उत्पादन नाम : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (गैर-वास्तविक भागहरू) भाग नम्बर : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC निर्माता : सैमसंग इलेक्ट्रोनिक्स (SEC) उत्पादन को देश : दक्षिण कोरिया निर्माण वर्ष/हप्ता : 2003/33 डाटा क्षमता : 512MB घडी गति : 400Mhz (PC3200) विशेषताहरु : 184पिन, अनबफर गरिएको गैर-ECC DDR SDRAM DIMM डेटा चिप संरचना : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 चिप्स डाटा […]

उत्पादन नाम : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 निर्माता : निर्माण को EKmemory देश : दक्षिण कोरिया डाटा क्षमता : 2GB घडी गति : 1333Mhz (PC3-10600) विशेषताहरु : 240पिन, अनबफर गैर-ECC DDR3 SDRAM DIMM डेटा चिप संरचना : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 चिप्स VDD भोल्टेज : 1.5V गृहपृष्ठ : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = dram&नम्बर = 91

उत्पादनको नाम Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 मेमोरी (2Rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) निर्माता सैमसंग इलेक्ट्रोनिक्स (SEC) उत्पादन गर्ने देश दक्षिण कोरिया निर्माण वर्ष/हप्ता 2011/31 डाटा क्षमता 4GB घडी गति 1333Mhz (PC3-10600) मेमोरी टाइमिङ CL=9, tRCD = 9, tRP=9 सुविधाहरू 240pin, अनबफर गैर-ECC DDR3 SDRAM DIMM डेटा बिट्स x64 गहिराई / बिट संगठन 512M / x8 आन्तरिक मोड्युल […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta मेमोरी, DDR SDRAM मेमोरी मोड्युलहरूमा, पहिलो पटक सैमसंग TCCD मेमोरी चिप्स मार्फत 600Mhz घडी गति हासिल गर्यो. A-data Viesta को डाटा क्षमता 512MB वा 256MB थियो. यो प्रायः ओभरक्लकिंगको लागि प्रयोग गरिएको थियो.   उत्पादनको नाम A-DATA Vitesta DDR600 512MB भाग नम्बर MDOSSLF3H47A0B1G0Z निर्माता A-DATA उत्पादनको देश ताइवान निर्माण वर्ष 2004 सुविधाहरू 184pin अनबफर […]

उत्पादनको नाम : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 भाग नम्बर : EBJ21UE8BFU0-DJ-F निर्माता : उत्पादन को ELPIDA देश : ताइवान निर्माण वर्ष/हप्ता : 2010/38 फारम कारक : DDR3 SO-DIMM सुविधाहरू : 204पिन, गैर-ECC मेमोरी क्षमता : 2GB अधिकतम डाटा दर : 1333Mbps भोल्टेज : 1.5वि संगठन : 256M शब्दहरू × 64 बिट्स, 2 रैंक चिप संरचना : J1108BFBG-DJ-F […]