SDRAM – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/ne/ device, part, विशिष्ट Thu, 01 Dec 2022 23:32:55 +0000 ne hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/ https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/#respond Wed, 20 Jul 2022 09:33:56 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1358-ne Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0) backside

  • उत्पादन नाम : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66
  • भाग नम्बर : KMM366S203CTL-G0
  • निर्माता : सामसु Englt ्ग इलेक्ट्रोनिक्स कं, लि. (SEC)
  • उत्पादन को देश : दक्षिण कोरिया
  • वर्ष/हप्ता निर्माण गर्नुहोस् : 1998/09
  • डाटा क्षमता : 16MB
  • घडीको गति : 66Mhz (PC66)
  • विशेषताहरु : 168 पिन, अनबफर गरिएको गैर-ECC SDRAM DIMM
  • डाटा चिप संरचना : [KM48S2020T-g10] × 8 चिप्स
    (2M × 64barit)
  • एक चिप जानकारी
    • KM48S2020T-g10 (UQK218EM वा UQL004DD)
    • मेमोरी IC प्रकार : सिंक्रोनस DRAM
    • क्षमता : 2M x 8 बिट
    • पहुँच समय-अधिकतम : 7 एनएस
    • Interleaved फट लम्बाइ: 1, 2, 4, 8
    • घडी आवृत्ति-अधिकतम (fCLK) : 100 MHz
    • 44 पिन
    • वर्ष/हप्ता निर्माण गर्नुहोस् : 1998/07
  • VDD : 3.3वि
  • ETC : 366S203BTL, AD1055-00, SMB2 94V-0
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/feed/ 0 LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S) https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/ https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/#respond Fri, 15 Jul 2022 08:54:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1350-ne LG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM GMM2642233BLTG-10K 7101SLG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM 168pin DIMM

  • उत्पादन नाम : LG SDRAM 16MB PC66
  • भाग नम्बर : GMM2642233BLTG-10K 7101S
  • निर्माता : LG Semicon Co., Ltd.
  • उत्पादन को देश : दक्षिण कोरिया
  • वर्ष/हप्ता निर्माण गर्नुहोस् : 1997/03
  • डाटा क्षमता : 16MB
  • घडीको गति : 66Mhz (PC66)
  • विशेषताहरु : 168पिन, अनबफर गरिएको गैर-ECC SDRAM DIMM
  • डाटा चिप संरचना : [GM72V1682121BT10K] × 8 चिप्स
    (2M × 64barit)
  • एक चिप क्षमता : 2M x 8 बिट
  • VDD : 3.3वि
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/feed/ 0 EK मेमोरी 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-ne EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

उत्पादनको नाम EK मेमोरी 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
भाग नम्बर EKM256S74BP8-E6
निर्माता EK मेमोरी
उत्पादन को देश ताइवान
चिप निर्माण वर्ष / हप्ता 2008/27
मेमोरी मोड्युल प्रकार DDR2 SO-DIMM 200 पिन
डाटा क्षमता 2GB
घडीको गति 667Mhz (Pc2-5300)
मेमोरी टाइमिङ CL=5, trcd = 5, tRP = 5
विशेषताहरु 200पिन
अनबफर गरिएको
गैर-ECC
नोटबुक(ल्यापट्नु) मेमोरी
डाटा बिट x64
डाटा चिप जानकारी EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
प्याकेज FBGA (फाइन-पिच BGA)
VDD भोल्टेज 1.8वि

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-ne SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

उत्पादनको नाम Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
भाग नम्बर M378A2K43CB1-CTD
(सी-डाइ)
निर्माता सैमसंग इलेक्ट्रोनिक्स
उत्पादन को देश चीन
निर्माण वर्ष/हप्ता 2019 / 06
DIMM प्रकार UDIMMs
डाटा क्षमता 16GB
डाटा दर
(अधिकतम ब्यान्डविथ)		 2666.67 MT/s
(21333.33 MB/s)
मेमोरी टाइमिङ
(CL – tRCD – tRP – पछि – tRC)		 19-19-19-43-61
विशेषताहरु 288पिन, अनबफर गैर-ECC DDR4 SDRAM DIMM
डाटा बिट x64
आन्तरिक मोड्युल बैंकहरू 16 बैंकहरू (4 बैंक समूहहरू)
श्रेणीहरू 2 (दोहोरो श्रेणी)
कम्पोनेन्ट रचना (1जी × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
प्याकेज 78FBGA नेतृत्व-मुक्त संग & हलोजन-मुक्त
(RoHS अनुरूप)
उचाइ 31.25 mm
VDD भोल्टेज 1.2 V ± 0.06 वि
अपरेटिंग केस तापमान दायरा औसत रिफ्रेस अवधि 7.8us तल T पछिकेस 85℃,
3.9हामीलाई 85 ℃ मा < Tकेस ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-ne SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

