https://www.devicelog.com/my/ device, part, spec Tue, 23 Mar 2021 10:33:05 +0000 my hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 https://www.devicelog.com/my/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/my/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-my

ကုန်ပစ္စည်းအမည်	EK Memory 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
အပိုင်းနံပါတ်	EKM256S74BP8-E6
ထုတ်လုပ်သူ	EK Memory
ထုတ်လုပ်မှုနိုင်ငံ	ထိုင်ဝမ်
Chip တည်ဆောက်မှုတစ်နှစ် / တစ်ပါတ်	2008/27
Memory Module အမျိုးအစား	DDR2 SO-DIMM 200 pin
ဒေတာစွမ်းရည်	2GB
နာရီအမြန်နှုန်း	667Mhz (PC2-5300)
Memory Timing	CL=5, TRCD = 5, tRP=5
အင်္ဂါရပ်များ	200pin မခံချိမခံသာ Non-ECC မှတ်ချက်စာအုပ်(လက်တော့ပ်) ဉာဏ်
ဒေတာဘစ်များ	x64
Data Chip အချက်အလက်	EK20908A8A-3EG 20827 XCG248-UA3G
အထုပ်	fbga (အနုမြူ BGA)
VDD ဗို့အား	1.8v

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 https://www.devicelog.com/my/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/my/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-my

ကုန်ပစ္စည်းအမည်	Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11)
အပိုင်းနံပါတ်	M378A2K43CB1-CTD (c-)
ထုတ်လုပ်သူ	Samsung အီလက်ထရွန်းနစ်
ထုတ်လုပ်မှုနိုင်ငံ	တရုတ်
တစ်နှစ် / တစ်ပတ်တည်ဆောက်ပါ	2019 / 06
DIMM အမျိုးအစား	UDIMM များ
ဒေတာစွမ်းရည်	16GB
ဒေတာနှုန်း (မက်စ် bandwidth)	2666.67 mt / s (21333.33 MB / s)
Memory Timing (ကြည်လင်သားစွာ – trcd – စတင်ဘော်တရိုက် – နောက်ကျသော – ညိနာ)	19-19-19-43-61
အင်္ဂါရပ်များ	288pin, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
ဒေတာဘစ်များ	x64
Internal Module ဘဏ်များ	16 ဘဏ်များ (4 ဘဏ်အုပ်စုများ)
အဆင့်များ	2 (Dual Rank)
အစိတ်အပိုင်းဖွဲ့စည်းမှု	(1G × 8) × 16 (k4a8g085wc-bctd) × 16
အထုပ်	78Lead-Free ဖြင့် FBGA & ဟာလိုဂျင်မပါသော (RoHS နှင့်ကိုက်ညီသည်။)
အမြင့်	31.25 မီစေမယ်
VDD ဗို့အား	1.2 V± 0.06 v
Operating Case Temperature Range	ပျမ်းမျှ Refresh Period 7.8us သည် T ထက်နိမ့်သည်။ကိစ္စ 85℃, 3.9ကျွန်ုပ်တို့သည် 85 ℃ < Tကိစ္စ ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 https://www.devicelog.com/my/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/my/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-my

ကုန်ပစ္စည်းအမည်	Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11)
အပိုင်းနံပါတ်	M378A1K43CB2-CTD (c-)
ထုတ်လုပ်သူ	Samsung အီလက်ထရွန်းနစ်
ထုတ်လုပ်မှုနိုင်ငံ	တရုတ်
တစ်နှစ် / တစ်ပတ်တည်ဆောက်ပါ	2018 / 28
DIMM အမျိုးအစား	UDIMM များ
ဒေတာစွမ်းရည်	8GB
ဒေတာနှုန်း (မက်စ် bandwidth)	2666.67 mt / s (21333.33 MB / s)
Memory Timing (ကြည်လင်သားစွာ – trcd – စတင်ဘော်တရိုက် – နောက်ကျသော – ညိနာ)	19-19-19-43-61
အင်္ဂါရပ်များ	288pin, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
ဒေတာဘစ်များ	x64
Internal Module ဘဏ်များ	16 ဘဏ်များ (4 ဘဏ်အုပ်စုများ)
အဆင့်များ	1 (Single Rank)
အစိတ်အပိုင်းဖွဲ့စည်းမှု	(1G × 8) × 8 (k4a8g085wc-bctd) × 8
အထုပ်	78Lead-Free ဖြင့် FBGA & ဟာလိုဂျင်မပါသော (RoHS နှင့်ကိုက်ညီသည်။)
အမြင့်	30မီစေမယ်
VDD ဗို့အား	1.2V ± 0.06V
Operating Case Temperature Range	ပျမ်းမျှ Refresh Period 7.8us သည် T ထက်နိမ့်သည်။ကိစ္စ 85℃, 3.9ကျွန်ုပ်တို့သည် 85 ℃ < Tကိစ္စ ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 https://www.devicelog.com/my/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/my/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-my

ထုတ်ကုန်အမည်	Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 မမ်မိုရီ (2Rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
ထုတ်လုပ်သူ	Samsung အီလက်ထရွန်းနစ် (အရင်ကလည်း)
ထုတ်လုပ်သည့်နိုင်ငံ	တောင်ကိုရီးယား
နှစ်/ပတ် တည်ဆောက်ပါ။	2011/31
ဒေတာစွမ်းရည်	4GB
နာရီအမြန်နှုန်း	1333Mhz (PC3-10600)
Memory Timing	CL=၉, tRCD=၉, tRP=၉
အင်္ဂါရပ်များ	240pin, ECC DDR3 SDRAM မဟုတ်သော DIMM ကြားခံစနစ်
ဒေတာနည်းနည်း	x64
အနက် / bit အဖွဲ့အစည်း	512အမ် / x8
Internal Module ဘဏ်များ	8
အဆင့်များ	2
ဒေတာချစ်ပ်ဖွဲ့စည်းမှု	[SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 ချစ်ပ်များ (256Mbit ✕ 8 ✕ 16 pcs)
အစိတ်အပိုင်းပြင်ဆင်ခြင်း	4ကြိမ်မြောက်
အထုပ်	fbga (ခဲ - အခမဲ့ & halogen-free)
အမြင့်	30မီစေမယ်
VDD ဗို့အား	1.5v
Operating Case Temperature Range	0°C ~ 85°C

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0