DRAM – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/mn/ device, part, техникийн үзүүлэлт Mon, 11 Jul 2022 17:33:11 +0000 mn hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 LG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/#comments Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1336-mn LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM backside

  • Үйлдвэрлэгч : LG Semicon Co., Ltd.
  • Үйлдвэрлэсэн улс : Өмнөд Солонгос
  • Хэсгийн дугаар : ?
  • Form Factor : SIMM
  • Онцлогууд : 72зүү, EDO DRAM, Паритет бус
  • Санах ойн багтаамж : 16МБ
  • Дамжуулах зурвасын өргөн : 32жаахан
  • Хурд : 60ns(tRAC)
  • Хүчдэл : 5В
  • Чипний найрлага : GM71C17400CJ6 × 8
  • Чип бүтээх жил/долоо хоног : 1998/27
  • Нэг чипийн багтаамж : 4M x 4 бит
  • гэх мэт : Addonics®, SD816
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/feed/ 1 EK санах ой 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-mn EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

Бүтээгдэхүүний нэр EK санах ой 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
Хэсгийн дугаар EKM256S74BP8-E6
Үйлдвэрлэгч EK санах ой
Үйлдвэрлэгч улс Тайвань
Чип бүтээх жил/долоо хоног 2008/27
Санах ойн модулийн төрөл DDR2 SO-DIMM 200 зүү
Өгөгдлийн багтаамж 2GB
Цагийн хурд 667МГц (PC2-5300)
Санах ойн цаг CL=5, TRCD = 5, tRP=5
Онцлогууд 200зүү
Буфергүй
Ec-eCc биш
Тэмдэглэлийн дэвтэр(ЗөөвЖ)) Санах ой
Өгөгдлийн битүүд x64
Өгөгдлийн чипийн мэдээлэл EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
Багц FBGA (Нарийн давтамжтай BGA)
VDD хүчдэл 1.8В

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R × 8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-mn Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

Бүтээгдэхүүний нэр Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
Үйлдвэрлэгч Samsung Electronics
Үйлдвэрлэсэн улс Филиппин
Жил / Долоо хоног 2014/08
Өгөгдлийн багтаамж 8GB
Төгсөх хурд 1600МГц (PC3-12800)
Санах ойн цаг CL=11, TRCD = 11, tRP=11
Онцлогууд 240зүү, ECC DERC DDR3 SDRAM DIMM
Үйлдвэрлэлийн үйл ажиллагааны технологи 20, 30, 40нм
Өгөгдлийн бит x64
Дотоод модулийн банкууд 8
Зэрэглэл 2
Өгөгдлийн чипийн найрлага
(Гүн × Битийн зохион байгуулалт × ширхэг)		 512М × 8 × 16 ширхэг
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 ширхэг)
Багц
78 FBGA Хар тугалгагүй & Галогенгүй
(RoHS нийцтэй)
Өндөр 30мм
Vdd хүчдэл 1.5V ± 0.075 В
Үйлдлийн хайрцагны температурын хүрээ 0°C ~ 95 °C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-mn M368L6423DTM нь 32м хагас x юм 64 Бүртгүүлэх үнэ(DDR) SDRAM STARD SENTION SENDION-д 256MB DDR SDRAM-д суурилсан. M368L6423DTM нь арван зургаан CMOS-ээс бүрдсэн 32м x-ээс бүрдэнэ 8 66PIN TSOP-II-д 4BANKS DEATE READ SATE SDRAMS SDRAMS-тэй хамт(400тамир) 184PIN шилэн шилэн-эпо-эпокси субстрат дээр суурилуулсан багцууд. DDR SDRAM бүрийн хувьд хэвлэмэл хэлхээний самбар дээр 4 0.1 uF салгах конденсаторыг зэрэгцээ суурилуулсан.. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Бүтээгдэхүүний нэр Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Үйлдвэрлэгч Samsung Electronics
Үйлдвэрлэсэн улс Солонгос
Жил / Долоо хоног 2003/12
Өгөгдлийн багтаамж 512МБ
Төгсөх хурд 166МГц (PC2700, DDR333)
Санах ойн цаг CL=2.5
Онцлогууд 184зүү, DIMM, Буфергүй ECC бус DDR SDRAM
Хэмжээ 133.35мм × 31.75мм
Өгөгдлийн бит 64жаахан
Дотоод модулийн банкууд 4
Өгөгдлийн чипийн найрлага K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8bit × 16 чип)
Багц TSOP-II
Vdd хүчдэл 2.5V ± 0.2V
Үйлдлийн хайрцагны температурын хүрээ 0° C ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-mn Samsung Electronics 7-р сард 30 нм процессын технологийг ашиглан DDR3 SDRAM модулиудыг гаргасан 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

