Жинхэнэ бус – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/mn/ device, part, техникийн үзүүлэлт Sat, 04 Jun 2016 15:05:16 +0000 mn hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, жинхэнэ бус RAM) https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-mn Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • Бүтээгдэхүүний нэр : Samsung DDR SDRAM 512MM PC3200 PC3200 (Жинхэнэ эсрэг хэв маяг)
  • Хэсгийн дугаар : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • Үйлдвэрлэгч : Samsung Electronics (Дотуур тоо)
  • Үйлдвэрлэсэн улс : Өмнөд Солонгос
  • Жил / Долоо хоног : 2003/33
  • Өгөгдлийн багтаамж : 512МБ
  • Төгсөх хурд : 400МГц (PC3200)
  • Онцлогууд : 184зүү, ECC DDR SDRAM DIMM
  • Өгөгдлийн чипийн найрлага : [Sec K4H560838E-TCCC] Ий 8 чипс
  • Аюулгүй Баль : 4 банк
  • Сэргээх интервал : 7.8малтмал (8K / 64Ms сэргээж байна)
  • НЭВТРҮҮЛЭХ УУ : 3 цаг (CL3)
  • Тэсрэлт урт : 2, 4, 8
  • Тэсрэлт төрөлт : дараалал & хоорондох
  • Хамгийн их тэсрэлт шинэчлэх мөчлөг : 8
  • Хоёрын этгий, Vddq : 2.6V ± 0.1V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3