Ražotājs : LG Semicon Co., SIA. Ražošanas valsts : Dienvidkorejas daļas numurs : ? Formas faktors : SIMM funkcijas : 72pin, EDO DRAM, Neparitātes atmiņas ietilpība : 16MB joslas platums : 32bit Ātrums : 60ns(tRAC) spriegums : 5V mikroshēmas sastāvs : GM71C17400CJ6 × 8 Mikroshēmas izgatavošanas gads/nedēļa : 1998/27 Vienas mikroshēmas ietilpība : 4M […]

Ražotājs : Hyundai Electronics Industries Co., SIA. Būvēšanas gads : 1994 Ražošanas valsts : Dienvidkorejas daļas numurs : HYM532100AM-70 formas faktors : SIMM atmiņas veids : EDO DRAM atmiņas ietilpība : 4MB kopnes tips : Ātra lappušu atmiņa (FPM) Kļūdu labošana : Neparitātes piespraudes : 72pin Joslas platums : 32bitu latentums : 70ns (tRAC) spriegums […]

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Manufacturing Company : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Ražošanas valsts : South Korea Module Features : 30pin, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

EDO DRAM ir pagaidu atmiņas vieta ātrākai datu ievadei/izvadei. Tas ir efektīvs, ja sistēma nevar saņemt kešatmiņas atbalstu. Bet, ja sistēmai ir kešatmiņa, EDO DRAM efekts ir mazs. Ražotājs : Hyundai Electronics Industries Co., SIA. Būvēšanas gads/nedēļa : 1997/32 Ražošanas valsts : Koreja (Dienvidkoreja) Daļas numurs […]