Санах ой – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/mn/ device, part, техникийн үзүүлэлт Thu, 01 Dec 2022 23:32:55 +0000 mn hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/#respond Wed, 20 Jul 2022 09:33:56 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1358-mn Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0) backside

  • Бүтээгдэхүүний нэр : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66
  • Хэсгийн дугаар : KMM366S203CTL-G0
  • Үйлдвэрлэгч : Samsung Elcerconics Co., Ltd. (Дотуур тоо)
  • Үйлдвэрлэсэн улс : Өмнөд Солонгос
  • Жил / Долоо хоног : 1998/09
  • Өгөгдлийн багтаамж : 16МБ
  • Төгсөх хурд : 66МГц (PC66)
  • Онцлогууд : 168 зүү, ECC SDRAM SDRAM DIMM
  • Өгөгдлийн чипийн найрлага : [KM48S2020999c] × 8 чипс
    (2M × 64bit)
  • Нэг чипийн мэдээлэл
    • KM48S2020999c (UQK218EM эсвэл UQL004DD)
    • Санах ойн IC төрөл : Синхрон DRAM
    • Хүчин чадал : 2M x 8bit
    • Хандалтын хугацаа-Макс : 7 ns
    • Interleaved Burst Length: 1, 2, 4, 8
    • Цагийн давтамж-Макс (fCLK) : 100 МГц
    • 44 зүү
    • Жил / Долоо хоног : 1998/07
  • Хоёрын этгий : 3.3В
  • гэх мэт : 366S203BTL, AD1055-00, SMB2 94V-0
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/feed/ 0 LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S) https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/#respond Fri, 15 Jul 2022 08:54:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1350-mn LG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM GMM2642233BLTG-10K 7101SLG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM 168pin DIMM

  • Бүтээгдэхүүний нэр : LG SDRAM 16MB PC66
  • Хэсгийн дугаар : GMM2642233BLTG-10K 7101S
  • Үйлдвэрлэгч : LG Semicon Co., Ltd.
  • Үйлдвэрлэсэн улс : Өмнөд Солонгос
  • Жил / Долоо хоног : 1997/03
  • Өгөгдлийн багтаамж : 16МБ
  • Төгсөх хурд : 66МГц (PC66)
  • Онцлогууд : 168зүү, ECC SDRAM SDRAM DIMM
  • Өгөгдлийн чипийн найрлага : [GM72V16821BT10K] × 8 чипс
    (2M × 64bit)
  • Нэг чипийн багтаамж : 2M x 8bit
  • Хоёрын этгий : 3.3В
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/feed/ 0 LG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/#comments Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1336-mn LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM backside

  • Үйлдвэрлэгч : LG Semicon Co., Ltd.
  • Үйлдвэрлэсэн улс : Өмнөд Солонгос
  • Хэсгийн дугаар : ?
  • Form Factor : SIMM
  • Онцлогууд : 72зүү, EDO DRAM, Паритет бус
  • Санах ойн багтаамж : 16МБ
  • Дамжуулах зурвасын өргөн : 32жаахан
  • Хурд : 60ns(tRAC)
  • Хүчдэл : 5В
  • Чипний найрлага : GM71C17400CJ6 × 8
  • Чип бүтээх жил/долоо хоног : 1998/27
  • Нэг чипийн багтаамж : 4M x 4 бит
  • гэх мэт : Addonics®, SD816
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/feed/ 1 EK санах ой 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-mn EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

Бүтээгдэхүүний нэр EK санах ой 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
Хэсгийн дугаар EKM256S74BP8-E6
Үйлдвэрлэгч EK санах ой
Үйлдвэрлэгч улс Тайвань
Чип бүтээх жил/долоо хоног 2008/27
Санах ойн модулийн төрөл DDR2 SO-DIMM 200 зүү
Өгөгдлийн багтаамж 2GB
Цагийн хурд 667МГц (PC2-5300)
Санах ойн цаг CL=5, TRCD = 5, tRP=5
Онцлогууд 200зүү
Буфергүй
Ec-eCc биш
Тэмдэглэлийн дэвтэр(ЗөөвЖ)) Санах ой
Өгөгдлийн битүүд x64
Өгөгдлийн чипийн мэдээлэл EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
Багц FBGA (Нарийн давтамжтай BGA)
VDD хүчдэл 1.8В