उत्पादनको नाम Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
भाग नम्बर M378A1K43CB2-CTD
(सी-डाइ)
निर्माता सैमसंग इलेक्ट्रोनिक्स
उत्पादन को देश चीन
निर्माण वर्ष/हप्ता 2018 / 28
DIMM प्रकार UDIMMs
डाटा क्षमता 8GB
डाटा दर
(अधिकतम ब्यान्डविथ)		 2666.67 MT/s
(21333.33 MB/s)
मेमोरी टाइमिङ
(CL – tRCD – tRP – पछि – tRC)		 19-19-19-43-61
विशेषताहरु 288पिन, अनबफर गैर-ECC DDR4 SDRAM DIMM
डाटा बिट x64
आन्तरिक मोड्युल बैंकहरू 16 बैंकहरू (4 बैंक समूहहरू)
श्रेणीहरू 1 (एकल श्रेणी)
कम्पोनेन्ट रचना (1जी × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
प्याकेज 78FBGA नेतृत्व-मुक्त संग & हलोजन-मुक्त
(RoHS अनुरूप)
उचाइ 30mm
VDD भोल्टेज 1.2V ± 0.06V
अपरेटिंग केस तापमान दायरा औसत रिफ्रेस अवधि 7.8us तल T पछिकेस 85℃,
3.9हामीलाई 85 ℃ मा < Tकेस ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/ https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/#respond Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1116-ne Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

उत्पादनको नाम Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400
भाग नम्बर M378T5663QZ3-CF7
निर्माता सैमसंग इलेक्ट्रोनिक्स
उत्पादन को देश चीन
निर्माण वर्ष/हप्ता 2009/04, 2010/07
मेमोरी मोड्युल प्रकार DIMM
डाटा क्षमता 2GB
घडीको गति 800Mhz (PC2-6400)
मेमोरी टाइमिङ CL=6, tRCD = 6, tRP = 6
विशेषताहरु 240पिन, अनबफर गरिएको गैर-ECC DDR2 SDRAM DIMM
डाटा बिट x64
आन्तरिक मोड्युल बैंकहरू 8
श्रेणीहरू 2
डाटा चिप संरचना
(गहिराई × बिट संगठन × पीसी)		 128M × 8 × 16 पीसी
(K4T1G084QQ × 16pcs)
प्याकेज 60FBGA नेतृत्व-मुक्त र हलोजन-मुक्त संग
(RoHS अनुरूप)
उचाइ 30mm
VDD भोल्टेज 1.8V±0.1V
अपरेटिंग केस तापमान दायरा 0°C ~ 95°C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/feed/ 0 Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R×8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-ne Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