Бүтээгдэхүүний нэр Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
Үйлдвэрлэгч Samsung Electronics (Дотуур тоо)
Үйлдвэрлэсэн улс Хятад
Жил / Долоо хоног 2011/13
Өгөгдлийн багтаамж 4GB
Төгсөх хурд 1333МГц (PC3-10600)
Санах ойн цаг CL=9, TRCD = 9, tRP=9
Онцлогууд 204зүү, SODIMM, ECC бус DDR3 SDRAM-г задлах
Үйлдвэрлэлийн үйл ажиллагааны технологи 40нм
Өгөгдлийн бит x64
Дотоод модулийн банкууд 8
Зэрэглэл 2
Өгөгдлийн чипийн найрлага 256М х 8 * 16 ширхэг
Бүрэлдэхүүн хэсэгчилсэн найруулга 2Гб, C-үхэх
Багц 78 бөмбөг FBGA
Өндөр 30мм
Vdd хүчдэл 1.5В
Үйлдлийн хайрцагны температурын хүрээ 0° C ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3 Hyundai 4MB EDO DRAM 72PP SMAMMM (Hym532100AM-70) https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-4mb-edo-dram-simm-hym532100am-70/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-4mb-edo-dram-simm-hym532100am-70/#respond Fri, 15 Mar 2013 07:26:42 +0000 https://www.devicelog.com/?p=739-mn Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM

Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM

  • Үйлдвэрлэгч : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
  • Жилийн жил барих : 1994
  • Үйлдвэрлэсэн улс : Өмнөд Солонгос
  • Хэсгийн дугаар : Hym532100AM-70
  • Form Factor : SIMM
  • Санах ойн төрөл : EDO DRAM
  • Санах ойн багтаамж : 4МБ
  • Автобусны төрөл : ШУУД ҮЗЭХ ХУУДАС (Fpm)
  • Алдаа гаритгүй : Паритет бус
  • Зүү : 72зүү
  • Дамжуулах зурвасын өргөн : 32жаахан
  • Хоцролт : 70ns (tRAC)
  • Хүчдэл : 5В
  • Чипний найрлага : [HY514400A J-70] × 8
  • Нэг чипийн багтаамж : 1M x 4 бит
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-4mb-edo-dram-simm-hym532100am-70/feed/ 0 eKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/#comments Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000 https://www.devicelog.com/?p=643-mn EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) frontside

EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) backside

  • Бүтээгдэхүүний нэр : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0
  • Үйлдвэрлэгч : EK санах ой
  • Үйлдвэрлэсэн улс : Өмнөд Солонгос
  • Өгөгдлийн багтаамж : 2GB
  • Төгсөх хурд : 1333МГц (PC3-10600)
  • Онцлогууд : 240зүү, ECC DERC DDR3 SDRAM DIMM
  • Өгөгдлийн чипийн найрлага : [EKM324L28BPP8-13] Ий 16 чипс
  • Vdd хүчдэл : 1.5В
  • Нүүр хуудас : htttp://www.ekmmemory.com/bbs/view.php.php?id = dram&Үгүй = 91

