Име на производ SanDisk Ultra 128GB micro SDXC UHS-I картичка со адаптер Име на модел SQUNC-128G-GN6MA Производител SanDisk Земја на производство Кина Фактор на форма microSDXC NAND блиц тип TLC Дозволен напон 2.7 ~ 3.3 V Капацитет на податоци 128 GB (119.052734375 GiB, 121910 Миб, 127,831,900,160 бајти) Основен формат на датотечен систем exFAT Брзо читање: Макс. 80 MB / s (533x) Температурен опсег […]

Име на производ Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400 Број на дел M378T5663QZ3-CF7 Производител Samsung Electronics Земја на производство Кина Година/недела на производство 2009/04, 2010/07 Тип на модул за меморија DIMM Капацитет на податоци 2 GB Брзина на часовник 800 Mhz (PC2-6400) Тајминг на меморија CL=6, tRCD = 6, tRP=6 Карактеристики 240 пински, Одбаферирајте ги битови на податоци кои не се ECC DDR2 SDRAM DIMM x64 внатрешни банки на модулот 8 Редови 2 Податоци […]

Lite-On 56Kbps внатрешен PCI-MODEM за dial-up (Agere Systems Меѓународен Softmodem) Број на модел D-11561#/A1A (4491A-D1156A1A) Производител Lite-On Technology Corp. / Agere Systems Земја на производство Кина интерфејс PCI чипсет Agere Systems SV92PL-T00 – Интегриран PCI интерфејс со 5-V толерантни бафери и поддршка CardBus Напојување • Потребна е помошна шина за напојување од 3,3 V на PCI магистралата • Користи […]

Самсунг Електроникс објави DDR3 SDRAM модули со помош на процесната технологија од 30 nm во јули 2010. Овој модул за RAM меморија е направен со технологија на процес од 40 nm. Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Manufacturer Samsung Electronics (ДИК) Country of manufacture China Build year/week 2011/13 Data Capacity 4GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) Тајминг на меморијата […]

Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Капацитет на податоци 2 GB Брзина на часовник 1333 Mhz (PC3-10600) Се одликува со 240 пински, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Технологија на процесот на производство 40nm Битови за податоци x64 Внатрешни банки на модул 8 Состав на чип на податоци [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 чипови […]