਨਾਮ ਸੈਮਸੰਗ 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
ਨਿਰਮਾਤਾ ਸੈਮਸੰਗ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ
ਨਿਰਮਾਣ ਦਾ ਦੇਸ਼ ਫਿਲੀਪੀਨ
ਸਾਲ/ਹਫ਼ਤਾ ਬਣਾਓ 2014/08
ਡਾਟਾ ਸਮਰੱਥਾ 8ਜੀ.ਬੀ
ਘੜੀ ਦੀ ਗਤੀ 1600Mhz (PC3-12800)
ਮੈਮੋਰੀ ਟਾਈਮਿੰਗ CL = 11, tRCD = 11, tRP = 11
ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ 240ਪਿੰਨ, ਗੈਰ-ECC DDR3 SDRAM DIMM ਅਨਬਫਰ
ਉਤਪਾਦਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ 20, 30, 40nm
ਡਾਟਾ ਬਿੱਟ x64
ਅੰਦਰੂਨੀ ਮੋਡੀਊਲ ਬੈਂਕ 8
ਰੈਂਕ 2
ਡਾਟਾ ਚਿੱਪ ਰਚਨਾ
(ਡੂੰਘਾਈ × ਬਿੱਟ ਸੰਗਠਨ × pcs)		 512M×8 × 16 pcs
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 pcs)
ਪੈਕੇਜ
78 FBGA ਲੀਡ-ਮੁਕਤ ਦੇ ਨਾਲ & ਹੈਲੋਜਨ-ਮੁਕਤ
(RoHS ਅਨੁਕੂਲ)
ਉਚਾਈ 30ਮਿਲੀਮੀਟਰ
VDD ਵੋਲਟੇਜ 1.5V ± 0.075V
ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਕੇਸ ਤਾਪਮਾਨ ਰੇਂਜ 0°C ~ 95°C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 ਸੈਮਸੰਗ 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM https://www.devicelog.com/pa/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/pa/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-pa ਸੈਮਸੰਗ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਨੇ ਜੁਲਾਈ ਵਿੱਚ 30nm ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ DDR3 SDRAM ਮੋਡੀਊਲ ਜਾਰੀ ਕੀਤੇ 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਨਾਮ Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
ਨਿਰਮਾਤਾ ਸੈਮਸੰਗ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ (ਸਕਿੰਟ)
ਨਿਰਮਾਣ ਦਾ ਦੇਸ਼ ਚੀਨ
ਸਾਲ/ਹਫ਼ਤਾ ਬਣਾਓ 2011/13
ਡਾਟਾ ਸਮਰੱਥਾ 4ਜੀ.ਬੀ
ਘੜੀ ਦੀ ਗਤੀ 1333Mhz (PC3-10600)
ਮੈਮੋਰੀ ਟਾਈਮਿੰਗ CL = 9, tRCD = 9, tRP=9
ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ 204ਪਿੰਨ, SODIMM, ਅਣਬਫਰ ਗੈਰ-ECC DDR3 SDRAM
ਉਤਪਾਦਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ 40nm
ਡਾਟਾ ਬਿੱਟ x64
ਅੰਦਰੂਨੀ ਮੋਡੀਊਲ ਬੈਂਕ 8
ਰੈਂਕ 2
ਡਾਟਾ ਚਿੱਪ ਰਚਨਾ 256ਐਮ ਐਕਸ 8 * 16 pcs
ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਸੰਸ਼ੋਧਨ 2ਜੀ.ਬੀ, C- ਮਰਨਾ
ਪੈਕੇਜ 78 ਬਾਲ FBGA
ਉਚਾਈ 30ਮਿਲੀਮੀਟਰ
VDD ਵੋਲਟੇਜ 1.5ਵੀ
ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਕੇਸ ਤਾਪਮਾਨ ਰੇਂਜ 0°C ~ 85°C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3 eKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) https://www.devicelog.com/pa/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/ https://www.devicelog.com/pa/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/#comments Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000 https://www.devicelog.com/?p=643-pa EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) frontside

EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) backside

  • ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਨਾਮ : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0
  • ਨਿਰਮਾਤਾ : EKmemory
  • ਨਿਰਮਾਣ ਦਾ ਦੇਸ਼ : ਦੱਖਣ ਕੋਰੀਆ
  • ਡਾਟਾ ਸਮਰੱਥਾ : 2ਜੀ.ਬੀ
  • ਘੜੀ ਦੀ ਗਤੀ : 1333Mhz (PC3-10600)
  • ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ : 240ਪਿੰਨ, ਗੈਰ-ECC DDR3 SDRAM DIMM ਅਨਬਫਰ
  • ਡਾਟਾ ਚਿੱਪ ਰਚਨਾ : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 ਚਿਪਸ
  • VDD ਵੋਲਟੇਜ : 1.5ਵੀ
  • ਹੋਮਪੇਜ : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=dram&ਨੰਬਰ = 91

EKmemory_DDR3_2GB_2Rx8_PC3-10600U-9-10-B0_package

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/feed/ 1 ਸੈਮਸੰਗ 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8, ਕੋਰੀਆ) https://www.devicelog.com/pa/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/pa/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-pa Samsung DDR3 SDRAM 4GB Memory DIMM (2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131)

ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਨਾਮ ਸੈਮਸੰਗ 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 ਮੈਮੋਰੀ
(2Rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
ਨਿਰਮਾਤਾ ਸੈਮਸੰਗ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ (ਸਕਿੰਟ)
ਨਿਰਮਾਣ ਦਾ ਦੇਸ਼ ਦੱਖਣ ਕੋਰੀਆ
ਸਾਲ/ਹਫ਼ਤਾ ਬਣਾਓ 2011/31
ਡਾਟਾ ਸਮਰੱਥਾ 4ਜੀ.ਬੀ
ਘੜੀ ਦੀ ਗਤੀ 1333Mhz (PC3-10600)
ਮੈਮੋਰੀ ਟਾਈਮਿੰਗ CL = 9, tRCD = 9, tRP=9
ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ 240ਪਿੰਨ, ਗੈਰ-ECC DDR3 SDRAM DIMM ਅਨਬਫਰ
ਡਾਟਾ ਬਿੱਟ x64
ਡੂੰਘਾਈ / ਬਿੱਟ ਸੰਗਠਨ 512ਐਮ / x8
ਅੰਦਰੂਨੀ ਮੋਡੀਊਲ ਬੈਂਕ 8
ਰੈਂਕ 2
ਡਾਟਾ ਚਿੱਪ ਰਚਨਾ [SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 ਚਿਪਸ
(256Mbit ✕ 8 ✕ 16 pcs)
ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਸੰਸ਼ੋਧਨ 4ਵੀਂ ਪੀੜ੍ਹੀ
ਪੈਕੇਜ FBGA (ਲੀਡ-ਮੁਕਤ & ਹੈਲੋਜਨ-ਮੁਕਤ)
ਉਚਾਈ 30ਮਿਲੀਮੀਟਰ
VDD ਵੋਲਟੇਜ 1.5ਵੀ
ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਕੇਸ ਤਾਪਮਾਨ ਰੇਂਜ 0°C ~ 85°C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0 ਸੈਮਸੰਗ 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1Rx8, ਚੀਨ) https://www.devicelog.com/pa/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/ https://www.devicelog.com/pa/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/#comments Wed, 09 Jan 2013 14:20:55 +0000 https://www.devicelog.com/?p=557-pa Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਨਾਮ Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB ਮੈਮੋਰੀ
(1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1)
ਨਿਰਮਾਤਾ ਸੈਮਸੰਗ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ
ਨਿਰਮਾਣ ਦਾ ਦੇਸ਼ ਚੀਨ
ਸਾਲ/ਹਫ਼ਤਾ ਬਣਾਓ 2010/38
ਡਾਟਾ ਸਮਰੱਥਾ 2ਜੀ.ਬੀ
ਘੜੀ ਦੀ ਗਤੀ 1333Mhz (PC3-10600)
ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ 240ਪਿੰਨ, ਗੈਰ-ECC DDR3 SDRAM DIMM ਅਨਬਫਰ
ਉਤਪਾਦਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ 40nm
ਡਾਟਾ ਬਿੱਟ x64
ਅੰਦਰੂਨੀ ਮੋਡੀਊਲ ਬੈਂਕ 8
ਡਾਟਾ ਚਿੱਪ ਰਚਨਾ [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 ਚਿਪਸ
ਡੂੰਘਾਈ / ਬਿੱਟ ਸੰਗਠਨ 256ਐਮ / x8
ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਸੰਸ਼ੋਧਨ 4ਵੀਂ ਪੀੜ੍ਹੀ
ਪੈਕੇਜ FBGA (ਲੀਡ-ਮੁਕਤ & ਹੈਲੋਜਨ-ਮੁਕਤ)
ਉਚਾਈ 30ਮਿਲੀਮੀਟਰ
VDD ਵੋਲਟੇਜ 1.5ਵੀ
ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਕੇਸ ਤਾਪਮਾਨ ਰੇਂਜ 0°C ~ 85°C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/feed/ 6 ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1 https://www.devicelog.com/pa/memory/dram/ddr3-sdram/elpida-ddr3-so-dimm-2gb-pc3-10600s-9-10-f1/ https://www.devicelog.com/pa/memory/dram/ddr3-sdram/elpida-ddr3-so-dimm-2gb-pc3-10600s-9-10-f1/#comments Fri, 09 Mar 2012 07:39:10 +0000 https://www.devicelog.com/?p=256-pa ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Frontside

ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Rear

  • ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਨਾਮ : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1
  • ਭਾਗ ਨੰਬਰ : EBJ21UE8BFU0-DJ-F
  • ਨਿਰਮਾਤਾ : ELPIDA
  • ਨਿਰਮਾਣ ਦਾ ਦੇਸ਼ : ਤਾਈਵਾਨ
  • ਸਾਲ/ਹਫ਼ਤਾ ਬਣਾਓ : 2010/38
  • ਫਾਰਮ ਫੈਕਟਰ : DDR3 SO-DIMM
  • ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ : 204ਪਿੰਨ, ਗੈਰ-ECC
  • ਮੈਮੋਰੀ ਸਮਰੱਥਾ : 2ਜੀ.ਬੀ
  • ਅਧਿਕਤਮ ਡੇਟਾ ਦਰ : 1333ਐੱਮ.ਬੀ.ਪੀ.ਐੱਸ
  • ਵੋਲਟੇਜ : 1.5ਵੀ
  • ਸੰਗਠਨ : 256M ਸ਼ਬਦ × 64 ਬਿੱਟ, 2 ਰੈਂਕ
  • ਚਿੱਪ ਰਚਨਾ : J1108BFBG-DJ-F × 16
  • ਲੇਟੈਂਸੀ (CL-tRCD-tRP) : 9-9-9
  • ਪੀਸੀਬੀ ਦੀ ਉਚਾਈ : 30ਮਿਲੀਮੀਟਰ
  • ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਕੇਸ ਤਾਪਮਾਨ ਰੇਂਜ : 0~95℃
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/elpida-ddr3-so-dimm-2gb-pc3-10600s-9-10-f1/feed/ 6