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-mn SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

Бүтээгдэхүүний нэр Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
Хэсгийн дугаар M378A2K43CB1-CTD
(C-үхэх)
Үйлдвэрлэгч Samsung Electronics
Үйлдвэрлэгч улс Хятад
Барилгын жил/долоо хоног 2019 / 06
DIMM төрөл UDIMM
Өгөгдлийн багтаамж 16GB
Өгөгдлийн хурд
(Хамгийн их зурвасын өргөн)		 2666.67 MT/s
(21333.33 МБ/с)
Санах ойн цаг
(CL – tRCD – tRP – дараа – tRC)		 19-19-19-43-61
Онцлогууд 288зүү, ECC бус DDR4 SDRAM DIMM буфер
Өгөгдлийн битүүд x64
Дотоод модулийн банкууд 16 Банкууд (4 Банкны бүлгүүд)
Зэрэглэл 2 (Хос зэрэглэл)
Бүрэлдэхүүн хэсгүүдийн найрлага (1G × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
Багц 78Хар тугалгагүй FBGA & Галогенгүй
(RoHS нийцтэй)
Өндөр 31.25 мм
VDD хүчдэл 1.2 V ± 0.06 В
Үйлдлийн хайрцагны температурын хүрээ Дундаж сэргээх хугацаа T-ээс бага 7.8us байнаCASE 85℃,
3.9Бид 85 хэмд < ТCASE ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-mn SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

Бүтээгдэхүүний нэр Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
Хэсгийн дугаар M378A1K43CB2-CTD
(C-үхэх)
Үйлдвэрлэгч Samsung Electronics
Үйлдвэрлэгч улс Хятад
Барилгын жил/долоо хоног 2018 / 28
DIMM төрөл UDIMM
Өгөгдлийн багтаамж 8GB
Өгөгдлийн хурд
(Хамгийн их зурвасын өргөн)		 2666.67 MT/s
(21333.33 МБ/с)
Санах ойн цаг
(CL – tRCD – tRP – дараа – tRC)		 19-19-19-43-61
Онцлогууд 288зүү, ECC бус DDR4 SDRAM DIMM буфер
Өгөгдлийн битүүд x64
Дотоод модулийн банкууд 16 Банкууд (4 Банкны бүлгүүд)
Зэрэглэл 1 (Ганц зэрэглэл)
Бүрэлдэхүүн хэсгүүдийн найрлага (1G × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
Багц 78Хар тугалгагүй FBGA & Галогенгүй
(RoHS нийцтэй)
Өндөр 30мм
VDD хүчдэл 1.2V ± 0.06 В
Үйлдлийн хайрцагны температурын хүрээ Дундаж сэргээх хугацаа T-ээс бага 7.8us байнаCASE 85℃,
3.9Бид 85 хэмд < ТCASE ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/#respond Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1116-mn Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

Бүтээгдэхүүний нэр Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400
Хэсгийн дугаар M378T5663QZ3-CF7
Үйлдвэрлэгч Samsung Electronics
Үйлдвэрлэгч улс Хятад
Барилгын жил/долоо хоног 2009/04, 2010/07
Санах ойн модулийн төрөл DIMM
Өгөгдлийн багтаамж 2GB
Цагийн хурд 800МГц (PC2-6400)
Санах ойн цаг CL=6, tRCD=6, tRP=6
Онцлогууд 240зүү, ECC бус DDR2 SDRAM DIMM буфер
Өгөгдлийн битүүд x64
Дотоод модулийн банкууд 8
Зэрэглэл 2
Өгөгдлийн чипийн найрлага
(Гүн × Битийн зохион байгуулалт × ширхэг)		 128М × 8 × 16ш
(K4T1G084QQ × 16ш)
Багц 60Хар тугалгагүй, галогенгүй FBGA
(RoHS нийцтэй)
Өндөр 30мм
VDD хүчдэл 1.8V ± 0.1V
Үйлдлийн хайрцагны температурын хүрээ 0°C ~ 95 °C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/feed/ 0 Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R × 8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-mn Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

