Produkto pavadinimas : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66 Dalies numeris : KMM366S203CTL-G0 Gamintojas : Samsung Electronics Co., Ltd. (SEK) Gamybos šalis : Pietų Korėja Statybos metai/savaitė : 1998/09 Duomenų talpa : 16MB Laikrodžio greitis : 66Mhz (PC66) funkcijos : 168 smeigtukas, Nebuferinis ne ECC SDRAM DIMM duomenų lusto sudėtis : [KM48S2020CT-G10] × 8 traškučiai (2M […]

Produkto pavadinimas : LG SDRAM 16MB PC66 Dalies numeris : GMM2642233BLTG-10K 7101S gamintojas : LG Semicon Co., Ltd. Gamybos šalis : Pietų Korėja Statybos metai/savaitė : 1997/03 Duomenų talpa : 16MB Laikrodžio greitis : 66Mhz (PC66) funkcijos : 168smeigtukas, Nebuferinis ne ECC SDRAM DIMM duomenų lusto sudėtis : [GM72V16821BT10K] × 8 traškučiai (2M × 64 bitai) Vienas […]

Produkto pavadinimas Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) Dalies numeris M378A2K43CB1-CTD (C-the) Gamintojas Samsung Electronics Gamybos šalis Kinija Gamybos metai/savaitė 2019 / 06 DIMM tipas UDIMM duomenų talpa 16 GB duomenų perdavimo sparta (Maksimalus pralaidumas) 2666.67 MT / s (21333.33 MB / s) Atminties laikas (CL – tRCD – tRP – po to – tRC) 19-19-19-43-61 Yra 288 kontaktų, Ne ECC unbuferis […]

Produkto pavadinimas Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) Dalies numeris M378A1K43CB2-CTD (C-the) Gamintojas Samsung Electronics Gamybos šalis Kinija Gamybos metai/savaitė 2018 / 28 DIMM tipas UDIMM duomenų talpa 8 GB duomenų perdavimo sparta (Maksimalus pralaidumas) 2666.67 MT / s (21333.33 MB / s) Atminties laikas (CL – tRCD – tRP – po to – tRC) 19-19-19-43-61 Yra 288 kontaktų, Ne ECC unbuferis […]

Produkto pavadinimas Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400 Dalies numeris M378T5663QZ3-CF7 Gamintojas Samsung Electronics Gamybos šalis Kinija Gamybos metai/savaitė 2009/04, 2010/07 Atminties modulio tipas DIMM Duomenų talpa 2GB Laikrodžio greitis 800Mhz (PC2-6400) Atminties laikas CL=6, tRCD=6, tRP=6 Savybės 240 kontaktų, Pašalinkite buferį ne ECC DDR2 SDRAM DIMM duomenų bitai x64 vidinių modulių bankai 8 Gretos 2 Duomenys […]