മെമ്മറി – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/ml/ device, part, സ്പെസിഫിക്കേഷൻ Thu, 01 Dec 2022 23:32:55 +0000 ml hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/ https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/#respond Wed, 20 Jul 2022 09:33:56 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1358-ml Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0) backside

  • ഉത്പന്നത്തിന്റെ പേര് : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66
  • ഭാഗം നമ്പർ : KMM366S203CTL-G0
  • നിർമ്മാതാവ് : സാംസങ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് കമ്പനി., ലിമിറ്റഡ്. (എസ്.ഇ.സി)
  • നിർമ്മാണ രാജ്യം : ദക്ഷിണ കൊറിയ
  • വർഷം/ആഴ്ച നിർമ്മിക്കുക : 1998/09
  • ഡാറ്റ ശേഷി : 16എം.ബി
  • ക്ലോക്ക് വേഗത : 66Mhz (PC66)
  • ഫീച്ചറുകൾ : 168 പിൻ, ബഫർ ചെയ്യാത്ത നോൺ-ഇസിസി SDRAM DIMM
  • ഡാറ്റ ചിപ്പ് ഘടന : [KM48S2020CT-G10] × 8 ചിപ്സ്
    (2എം × 64 ബിറ്റ്)
  • ഒരു ചിപ്പ് വിവരം
    • KM48S2020CT-G10 (UQK218EM അല്ലെങ്കിൽ UQL004DD)
    • മെമ്മറി ഐസി തരം : സിൻക്രണസ് DRAM
    • ശേഷി : 2എം x 8 ബിറ്റ്
    • ആക്സസ് സമയം-പരമാവധി : 7 ns
    • ഇൻ്റർലീവ്ഡ് ബർസ്റ്റ് ദൈർഘ്യം: 1, 2, 4, 8
    • ക്ലോക്ക് ഫ്രീക്വൻസി-പരമാവധി (fCLK) : 100 MHZ
    • 44 പിൻ
    • വർഷം/ആഴ്ച നിർമ്മിക്കുക : 1998/07
  • വി.ഡി.ഡി : 3.3വി
  • ETC : 366S203BTL, AD1055-00, SMB2 94V-0
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/feed/ 0 LG സെമിക്കോൺ 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S) https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/ https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/#respond Fri, 15 Jul 2022 08:54:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1350-ml LG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM GMM2642233BLTG-10K 7101SLG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM 168pin DIMM

  • ഉത്പന്നത്തിന്റെ പേര് : LG SDRAM 16MB PC66
  • ഭാഗം നമ്പർ : GMM2642233BLTG-10K 7101S
  • നിർമ്മാതാവ് : LG സെമിക്കോൺ കമ്പനി, Ltd.
  • നിർമ്മാണ രാജ്യം : ദക്ഷിണ കൊറിയ
  • വർഷം/ആഴ്ച നിർമ്മിക്കുക : 1997/03
  • ഡാറ്റ ശേഷി : 16എം.ബി
  • ക്ലോക്ക് വേഗത : 66Mhz (PC66)
  • ഫീച്ചറുകൾ : 168പിൻ, ബഫർ ചെയ്യാത്ത നോൺ-ഇസിസി SDRAM DIMM
  • ഡാറ്റ ചിപ്പ് ഘടന : [GM72V16821BT10K] × 8 ചിപ്സ്
    (2എം × 64 ബിറ്റ്)
  • ഒരു ചിപ്പ് ശേഷി : 2എം x 8 ബിറ്റ്
  • വി.ഡി.ഡി : 3.3വി
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/feed/ 0 LG സെമിക്കോൺ 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/ https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/#comments Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1336-ml LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM backside

  • നിർമ്മാതാവ് : LG സെമിക്കോൺ കമ്പനി, Ltd.
  • നിർമ്മാണ രാജ്യം : ദക്ഷിണ കൊറിയ
  • ഭാഗം നമ്പർ : ?
  • ഫോം ഫാക്ടർ : SIMM
  • ഫീച്ചറുകൾ : 72പിൻ, EDO ഡ്രാം, നോൺ-പാരിറ്റി
  • മെമ്മറി കപ്പാസിറ്റി : 16എം.ബി
  • ബാൻഡ്വിഡ്ത്ത് : 32ബിറ്റ്
  • വേഗത : 60ns(TRAC)
  • വോൾട്ടേജ് : 5വി
  • ചിപ്പ് കോമ്പോസിഷൻ : GM71C17400CJ6 × 8
  • ചിപ്പ് ബിൽഡ് വർഷം/ആഴ്ച : 1998/27
  • ഒരു ചിപ്പ് ശേഷി : 4M x 4bit
  • മുതലായവ : അഡോണിക്സ്®, SD816
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/feed/ 1 EK മെമ്മറി 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-ml EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

