Samsung 2 GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1Rx8, Кина)

Објавено од УредиLog.com | Објавено во DDR3 SDRAM | Објавено на 2013-01-09

6

Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Капацитет на податоци 2 GB Брзина на часовник 1333 Mhz (PC3-10600) Се одликува со 240 пински, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Технологија на процесот на производство 40nm Битови за податоци x64 Внатрешни банки на модул 8 Состав на чип на податоци [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 чипови […]

Продолжи да читаш

Модул за кеш на синхронизација на UMC 256KB (Гасоводот пукна во кешот, COASt)

Објавено од УредиLog.com | Објавено во СРАМОТ | Објавено на 2013-01-05

2

UMC синхронизиран модул за кеш 256KB предница (Гасоводот пукна во кешот)

Многу матични плочи, поддржан процесор за рано пентиум, обично имаа синхронизирани мемориски чипови како кеш меморија на процесорот L2. Овој модул за меморија за синхронизација(COASt; Кеш на стап) е модул за надворешна меморија што се користи како дополнителна кеш меморија на процесорот. Ја максимизира перформансата на процесорот додека процесорот чека инструкции или податоци. За работа се користи кешот L2 […]

Продолжи да читаш

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800)

Објавено од УредиLog.com | Објавено во ДДР СДРАМ | Објавено на 2012-10-25

0

A-ПОДАТОЦИ Vitesta DDR600 Viesta меморија, во DDR SDRAM мемориските модули, прво постигната брзина на часовникот од 600Mhz со мемориски чипови Samsung TCCD. Капацитетот на податоците на A-data Viesta беше 512MB или 256MB. Претежно се користеше за оклопни блокови.   Име на производот A-DATA Vitesta DDR600 512MB Број на дел MDOSSLF3H47A0B1G0Z Производител A-ПОДАТОЦИ Земја на производство Тајван Година на градење 2004 Карактеристики на дебфефер со 184 пинови […]

Продолжи да читаш

Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM

Објавено од УредиLog.com | Објавено во Оригинална DRAM | Објавено на 2012-05-18

1

Samsung 1MB DRAM SIMM задна страна (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

Постојана врска до Hyundai 4MB EDO DRAM 72 пински SIMM. Постојана врска до Hyundai 4MB EDO DRAM 72 пински SIMM. Постојана врска до Hyundai 4MB EDO DRAM 72 пински SIMM. Компанија за производство : Постојана врска до Hyundai 4MB EDO DRAM 72 пински SIMM : 1992 / 1993 Земја на производство : Постојана врска до Hyundai 4MB EDO DRAM 72 пински SIMM : 30пин, СИММ, Постојана врска до Hyundai 4MB EDO DRAM 72 пински SIMM […]

Продолжи да читаш

ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

Објавено од УредиLog.com | Објавено во DDR3 SDRAM | Објавено на 2012-03-09

6

ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Фронзид

Име на производ : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Фактор на форма : DDR3 SO-DIMM Features : 204пин, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256М зборови 64 битови, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

Продолжи да читаш