DDR – DeviceLog.com

HIS Radeon RX560 14CU GREEN iCooler OC GDDR5 2GB

DeviceLog.com — Sun, 25 Dec 2022 05:15:29 +0000

Бүтээгдэхүүний нэр	HIS Radeon RX560 14CU GREEN iCooler OC D5 2GB
Бүтээгдэхүүний код	HS-560J2SCNR
EAN код	489 51390 12361
Бодит байдлын огноо	2016.8.8.
Чипсет үйлдвэрлэгч	AMD(Тэгсэн ч бид)
Самбар үйлдвэрлэгч	Hightech Informaion System Ltd. (Түүний)
Үйлдвэрлэгч улс	Хятад
Санах ойн үйлдвэрлэгч	Elpida санах ой, Inc.
Чипсет/GPU загвар	AMD Radeon RX 560 Цуврал AMD Radeon HD 560
GPU кодын нэр	Баффин (Polaris 11)
GPU засвар	CF
GPU технологи	14нм
GPU-ийн хэмжээ	123мм²
GPU туслах	БА AIB
GPU цаг	Суурь : 1145МГц ОК : 1196МГц Өсгөх : 1176 МГц
Урсгал процессорууд (Тооцооллын нэгж)	896 (14CU)
Видео RAM төрөл	GDDR5
Видео RAM-ийн хэмжээ	2048МБ (2GB)
Видео RAM цаг	1500МГц
Автобусны интерфейс	PCI Express 3.0 x 8
Автобусны өргөн	128жаахан
Автобусны хурд	7.0Gbps (112GB/s)
Тооцооллын технологи	OpenGL, DirectCompute, DirectML, Вулкан
Эрчим хүчний хэрэглээ	Макс. 46В
Санал болгож буй цахилгаан хангамж	400W+
Илүү сэрүүн	iCooler ( Хоёр үүр 0дБ , 11 x Сэнс ир)
Видео холбогч	DVI × 1 HDMI × 1 DisplayPort(АН) × 1
Хамгийн их нарийвчлал (Дэлгэц бүрт)	АН 1.4 : 5120 × 2880 @ 60 Гц HDMI 2.0b : 4096 × 2160 @ 60 Гц Хос холболттой DVI-D порт : 2560 × 1600 @ 60 Гц
Онцлогууд	• Тэг сэнсний функц • Өргөн: 170мм • Өндөр: 35мм

EK санах ой 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

DeviceLog.com — Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000

Бүтээгдэхүүний нэр	EK санах ой 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
Хэсгийн дугаар	EKM256S74BP8-E6
Үйлдвэрлэгч	EK санах ой
Үйлдвэрлэгч улс	Тайвань
Чип бүтээх жил/долоо хоног	2008/27
Санах ойн модулийн төрөл	DDR2 SO-DIMM 200 зүү
Өгөгдлийн багтаамж	2GB
Цагийн хурд	667МГц (PC2-5300)
Санах ойн цаг	CL=5, TRCD = 5, tRP=5
Онцлогууд	200зүү Буфергүй Ec-eCc биш Тэмдэглэлийн дэвтэр(ЗөөвЖ)) Санах ой
Өгөгдлийн битүүд	x64
Өгөгдлийн чипийн мэдээлэл	EK20908A8A-3EG 20827 XCG248-UA3G
Багц	FBGA (Нарийн давтамжтай BGA)
VDD хүчдэл	1.8В

Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD)

DeviceLog.com — Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000

Бүтээгдэхүүний нэр	Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11)
Хэсгийн дугаар	M378A2K43CB1-CTD (C-үхэх)
Үйлдвэрлэгч	Samsung Electronics
Үйлдвэрлэгч улс	Хятад
Барилгын жил/долоо хоног	2019 / 06
DIMM төрөл	UDIMM
Өгөгдлийн багтаамж	16GB
Өгөгдлийн хурд (Хамгийн их зурвасын өргөн)	2666.67 MT/s (21333.33 МБ/с)
Санах ойн цаг (CL – tRCD – tRP – дараа – tRC)	19-19-19-43-61
Онцлогууд	288зүү, ECC бус DDR4 SDRAM DIMM буфер
Өгөгдлийн битүүд	x64
Дотоод модулийн банкууд	16 Банкууд (4 Банкны бүлгүүд)
Зэрэглэл	2 (Хос зэрэглэл)
Бүрэлдэхүүн хэсгүүдийн найрлага	(1G × 8) × 16 (K4A8G085WC-BCTD) × 16
Багц	78Хар тугалгагүй FBGA & Галогенгүй (RoHS нийцтэй)
Өндөр	31.25 мм
VDD хүчдэл	1.2 V ± 0.06 В
Үйлдлийн хайрцагны температурын хүрээ	Дундаж сэргээх хугацаа T-ээс бага 7.8us байна_CASE 85℃, 3.9Бид 85 хэмд < Т_CASE ≤ 95℃

Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD)

DeviceLog.com — Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000

Бүтээгдэхүүний нэр	Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11)
Хэсгийн дугаар	M378A1K43CB2-CTD (C-үхэх)
Үйлдвэрлэгч	Samsung Electronics
Үйлдвэрлэгч улс	Хятад
Барилгын жил/долоо хоног	2018 / 28
DIMM төрөл	UDIMM
Өгөгдлийн багтаамж	8GB
Өгөгдлийн хурд (Хамгийн их зурвасын өргөн)	2666.67 MT/s (21333.33 МБ/с)
Санах ойн цаг (CL – tRCD – tRP – дараа – tRC)	19-19-19-43-61
Онцлогууд	288зүү, ECC бус DDR4 SDRAM DIMM буфер
Өгөгдлийн битүүд	x64
Дотоод модулийн банкууд	16 Банкууд (4 Банкны бүлгүүд)
Зэрэглэл	1 (Ганц зэрэглэл)
Бүрэлдэхүүн хэсгүүдийн найрлага	(1G × 8) × 8 (K4A8G085WC-BCTD) × 8
Багц	78Хар тугалгагүй FBGA & Галогенгүй (RoHS нийцтэй)
Өндөр	30мм
VDD хүчдэл	1.2V ± 0.06 В
Үйлдлийн хайрцагны температурын хүрээ	Дундаж сэргээх хугацаа T-ээс бага 7.8us байна_CASE 85℃, 3.9Бид 85 хэмд < Т_CASE ≤ 95℃

Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

DeviceLog.com — Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000

Бүтээгдэхүүний нэр	Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400
Хэсгийн дугаар	M378T5663QZ3-CF7
Үйлдвэрлэгч	Samsung Electronics
Үйлдвэрлэгч улс	Хятад
Барилгын жил/долоо хоног	2009/04, 2010/07
Санах ойн модулийн төрөл	DIMM
Өгөгдлийн багтаамж	2GB
Цагийн хурд	800МГц (PC2-6400)
Санах ойн цаг	CL=6, tRCD=6, tRP=6
Онцлогууд	240зүү, ECC бус DDR2 SDRAM DIMM буфер
Өгөгдлийн битүүд	x64
Дотоод модулийн банкууд	8
Зэрэглэл	2
Өгөгдлийн чипийн найрлага (Гүн × Битийн зохион байгуулалт × ширхэг)	128М × 8 × 16ш (K4T1G084QQ × 16ш)
Багц	60Хар тугалгагүй, галогенгүй FBGA (RoHS нийцтэй)
Өндөр	30мм
VDD хүчдэл	1.8V ± 0.1V
Үйлдлийн хайрцагны температурын хүрээ	0°C ~ 95 °C

Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, жинхэнэ бус RAM)

DeviceLog.com — Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000

Бүтээгдэхүүний нэр : Samsung DDR SDRAM 512MM PC3200 PC3200 (Жинхэнэ эсрэг хэв маяг)
Хэсгийн дугаар : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
Үйлдвэрлэгч : Samsung Electronics (Дотуур тоо)
Үйлдвэрлэсэн улс : Өмнөд Солонгос
Жил / Долоо хоног : 2003/33
Өгөгдлийн багтаамж : 512МБ
Төгсөх хурд : 400МГц (PC3200)
Онцлогууд : 184зүү, ECC DDR SDRAM DIMM
Өгөгдлийн чипийн найрлага : [Sec K4H560838E-TCCC] Ий 8 чипс
Аюулгүй Баль : 4 банк
Сэргээх интервал : 7.8малтмал (8K / 64Ms сэргээж байна)
НЭВТРҮҮЛЭХ УУ : 3 цаг (CL3)
Тэсрэлт урт : 2, 4, 8
Тэсрэлт төрөлт : дараалал & хоорондох
Хамгийн их тэсрэлт шинэчлэх мөчлөг : 8
Хоёрын этгий, Vddq : 2.6V ± 0.1V

eKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8)

