DDR3 SDRAM – УредиLog.com https://www.devicelog.com/mk/ device, part, спец Tue, 23 Mar 2021 10:34:01 +0000 mk hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 8 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R × 8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-mk Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

Име на производот Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
Производител Samsung Electronics
Земја на производство Филипини
Изградба година/недела 2014/08
Капацитет на податоците 8GB
Брзина на часовникот 1600Мхз (PC3-12800)
Тајминг на меморијата CL=11, tRCD=11, tRP=11
Карактеристики 240пин, Дебфеферирајте не-ECC DDR3 SDRAM DIMM
Технологија на производствениот процес 20, 30, 40нм
Битови за податоци x64
Внатрешни банки на модул 8
Редови 2
Состав на чип на податоци
(Длабочина × Организација на бит × парчиња)		 512М×8 × 16 парчиња
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 парчиња)
Пакет
78 ФБГА со безоловно & Без халогени
(RoHS е во согласност)
Висина 30мм
VDD напон 1.5V ± 0,075 V
Опсег на температурен случај во случај на работа 0° C ~ 95 ° C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-mk Самсунг Електроникс објави DDR3 SDRAM модули со помош на процесната технологија од 30 nm во јули 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

Име на производот Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
Производител Samsung Electronics (ДИК)
Земја на производство Кина
Изградба година/недела 2011/13
Капацитет на податоците 4GB
Брзина на часовникот 1333Мхз (PC3-10600)
Тајминг на меморијата CL=9, tRCD=9, tRP=9
Карактеристики 204пин, СОДИММ, Одбаферирајте SDRAM без ECC DDR3
Технологија на производствениот процес 40нм
Битови за податоци x64
Внатрешни банки на модул 8
Редови 2
Состав на чип на податоци 256M x 8 * 16 парчиња
Ревизија на компонентата 2Gb, Ц-на
Пакет 78 топка FBGA
Висина 30мм
VDD напон 1.5V
Опсег на температурен случај во случај на работа 0°C ~ 85 °C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3 EKmemory 2 GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/ https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/#comments Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000 https://www.devicelog.com/?p=643-mk EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) frontside

EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) backside

  • Име на производот : EKmemory DDR3 SDRAM 2 GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0
  • Производител : EKmemory
  • Земја на производство : Јужна Кореа
  • Капацитет на податоците : 2GB
  • Брзина на часовникот : 1333Мхз (PC3-10600)
  • Карактеристики : 240пин, Дебфеферирајте не-ECC DDR3 SDRAM DIMM
  • Состав на чип на податоци : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 чипови
  • VDD напон : 1.5V
  • Главна страница : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ид = драма&не = 91

EKmemory_DDR3_2GB_2Rx8_PC3-10600U-9-10-B0_package

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/feed/ 1 Samsung 4 GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8, Кореја) https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-mk Samsung DDR3 SDRAM 4GB Memory DIMM (2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131)

Име на производот Меморија Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600
(2Rx8, PC3-10600U-09-10-А0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
Производител Samsung Electronics (ДИК)
Земја на производство Јужна Кореа
Изградба година/недела 2011/31
Капацитет на податоците 4GB
Брзина на часовникот 1333Мхз (PC3-10600)
Тајминг на меморијата CL=9, tRCD=9, tRP=9
Карактеристики 240пин, Дебфеферирајте не-ECC DDR3 SDRAM DIMM
Битови за податоци x64
Длабочина / Бит организација 512М / x8
Внатрешни банки на модул 8
Редови 2
Состав на чип на податоци [SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 чипови
(256Mbit ✕ 8 ✕ 16 парчиња)
Ревизија на компонентата 4та генерација
Пакет ФБГА (Безоловен & Без халогени)
Висина 30мм
VDD напон 1.5V
Опсег на температурен случај во случај на работа 0°C ~ 85 °C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0 Samsung 2 GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1Rx8, Кина) https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/ https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/#comments Wed, 09 Jan 2013 14:20:55 +0000 https://www.devicelog.com/?p=557-mk Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Име на производот Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB меморија
(1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1)
Производител Samsung Electronics
Земја на производство Кина
Изградба година/недела 2010/38
Капацитет на податоците 2GB
Брзина на часовникот 1333Мхз (PC3-10600)
Карактеристики 240пин, Дебфеферирајте не-ECC DDR3 SDRAM DIMM
Технологија на производствениот процес 40нм
Битови за податоци x64
Внатрешни банки на модул 8
Состав на чип на податоци [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 чипови
Длабочина / Бит организација 256М / x8
Ревизија на компонентата 4та генерација
Пакет ФБГА (Безоловен & Без халогени)
Висина 30мм
VDD напон 1.5V
Опсег на температурен случај во случај на работа 0°C ~ 85 °C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/feed/ 6 ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1 https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr3-sdram/elpida-ddr3-so-dimm-2gb-pc3-10600s-9-10-f1/ https://www.devicelog.com/mk/memory/dram/ddr3-sdram/elpida-ddr3-so-dimm-2gb-pc3-10600s-9-10-f1/#comments Fri, 09 Mar 2012 07:39:10 +0000 https://www.devicelog.com/?p=256-mk ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Frontside

ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Rear

  • Име на производ : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1
  • Број на дел : EBJ21UE8BFU0-DJ-F
  • Производител : ЕЛПИДА
  • Земја на производство : Тајван
  • Изградба на година / недела : 2010/38
  • Фактор на форма : DDR3 SO-DIMM
  • Карактеристики : 204пин, Non-ECC
  • Мемориски капацитет : 2GB
  • Макс стапка на податоци : 1333Mbps
  • Напон : 1.5V
  • Организација : 256М зборови 64 битови, 2 редови
  • Состав на чипови : J1108BFBG-DJ-F × 16
  • Латентност (CL-tRCD-tRP) : 9-9-9
  • Висина на ПХБ : 30мм
  • Опсег на температурен случај во случај на работа : 095 ~
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/elpida-ddr3-so-dimm-2gb-pc3-10600s-9-10-f1/feed/ 6