Бүтээгдэхүүний нэр Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
Үйлдвэрлэгч Samsung Electronics
Үйлдвэрлэсэн улс Филиппин
Жил / Долоо хоног 2014/08
Өгөгдлийн багтаамж 8GB
Төгсөх хурд 1600МГц (PC3-12800)
Санах ойн цаг CL=11, TRCD = 11, tRP=11
Онцлогууд 240зүү, ECC DERC DDR3 SDRAM DIMM
Үйлдвэрлэлийн үйл ажиллагааны технологи 20, 30, 40нм
Өгөгдлийн бит x64
Дотоод модулийн банкууд 8
Зэрэглэл 2
Өгөгдлийн чипийн найрлага
(Гүн × Битийн зохион байгуулалт × ширхэг)		 512М × 8 × 16 ширхэг
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 ширхэг)
Багц
78 FBGA Хар тугалгагүй & Галогенгүй
(RoHS нийцтэй)
Өндөр 30мм
Vdd хүчдэл 1.5V ± 0.075 В
Үйлдлийн хайрцагны температурын хүрээ 0°C ~ 95 °C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-mn M368L6423DTM нь 32м хагас x юм 64 Бүртгүүлэх үнэ(DDR) SDRAM STARD SENTION SENDION-д 256MB DDR SDRAM-д суурилсан. M368L6423DTM нь арван зургаан CMOS-ээс бүрдсэн 32м x-ээс бүрдэнэ 8 66PIN TSOP-II-д 4BANKS DEATE READ SATE SDRAMS SDRAMS-тэй хамт(400тамир) 184PIN шилэн шилэн-эпо-эпокси субстрат дээр суурилуулсан багцууд. DDR SDRAM бүрийн хувьд хэвлэмэл хэлхээний самбар дээр 4 0.1 uF салгах конденсаторыг зэрэгцээ суурилуулсан.. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Бүтээгдэхүүний нэр Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Үйлдвэрлэгч Samsung Electronics
Үйлдвэрлэсэн улс Солонгос
Жил / Долоо хоног 2003/12
Өгөгдлийн багтаамж 512МБ
Төгсөх хурд 166МГц (PC2700, DDR333)
Санах ойн цаг CL=2.5
Онцлогууд 184зүү, DIMM, Буфергүй ECC бус DDR SDRAM
Хэмжээ 133.35мм × 31.75мм
Өгөгдлийн бит 64жаахан
Дотоод модулийн банкууд 4
Өгөгдлийн чипийн найрлага K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8bit × 16 чип)
Багц TSOP-II
Vdd хүчдэл 2.5V ± 0.2V
Үйлдлийн хайрцагны температурын хүрээ 0° C ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/mn/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-mn Samsung Electronics 7-р сард 30 нм процессын технологийг ашиглан DDR3 SDRAM модулиудыг гаргасан 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

Бүтээгдэхүүний нэр Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
Үйлдвэрлэгч Samsung Electronics (Дотуур тоо)
Үйлдвэрлэсэн улс Хятад
Жил / Долоо хоног 2011/13
Өгөгдлийн багтаамж 4GB
Төгсөх хурд 1333МГц (PC3-10600)
Санах ойн цаг CL=9, TRCD = 9, tRP=9
Онцлогууд 204зүү, SODIMM, ECC бус DDR3 SDRAM-г задлах
Үйлдвэрлэлийн үйл ажиллагааны технологи 40нм
Өгөгдлийн бит x64
Дотоод модулийн банкууд 8
Зэрэглэл 2
Өгөгдлийн чипийн найрлага 256М х 8 * 16 ширхэг
Бүрэлдэхүүн хэсэгчилсэн найруулга 2Гб, C-үхэх
Багц 78 бөмбөг FBGA
Өндөр 30мм
Vdd хүчдэл 1.5В
Үйлдлийн хайрцагны температурын хүрээ 0° C ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3