DeviceLog.com — Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000

Бүтээгдэхүүний нэр : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0
Үйлдвэрлэгч : EK санах ой
Үйлдвэрлэсэн улс : Өмнөд Солонгос
Өгөгдлийн багтаамж : 2GB
Төгсөх хурд : 1333МГц (PC3-10600)
Онцлогууд : 240зүү, ECC DERC DDR3 SDRAM DIMM
Өгөгдлийн чипийн найрлага : [EKM324L28BPP8-13] Ий 16 чипс
Vdd хүчдэл : 1.5В
Нүүр хуудас : htttp://www.ekmmemory.com/bbs/view.php.php?id = dram&Үгүй = 91

Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8, Солонгос)

DeviceLog.com — Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000

Бүтээгдэхүүний нэр	Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 санах ой (2Rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
Үйлдвэрлэгч	Samsung Electronics (Дотуур тоо)
Үйлдвэрлэсэн улс	Өмнөд Солонгос
Жил / Долоо хоног	2011/31
Өгөгдлийн багтаамж	4GB
Төгсөх хурд	1333МГц (PC3-10600)
Санах ойн цаг	CL=9, TRCD = 9, tRP=9
Онцлогууд	240зүү, ECC DERC DDR3 SDRAM DIMM
Өгөгдлийн бит	x64
Гүн / Их бие нь	512М / X8
Дотоод модулийн банкууд	8
Зэрэглэл	2
Өгөгдлийн чипийн найрлага	[SEC HCH9 K4B2G0846D] Ий 16 чипс (256Мбит ✕ 8 Ий 16 ширхэг)
Бүрэлдэхүүн хэсэгчилсэн найруулга	4therr
Багц	FBGA (Хар тугалга үнэгүй & Галогенгүй)
Өндөр	30мм
Vdd хүчдэл	1.5В
Үйлдлийн хайрцагны температурын хүрээ	0° C ~ 85 ° C

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800)

DeviceLog.com — Thu, 25 Oct 2012 01:49:42 +0000

A-өгөгдөл vitesta ddr600 VIESTA VIESTA санах ой, DDR SDRAM санах ойн модулиуд дээр, Samsung TCCD санах ойтой хамт эхний 600MHZ цагийн хурдтай For. A-Data Viesta-ийн өгөгдлийн хүчин чадал 512MB эсвэл 256MB байв. It was mostly used for ovcrclocking.

Бүтээгдэхүүний нэр
- A-DATA Vitesta DDR600 512MB
Хэсгийн дугаар
- MDOSSLF3H47A0B1G0Z
Үйлдвэрлэгч
- А-ДАТА
Үйлдвэрлэсэн улс
- Тайвань
Жилийн жил барих
- 2004
Онцлогууд
- 184зүү
- Буфергүй ECC бус DDR SDRAM
Өгөгдлийн багтаамж
- 512МБ
Төгсөх хурд
- 600МГц (PC4800)
Хүчдэл
- 2.8±0.1V
Чипний найрлага
- Samsung TCCD 16 чипс
ПХБ-ийн өндөр
- 31.75мм, 6 давхаргууд
Үйлдлийн хайрцагны температурын хүрээ
- 0~95℃
Модуль банк
- 2 физик банк

ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

DeviceLog.com — Fri, 09 Mar 2012 07:39:10 +0000

Бүтээгдэхүүний нэр : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1
Хэсгийн дугаар : EBJ21UE8BFU0-DJ-F
Үйлдвэрлэгч : ELPIDA
Үйлдвэрлэсэн улс : Тайвань
Барилгын жил/долоо хоног : 2010/38
Form Factor : DDR3 SO-DIMM
Онцлогууд : 204зүү, Ec-eCc биш
Санах ойн багтаамж : 2GB
Өгөгдлийн дээд хурд : 1333Mbps
Хүчдэл : 1.5В
Зохион байгуулалт : 256М үг × 64 битүүд, 2 зэрэглэл
Чипний найрлага : J1108BFBG-DJ-F × 16
Хоцролт (CL-tRCD-tRP) : 9-9-9
ПХБ-ийн өндөр : 30мм
Үйлдлийн хайрцагны температурын хүрээ : 0~95℃