EKmemory_DDR3_2GB_2Rx8_PC3-10600U-9-10-B0_package

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/feed/ 1 Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/original-dram/samsung-30pin-1mb-dram-simm/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/original-dram/samsung-30pin-1mb-dram-simm/#comments Fri, 18 May 2012 11:01:28 +0000 https://www.devicelog.com/?p=326-mn
Samsung 1MB DRAM SIMM backside (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

Samsung 1MB DRAM SIMM backside (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 нь хоёр KM44C1000AJ-7 чип, нэг KM44C1000CJ-7 чипээс бүрдэнэ.. KMM591000BN-7 нь хоёр KM44C1000BJ-7 чип, нэг KM44C1000CJ-7 чипээс бүрдэнэ.. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics.

  • Үйлдвэрлэлийн компани : Samsung Electronics
  • Үйлдвэрлэсэн он : 1992 / 1993
  • Үйлдвэрлэсэн улс : Өмнөд Солонгос
  • Модулийн онцлог : 30зүү, SIMM, Паритын RAM
  • Санах ойн багтаамж : 1МБ
  • BandWidth : 8жаахан
  • Хурдны онцлог : 70ns(tRAC)
  • Чипний найрлага :
    KMM591000AN-7 = KM44C1000AJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
    KMM591000BN-7 = KM44C1000BJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/samsung-30pin-1mb-dram-simm/feed/ 1 Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414) https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/#comments Thu, 04 Aug 2011 13:39:13 +0000 https://www.devicelog.com/?p=110-mn EDO DRAM нь өгөгдөл оруулах/гаралтыг хурдасгах түр санах ойтой. Энэ нь систем кэш санах ойн дэмжлэг авах боломжгүй үед үр дүнтэй байдаг. Гэхдээ системд кэш санах ой байгаа бол, the effect of EDO DRAM is little.

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Frontside)

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Backside)

  • Үйлдвэрлэгч : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
  • Барилгын жил/долоо хоног : 1997/32
  • Үйлдвэрлэсэн улс : Солонгос (Өмнөд Солонгос)
  • Хэсгийн дугаар : HYM532414 BM-60
  • Form Factor : SIMM
  • Онцлогууд : 72зүү, EDO DRAM, Паритет бус
  • Санах ойн багтаамж : 16МБ
  • Дамжуулах зурвасын өргөн : 32жаахан
  • Хурд : 60ns(tRAC)
  • Хүчдэл : 5В
  • Чипний найрлага : HY5117404B(J-60) × 8
  • Нэг чипийн багтаамж : 4M x 4 бит
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/feed/ 1 Hyundai 1MB DRAM 30pin SIMM https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/#comments Mon, 01 Aug 2011 16:12:29 +0000 https://www.devicelog.com/?p=5-mn Энэхүү RAM нь Hyundai Electronics үйлдвэрээс үйлдвэрлэсэн 30 зүү 1MB SIMM юм(Одоогийн Hynix). 30-pin SIMM-ийг бүх нийтээр ашигладаг байсан 80286 руу 80486. Хэрэв чипийн тоо сондгой тоо байвал, one of the chips perform parity check.

Энэхүү RAM нь хоёр HY514400A-аас бүрдэнэ(1M x 4 бит) ба нэг HY531000A(1М x 1бит). RAM-ийн санах ойн багтаамж нь 1 МБ. HY531000A нь мэдээллийн чип юм, and HY531000A is parity chip.

Hyundai 30-pin 1MB SIMM (HY514400A × 2 + HT531000A)

  • Үйлдвэрлэгч : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
  • Үйлдвэрлэсэн он : 1993
  • Бүтээгдэхүүний онцлог : 30-зүү, DRAM SIMM, Паритын RAM
  • Санах ойн багтаамж : 1МБ
  • Дамжуулах зурвасын өргөн : 8жаахан
  • Хурдны онцлог : 70ns(tRAC)
  • Чипний найрлага : HY514400A × 2 + HY531000A (4×2 + 1 битүүд)
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/feed/ 1