ഉത്പന്നത്തിന്റെ പേര് EK മെമ്മറി 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
ഭാഗം നമ്പർ EKM256S74BP8-E6
നിർമ്മാതാവ് ഇ കെ മെമ്മറി
നിർമ്മാണ രാജ്യം തായ്‌വാൻ
ചിപ്പ് ബിൽഡ് വർഷം/ആഴ്ച 2008/27
മെമ്മറി മൊഡ്യൂൾ തരം DDR2 SO-DIMM 200 പിൻ
ഡാറ്റ ശേഷി 2ജിബി
ക്ലോക്ക് സ്പീഡ് 667Mhz (PC2-5300)
മെമ്മറി ടൈമിംഗ് CL=5, tRCD=5, tRP=5
ഫീച്ചറുകൾ 200പിൻ
ബഫർ ചെയ്യാത്തത്
നോൺ-ഇസിസി
നോട്ടുബുക്ക്(ലാപ്ടോപ്പ്) മെമ്മറി
ഡാറ്റ ബിറ്റുകൾ x64
ഡാറ്റ ചിപ്പ് വിവരം EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
പാക്കേജ് FBGA (ഫൈൻ പിച്ച് BGA)
VDD വോൾട്ടേജ് 1.8വി

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-ml SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

ഉത്പന്നത്തിന്റെ പേര് Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
ഭാഗം നമ്പർ M378A2K43CB1-CTD
(സി-ദി)
നിർമ്മാതാവ് സാംസങ് ഇലക്ട്രോണിക്സ്
നിർമ്മാണ രാജ്യം ചൈന
ബിൽഡ് വർഷം/ആഴ്ച 2019 / 06
DIMM തരം UDIMM-കൾ
ഡാറ്റ ശേഷി 16ജിബി
ഡാറ്റ നിരക്ക്
(പരമാവധി ബാൻഡ്‌വിഡ്ത്ത്)		 2666.67 Mt / s
(21333.33 MB/s)
മെമ്മറി ടൈമിംഗ്
(CL – ടിആർസിഡി – ടിആർപി – ശേഷം – ടിആർസി)		 19-19-19-43-61
ഫീച്ചറുകൾ 288പിൻ, നോൺ-ഇസിസി DDR4 SDRAM DIMM അൺബഫർ ചെയ്യുക
ഡാറ്റ ബിറ്റുകൾ x64
ആന്തരിക മൊഡ്യൂൾ ബാങ്കുകൾ 16 ബാങ്കുകൾ (4 ബാങ്ക് ഗ്രൂപ്പുകൾ)
റാങ്കുകൾ 2 (ഇരട്ട റാങ്ക്)
ഘടക ഘടന (1ജി × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
പാക്കേജ് 78ലീഡ്-ഫ്രീ ഉള്ള FBGA & ഹാലൊജൻ രഹിത
(RoHS കംപ്ലയിൻ്റ്)
ഉയരം 31.25 മി.മീ
VDD വോൾട്ടേജ് 1.2 വി ± 0.06 വി
ഓപ്പറേറ്റിംഗ് കേസ് താപനില പരിധി ശരാശരി പുതുക്കൽ കാലയളവ് 7.8us താഴെ Tകേസ് 85℃,
3.9ഞങ്ങൾക്ക് 85℃ < ടികേസ് ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-ml SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