उत्पादन नाम Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
निर्माता सैमसंग इलेक्ट्रोनिक्स
उत्पादन को देश फिलिपिन्स
वर्ष/हप्ता निर्माण गर्नुहोस् 2014/08
डाटा क्षमता 8GB
घडीको गति 1600Mhz (PC3-12800)
मेमोरी टाइमिङ CL=11, tRCD = ११, tRP = 11
विशेषताहरु 240पिन, गैर-ECC DDR3 SDRAM DIMM अनबफर
उत्पादन प्रक्रिया प्रविधि 20, 30, 40nm
डाटा बिट x64
आन्तरिक मोड्युल बैंकहरू 8
श्रेणीहरू 2
डाटा चिप संरचना
(गहिराई × बिट संगठन × पीसी)		 512M×8 × 16 pcs
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 pcs)
प्याकेज
78 FBGA नेतृत्व-मुक्त संग & हलोजन-मुक्त
(RoHS अनुरूप)
उचाइ 30mm
VDD भोल्टेज 1.5V ± 0.075V
अपरेटिंग केस तापमान दायरा 0°C ~ 95°C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-ne M368L6423DTM 32M बिट x हो 64 डबल डाटा दर(DDR) SDRAM उच्च घनत्व मेमोरी मोड्युल क्रमशः 256Mb DDR SDRAM को पाँचौं पुस्तामा आधारित. M368L6423DTM सोह्र CMOS 32M x समावेश गर्दछ 8 66pin TSOP-II मा 4banks दोहोरो डाटा दर SDRAM सँग बिट(400मिल) प्याकेजहरू 184pin ग्लास-इपोक्सी सब्सट्रेटमा माउन्ट गरिएका छन्. प्रत्येक DDR SDRAM को लागि समानान्तर रूपमा मुद्रित सर्किट बोर्डमा चार 0.1uF डिकपलिंग क्यापेसिटरहरू माउन्ट गरिएका छन्।. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

उत्पादन नाम Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
निर्माता सैमसंग इलेक्ट्रोनिक्स
उत्पादन को देश कोरिया
वर्ष/हप्ता निर्माण गर्नुहोस् 2003/12
डाटा क्षमता 512MB
घडीको गति 166Mhz (PC2700, DDR333)
मेमोरी टाइमिङ CL=2.5
विशेषताहरु 184पिन, DIMM, अनबफर गरिएको गैर-ECC DDR SDRAM
साइज 133.35मिमी × 31.75 मिमी
डाटा बिट 64बिट
आन्तरिक मोड्युल बैंकहरू 4
डाटा चिप संरचना K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8 बिट × 16 चिप्स)
प्याकेज TSOP-II
VDD भोल्टेज 2.5V ± 0.2V
अपरेटिंग केस तापमान दायरा 0°C ~ 85°C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0) https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/sdram/samsung-sdram-32mb-pc66-kmm366s403btn-g0/ https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/sdram/samsung-sdram-32mb-pc66-kmm366s403btn-g0/#comments Thu, 14 Mar 2013 03:50:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=732-ne Samsung SDRAM 32MB PC66 KMM366S403BTN-G0

Samsung SDRAM 32MB PC66 KMM366S403BTN-G0 underside

  • उत्पादन नाम : Samsung SDRAM 32MB PC66
  • भाग नम्बर : KMM366S403BTN-G0
  • निर्माता : सैमसंग इलेक्ट्रोनिक्स (SEC)
  • उत्पादन को देश : दक्षिण कोरिया
  • वर्ष/हप्ता निर्माण गर्नुहोस् : 1997/33
  • डाटा क्षमता : 32MB
  • घडीको गति : 66Mhz (PC66)
  • विशेषताहरु : 168पिन, अनबफर गरिएको गैर-ECC SDRAM DIMM
  • डाटा चिप संरचना : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 चिप्स
  • VDD : 3.3वि
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-sdram-32mb-pc66-kmm366s403btn-g0/feed/ 1 Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, गैर-वास्तविक RAM) https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/ne/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-ne Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • उत्पादन नाम : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (गैर-वास्तविक भागहरू)
  • भाग नम्बर : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • निर्माता : सैमसंग इलेक्ट्रोनिक्स (SEC)
  • उत्पादन को देश : दक्षिण कोरिया
  • वर्ष/हप्ता निर्माण गर्नुहोस् : 2003/33
  • डाटा क्षमता : 512MB
  • घडीको गति : 400Mhz (PC3200)
  • विशेषताहरु : 184पिन, अनबफर गरिएको गैर-ECC DDR SDRAM DIMM
  • डाटा चिप संरचना : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 चिप्स
  • डाटा बैंकहरू : 4 बैंकहरू
  • अन्तराल ताजा गर्नुहोस् : 7.8μs (8K/64ms रिफ्रेस)
  • विलम्ब पढ्नुहोस् : 3 घडी (CL3)
  • फट लम्बाइ : 2, 4, 8
  • फट प्रकार : क्रमिक & अन्तरबार्ता
  • अधिकतम बर्स्ट रिफ्रेस चक्र : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6V±0.1V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3