उत्पादनको नाम Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB मेमोरी (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) निर्माता सैमसंग इलेक्ट्रोनिक्स उत्पादनको देश चीन निर्माण वर्ष/हप्ता 2010/38 डाटा क्षमता 2GB घडी गति 1333Mhz (PC3-10600) सुविधाहरू 240pin, अनबफर गैर-ECC DDR3 SDRAM DIMM उत्पादन प्रक्रिया प्रविधि 40nm डाटा बिट x64 आन्तरिक मोड्युल बैंकहरू 8 डाटा चिप संरचना [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 चिप्स […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta मेमोरी, DDR SDRAM मेमोरी मोड्युलहरूमा, पहिलो पटक सैमसंग TCCD मेमोरी चिप्स मार्फत 600Mhz घडी गति हासिल गर्यो. A-data Viesta को डाटा क्षमता 512MB वा 256MB थियो. यो प्रायः ओभरक्लकिंगको लागि प्रयोग गरिएको थियो.   उत्पादनको नाम A-DATA Vitesta DDR600 512MB भाग नम्बर MDOSSLF3H47A0B1G0Z निर्माता A-DATA उत्पादनको देश ताइवान निर्माण वर्ष 2004 सुविधाहरू 184pin अनबफर […]

KMM591000AN-7 दुई KM44C1000AJ-7 चिप र एउटा KM44C1000CJ-7 चिप मिलेर बनेको छ. KMM591000BN-7 दुई KM44C1000BJ-7 चिप र एउटा KM44C1000CJ-7 चिपसँग बनेको छ. तिनीहरू Samsung Electronics द्वारा उत्पादित 1MB DRAM SIMM हरू हुन्. निर्माण कम्पनी : सामसुङ इलेक्ट्रोनिक्स उत्पादन वर्ष : 1992 / 1993 उत्पादन को देश : दक्षिण कोरिया मोड्युल सुविधाहरू : 30पिन, SIMM, समानता RAM मेमोरी क्षमता […]

उत्पादनको नाम : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 भाग नम्बर : EBJ21UE8BFU0-DJ-F निर्माता : उत्पादन को ELPIDA देश : ताइवान निर्माण वर्ष/हप्ता : 2010/38 फारम कारक : DDR3 SO-DIMM सुविधाहरू : 204पिन, गैर-ECC मेमोरी क्षमता : 2GB अधिकतम डाटा दर : 1333Mbps भोल्टेज : 1.5वि संगठन : 256M शब्दहरू × 64 बिट्स, 2 रैंक चिप संरचना : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM सँग छिटो डाटा I/O को लागि अस्थायी मेमोरी स्पेस छ. यो प्रभावकारी हुन्छ जब प्रणालीले क्यास मेमोरी समर्थन प्राप्त गर्न सक्दैन. तर यदि प्रणालीमा क्यास मेमोरी छ, EDO DRAM को प्रभाव थोरै छ. निर्माता : हुन्डाई इलेक्ट्रोनिक्स उद्योग क., लि. निर्माण वर्ष/हप्ता : 1997/32 उत्पादन को देश : कोरिया (दक्षिण कोरिया) भाग नम्बर […]