„Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz“ (1Rx8, Kinija)

paskelbtas „DeviceLog.com“ | Paskelbta DDR3 SDRAM | Publikuotas 2013-01-09

6

„Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U“-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Prekės pavadinimas Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Gamintojas Samsung Electronics Gamybos šalis Kinija Gamybos metai/savaitė 2010/38 Duomenų talpa 2GB Laikrodžio dažnis 1333Mhz (PC3-10600) Yra 240 kontaktų, Atlaisvinkite buferį Ne ECC DDR3 SDRAM DIMM Gamybos proceso technologija 40 nm duomenų bitai x64 vidinių modulių bankai 8 Duomenų lusto sudėtis [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 traškučiai […]

Skaityti toliau

ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

paskelbtas „DeviceLog.com“ | Paskelbta DDR3 SDRAM | Publikuotas 2012-03-09

6

ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 priekinė pusė

produkto pavadinimas : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Formos koeficientas : DDR3 SO-DIMM Features : 204smeigtukas, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M žodžiai × 64 bitai, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

Skaityti toliau

„Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM“ (HYM532414)

paskelbtas „DeviceLog.com“ | Paskelbta EDO DRAMAS | Publikuotas 2011-08-04

1

„Hyundai 72pin“ 16MB DRAM SIMM HY5117404B (Priekinė pusė)

EDO DRAM turi laikiną atminties vietą greitesniam duomenų įvesties / išvesties procesui. Tai veiksminga, kai sistema negali gauti talpyklos atminties palaikymo. Bet jei sistemoje yra talpyklos atmintis, EDO DRAM efektas menkas. Gamintojas : „Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Sukurkite metus / savaitę : 1997/32 Gamybos šalis : Korėja (Pietų Korėja) Dalies numeris […]

Skaityti toliau

„Goldstar“ 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B)

paskelbtas „DeviceLog.com“ | Paskelbta Originalus DRAM | Publikuotas 2011-08-02

0

„Goldstar 30pin“ 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (priekinė pusė)

Šis SIMM padengtas auksine spalva. The plating color and the board form of this SIMM is different from the SIMM with GM71C4400A. GM71C4400B yra 1M × 4bit. GM71C1000B yra 1M × 4bit. Šios SIMM atminties talpa ir funkcija nesiskiria nuo SIMM su GM71C4400A ir GM71C1000. Manufacturing […]

Skaityti toliau

„Goldstar“ 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000)

paskelbtas „DeviceLog.com“ | Paskelbta Originalus DRAM | Publikuotas 2011-08-02

2

„Goldstar 30pin“ 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) (priekinė pusė)

Goldstar is the trademark of Goldstar Electron Co., Ltd. It changed its name into LG Semiconductor (LG Semicon) at 1995, and it was merged into Hyundai Electronics industry (Hynix dabar) at 1999. Gamybos įmonė : Goldstar Electron Manufactured year: 1993 Gamybos šalis : South Korea Module Features : 30smeigtukas, DRAM, SIMM, Paritetinė RAM […]

Skaityti toliau