ДИММ – УредиLog.com https://www.devicelog.com/mk/ device, part, спец Thu, 01 Dec 2022 23:32:55 +0000 mk hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/ https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/#respond Wed, 20 Jul 2022 09:33:56 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1358-mk Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0) backside

  • Име на производот : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66
  • Број на дел : KMM366S203CTL-G0
  • Производител : Самсунг Електроникс Ко., Рибар. (ДИК)
  • Земја на производство : Јужна Кореа
  • Изградба година/недела : 1998/09
  • Капацитет на податоците : 16МБ
  • Брзина на часовникот : 66Мхз (PC66)
  • Карактеристики : 168 пин, Небаферирана не-ECC SDRAM DIMM
  • Состав на чип на податоци : [KM48S2020CT-G10] × 8 чипови
    (2М × 64 бита)
  • Информации за еден чип
    • KM48S2020CT-G10 (UQK218EM или UQL004DD)
    • Тип на IC на меморијата : Синхрона DRAM
    • Капацитет : 2М x 8 бита
    • Пристап до време-Max : 7 нс
    • Должина на испреплетени рафали: 1, 2, 4, 8
    • Фреквенција на часовник-Max (fCLK) : 100 MHz
    • 44 пин
    • Изградба година/недела : 1998/07
  • ВДД : 3.3V
  • ИТН : 366S203BTL, АД1055-00, SMB2 94V-0
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/feed/ 0 LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S) https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/ https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/#respond Fri, 15 Jul 2022 08:54:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1350-mk LG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM GMM2642233BLTG-10K 7101SLG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM 168pin DIMM

  • Име на производот : LG SDRAM 16MB PC66
  • Број на дел : GMM2642233BLTG-10K 7101S
  • Производител : LG Semicon Co., Ltd.
  • Земја на производство : Јужна Кореа
  • Изградба година/недела : 1997/03
  • Капацитет на податоците : 16МБ
  • Брзина на часовникот : 66Мхз (PC66)
  • Карактеристики : 168пин, Небаферирана не-ECC SDRAM DIMM
  • Состав на чип на податоци : [GM72V16821BT10K] × 8 чипови
    (2М × 64 бита)
  • Капацитет на еден чип : 2М x 8 бита
  • ВДД : 3.3V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/feed/ 0 Samsung 16 GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-mk SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

Име на производ Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
Број на дел M378A2K43CB1-CTD
(Ц-на)
Производител Samsung Electronics
Земја на производство Кина
Изградба на година / недела 2019 / 06
Тип DIMM УДИММ
Капацитет на податоците 16GB
Стапка на податоци
(Ширина на опсег на Макс)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
Тајминг на меморијата
(КЛ – tRCD – tRP – после – tRC)		 19-19-19-43-61
Карактеристики 288пин, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Битови на податоци x64
Внатрешни модули банки 16 Банки (4 Групи на банка)
Редови 2 (Двоен ранг)
Состав на компонентата (1Г × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
Пакет 78FBGA со без олово & Без халогени
(RoHS е во согласност)
Висина 31.25 мм
VDD напон 1.2 V ± 0.06 V
Опсег на температурен случај во случај на работа Просечен период на освежување 7,8us на понизок од TСЛУЧАЈ 85℃,
3.9нас на 85 < ТСЛУЧАЈ ≤ 95

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 Samsung 8 GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-mk SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

Име на производ Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
Број на дел M378A1K43CB2-CTD
(Ц-на)
Производител Samsung Electronics
Земја на производство Кина
Изградба на година / недела 2018 / 28
Тип DIMM УДИММ
Капацитет на податоците 8GB
Стапка на податоци
(Ширина на опсег на Макс)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
Тајминг на меморијата
(КЛ – tRCD – tRP – после – tRC)		 19-19-19-43-61
Карактеристики 288пин, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Битови на податоци x64
Внатрешни модули банки 16 Банки (4 Групи на банка)
Редови 1 (Слободен ранг)
Состав на компонентата (1Г × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
Пакет 78FBGA со без олово & Без халогени
(RoHS е во согласност)
Висина 30мм
VDD напон 1.2V ± 0,06V
Опсег на температурен случај во случај на работа Просечен период на освежување 7,8us на понизок од TСЛУЧАЈ 85℃,
3.9нас на 85 < ТСЛУЧАЈ ≤ 95

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 Samsung 2 GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/ https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/#respond Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1116-mk Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

Име на производ Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R × 8 PC2-6400
Број на дел M378T5663QZ3-CF7
Производител Samsung Electronics
Земја на производство Кина
Изградба на година / недела 2009/04, 2010/07
Тип на мемориски модул ДИММ
Капацитет на податоците 2GB
Брзина на часовникот 800Мхз (PC2-6400)
Тајминг на меморијата CL = 6, tRCD = 6, tRP = 6
Карактеристики 240пин, Дебфеферирајте не-ECC DDR2 SDRAM DIMM
Битови на податоци x64
Внатрешни модули банки 8
Редови 2
Состав на чип на податоци
(Длабочина × Организација на бит × парчиња)		 128М 8 × 16 парчиња
(K4T1G084QQ × 16 парчиња)
Пакет 60FBGA со без олово и без халогени
(RoHS е во согласност)
Висина 30мм
VDD напон 1.8V ± 0,1V
Опсег на температурен случај во случај на работа 0° C ~ 95 ° C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/feed/ 0 Samsung 8 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R × 8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-mk Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