ഉത്പന്നത്തിന്റെ പേര് Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
ഭാഗം നമ്പർ M378A1K43CB2-CTD
(സി-ദി)
നിർമ്മാതാവ് സാംസങ് ഇലക്ട്രോണിക്സ്
നിർമ്മാണ രാജ്യം ചൈന
ബിൽഡ് വർഷം/ആഴ്ച 2018 / 28
DIMM തരം UDIMM-കൾ
ഡാറ്റ ശേഷി 8ജിബി
ഡാറ്റ നിരക്ക്
(പരമാവധി ബാൻഡ്‌വിഡ്ത്ത്)		 2666.67 Mt / s
(21333.33 MB/s)
മെമ്മറി ടൈമിംഗ്
(CL – ടിആർസിഡി – ടിആർപി – ശേഷം – ടിആർസി)		 19-19-19-43-61
ഫീച്ചറുകൾ 288പിൻ, നോൺ-ഇസിസി DDR4 SDRAM DIMM അൺബഫർ ചെയ്യുക
ഡാറ്റ ബിറ്റുകൾ x64
ആന്തരിക മൊഡ്യൂൾ ബാങ്കുകൾ 16 ബാങ്കുകൾ (4 ബാങ്ക് ഗ്രൂപ്പുകൾ)
റാങ്കുകൾ 1 (സിംഗിൾ റാങ്ക്)
ഘടക ഘടന (1ജി × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
പാക്കേജ് 78ലീഡ്-ഫ്രീ ഉള്ള FBGA & ഹാലൊജൻ രഹിത
(RoHS കംപ്ലയിൻ്റ്)
ഉയരം 30മി.മീ
VDD വോൾട്ടേജ് 1.2V ± 0.06V
ഓപ്പറേറ്റിംഗ് കേസ് താപനില പരിധി ശരാശരി പുതുക്കൽ കാലയളവ് 7.8us താഴെ Tകേസ് 85℃,
3.9ഞങ്ങൾക്ക് 85℃ < ടികേസ് ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/ https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/#respond Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1116-ml Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

ഉത്പന്നത്തിന്റെ പേര് Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400
ഭാഗം നമ്പർ M378T5663QZ3-CF7
നിർമ്മാതാവ് സാംസങ് ഇലക്ട്രോണിക്സ്
നിർമ്മാണ രാജ്യം ചൈന
ബിൽഡ് വർഷം/ആഴ്ച 2009/04, 2010/07
മെമ്മറി മൊഡ്യൂൾ തരം ഡിഐഎംഎം
ഡാറ്റ ശേഷി 2ജിബി
ക്ലോക്ക് സ്പീഡ് 800Mhz (PC2-6400)
മെമ്മറി ടൈമിംഗ് CL=6, tRCD=6, tRP=6
ഫീച്ചറുകൾ 240പിൻ, ബഫർ ചെയ്യാത്ത നോൺ-ഇസിസി DDR2 SDRAM DIMM
ഡാറ്റ ബിറ്റുകൾ x64
ആന്തരിക മൊഡ്യൂൾ ബാങ്കുകൾ 8
റാങ്കുകൾ 2
ഡാറ്റ ചിപ്പ് കോമ്പോസിഷൻ
(ഡെപ്ത് × ബിറ്റ് ഓർഗനൈസേഷൻ × പിസികൾ)		 128എം × 8 × 16pcs
(K4T1G084QQ × 16pcs)
പാക്കേജ് 60ലെഡ്-ഫ്രീ, ഹാലൊജൻ-ഫ്രീ എന്നിവയുള്ള FBGA
(RoHS കംപ്ലയിൻ്റ്)
ഉയരം 30മി.മീ
VDD വോൾട്ടേജ് 1.8V± 0.1V
ഓപ്പറേറ്റിംഗ് കേസ് താപനില പരിധി 0°C ~ 95°C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/feed/ 0 Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R×8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-ml Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

ഉത്പന്നത്തിന്റെ പേര് Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
നിർമ്മാതാവ് സാംസങ് ഇലക്ട്രോണിക്സ്
നിർമ്മാണ രാജ്യം ഫിലിപ്പീൻസ്
വർഷം/ആഴ്ച നിർമ്മിക്കുക 2014/08
ഡാറ്റ ശേഷി 8ജിബി
ക്ലോക്ക് വേഗത 1600Mhz (PC3-12800)
മെമ്മറി ടൈമിംഗ് CL=11, tRCD=11, tRP=11
ഫീച്ചറുകൾ 240പിൻ, നോൺ-ഇസിസി DDR3 SDRAM DIMM അൺബഫർ ചെയ്യുക
ഉൽപാദന പ്രക്രിയയുടെ സാങ്കേതികവിദ്യ 20, 30, 40എൻഎം
ഡാറ്റ ബിറ്റുകൾ x64
ആന്തരിക മൊഡ്യൂൾ ബാങ്കുകൾ 8
റാങ്കുകൾ 2
ഡാറ്റ ചിപ്പ് ഘടന
(ഡെപ്ത് × ബിറ്റ് ഓർഗനൈസേഷൻ × പിസികൾ)		 512M×8 × 16 pcs
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 pcs)
പാക്കേജ്
78 FBGA ലീഡ്-ഫ്രീ ഉപയോഗിച്ച് & ഹാലൊജൻ രഹിത
(RoHS കംപ്ലയിൻ്റ്)
ഉയരം 30മി.മീ
VDD വോൾട്ടേജ് 1.5V ± 0.075V
ഓപ്പറേറ്റിംഗ് കേസ് താപനില പരിധി 0°C ~ 95°C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-ml M368L6423DTM 32M ബിറ്റ് x ആണ് 64 ഇരട്ട ഡാറ്റ നിരക്ക്(DDR) യഥാക്രമം 256Mb DDR SDRAM-ൻ്റെ അഞ്ചാം തലമുറയെ അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള SDRAM ഉയർന്ന സാന്ദ്രത മെമ്മറി മൊഡ്യൂൾ. M368L6423DTM-ൽ പതിനാറ് CMOS 32M x അടങ്ങിയിരിക്കുന്നു 8 66പിൻ TSOP-II-ൽ 4ബാങ്കുകളുള്ള ബിറ്റ് ഇരട്ട ഡാറ്റാ നിരക്ക് SDRAM-കൾ(400മിൽ) പാക്കേജുകൾ 184 പിൻ ഗ്ലാസ്-എപ്പോക്സി സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിൽ ഘടിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു. ഓരോ DDR SDRAM-നും സമാന്തരമായി പ്രിൻ്റഡ് സർക്യൂട്ട് ബോർഡിൽ നാല് 0.1uF ഡീകൂപ്ലിംഗ് കപ്പാസിറ്ററുകൾ ഘടിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു.. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