Име на производот Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
Производител Samsung Electronics
Земја на производство Филипини
Изградба година/недела 2014/08
Капацитет на податоците 8GB
Брзина на часовникот 1600Мхз (PC3-12800)
Тајминг на меморијата CL=11, tRCD=11, tRP=11
Карактеристики 240пин, Дебфеферирајте не-ECC DDR3 SDRAM DIMM
Технологија на производствениот процес 20, 30, 40нм
Битови за податоци x64
Внатрешни банки на модул 8
Редови 2
Состав на чип на податоци
(Длабочина × Организација на бит × парчиња)		 512М×8 × 16 парчиња
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 парчиња)
Пакет
78 ФБГА со безоловно & Без халогени
(RoHS е во согласност)
Висина 30мм
VDD напон 1.5V ± 0,075 V
Опсег на температурен случај во случај на работа 0° C ~ 95 ° C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-mk M368L6423DTM е 32M бит x 64 Двојна стапка на податоци(ДДР) SDRAM мемориски модул со висока густина заснован на петтата генерација на 256Mb DDR SDRAM, соодветно. M368L6423DTM се состои од шеснаесет CMOS 32M x 8 бит со 4 банки SDRAM двојна стапка на податоци во 66 пински TSOP-II(400илјади) пакувања монтирани на стакло-епоксидна подлога од 184 пинови. На печатеното коло паралелно се монтираат четири кондензатори за одвојување од 0,1 uF за секој DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Име на производот Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Производител Samsung Electronics
Земја на производство Кореја
Изградба година/недела 2003/12
Капацитет на податоците 512МБ
Брзина на часовникот 166Мхз (PC2700, DDR333)
Тајминг на меморијата CL=2,5
Карактеристики 184пин, ДИММ, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM
Големина 133.35mm × 31,75 mm
Битови за податоци 64малку
Внатрешни банки на модул 4
Состав на чип на податоци K4H560838D-TCB3 × 16
(32М × 8 битни × 16 чипови)
Пакет TSOP-II
VDD напон 2.5V ± 0,2V
Опсег на температурен случај во случај на работа 0°C ~ 85 °C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0) https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/sdram/samsung-sdram-32mb-pc66-kmm366s403btn-g0/ https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/sdram/samsung-sdram-32mb-pc66-kmm366s403btn-g0/#comments Thu, 14 Mar 2013 03:50:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=732-mk Samsung SDRAM 32MB PC66 KMM366S403BTN-G0

Samsung SDRAM 32MB PC66 KMM366S403BTN-G0 underside

  • Име на производот : Samsung SDRAM 32MB PC66
  • Број на дел : KMM366S403BTN-G0
  • Производител : Samsung Electronics (ДИК)
  • Земја на производство : Јужна Кореа
  • Изградба година/недела : 1997/33
  • Капацитет на податоците : 32МБ
  • Брзина на часовникот : 66Мхз (PC66)
  • Карактеристики : 168пин, Небаферирана не-ECC SDRAM DIMM
  • Состав на чип на податоци : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 чипови
  • ВДД : 3.3V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-sdram-32mb-pc66-kmm366s403btn-g0/feed/ 1 EKmemory 2 GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/ https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/#comments Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000 https://www.devicelog.com/?p=643-mk EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) frontside

EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) backside

  • Име на производот : EKmemory DDR3 SDRAM 2 GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0
  • Производител : EKmemory
  • Земја на производство : Јужна Кореа
  • Капацитет на податоците : 2GB
  • Брзина на часовникот : 1333Мхз (PC3-10600)
  • Карактеристики : 240пин, Дебфеферирајте не-ECC DDR3 SDRAM DIMM
  • Состав на чип на податоци : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 чипови
  • VDD напон : 1.5V
  • Главна страница : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ид = драма&не = 91

EKmemory_DDR3_2GB_2Rx8_PC3-10600U-9-10-B0_package

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/feed/ 1 Samsung 4 GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8, Кореја) https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-mk Samsung DDR3 SDRAM 4GB Memory DIMM (2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131)

Име на производот Меморија Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600
(2Rx8, PC3-10600U-09-10-А0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
Производител Samsung Electronics (ДИК)
Земја на производство Јужна Кореа
Изградба година/недела 2011/31
Капацитет на податоците 4GB
Брзина на часовникот 1333Мхз (PC3-10600)
Тајминг на меморијата CL=9, tRCD=9, tRP=9
Карактеристики 240пин, Дебфеферирајте не-ECC DDR3 SDRAM DIMM
Битови за податоци x64
Длабочина / Бит организација 512М / x8
Внатрешни банки на модул 8
Редови 2
Состав на чип на податоци [SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 чипови
(256Mbit ✕ 8 ✕ 16 парчиња)
Ревизија на компонентата 4та генерација
Пакет ФБГА (Безоловен & Без халогени)
Висина 30мм
VDD напон 1.5V
Опсег на температурен случај во случај на работа 0°C ~ 85 °C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0