ഉത്പന്നത്തിന്റെ പേര് Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
നിർമ്മാതാവ് സാംസങ് ഇലക്ട്രോണിക്സ്
നിർമ്മാണ രാജ്യം കൊറിയ
വർഷം/ആഴ്ച നിർമ്മിക്കുക 2003/12
ഡാറ്റ ശേഷി 512എം.ബി
ക്ലോക്ക് വേഗത 166Mhz (PC2700, DDR333)
മെമ്മറി ടൈമിംഗ് CL=2.5
ഫീച്ചറുകൾ 184പിൻ, ഡിഐഎംഎം, നോൺ-ഇസിസി DDR SDRAM അൺബഫർ ചെയ്യുക
വലിപ്പം 133.35mm × 31.75mm
ഡാറ്റ ബിറ്റുകൾ 64ബിറ്റ്
ആന്തരിക മൊഡ്യൂൾ ബാങ്കുകൾ 4
ഡാറ്റ ചിപ്പ് ഘടന K4H560838D-TCB3 × 16
(32എം × 8 ബിറ്റ് × 16 ചിപ്പുകൾ)
പാക്കേജ് TSOP-II
VDD വോൾട്ടേജ് 2.5V± 0.2V
ഓപ്പറേറ്റിംഗ് കേസ് താപനില പരിധി 0°C ~ 85°C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/ml/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-ml സാംസങ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് ജൂലൈയിൽ 30nm പ്രോസസ്സ് സാങ്കേതികവിദ്യ ഉപയോഗിച്ച് DDR3 SDRAM മൊഡ്യൂളുകൾ പുറത്തിറക്കി. 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

ഉത്പന്നത്തിന്റെ പേര് Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
നിർമ്മാതാവ് സാംസങ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് (എസ്.ഇ.സി)
നിർമ്മാണ രാജ്യം ചൈന
വർഷം/ആഴ്ച നിർമ്മിക്കുക 2011/13
ഡാറ്റ ശേഷി 4ജിബി
ക്ലോക്ക് വേഗത 1333Mhz (PC3-10600)
മെമ്മറി ടൈമിംഗ് CL=9, tRCD=9, tRP=9
ഫീച്ചറുകൾ 204പിൻ, SODIMM, നോൺ-ഇസിസി DDR3 SDRAM അൺബഫർ ചെയ്യുക
ഉൽപാദന പ്രക്രിയയുടെ സാങ്കേതികവിദ്യ 40എൻഎം
ഡാറ്റ ബിറ്റുകൾ x64
ആന്തരിക മൊഡ്യൂൾ ബാങ്കുകൾ 8
റാങ്കുകൾ 2
ഡാറ്റ ചിപ്പ് ഘടന 256എം എക്സ് 8 * 16 pcs
ഘടകം പുനരവലോകനം 2ജിബി, സി-ദി
പാക്കേജ് 78 പന്ത് FBGA
ഉയരം 30മി.മീ
VDD വോൾട്ടേജ് 1.5വി
ഓപ്പറേറ്റിംഗ് കേസ് താപനില പരിധി 0°C ~ 85°C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3