Fabrikant beschwéiert : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd., Ltd. Urbejo : 1994 Land vun Fabrikatioun : South Korea Part Number : HYM532100AM-70 Form Faktor : SIMM Erënnerung Typ : EDO DRAM Erënnerung Kapazitéit : 4MB Bus Typ : Fast Page Memory (FPM) Feeler Korrektur : Non-Paritéit Pins : 72pin Bandbreedung : 32bësse Latenz : 70ns (tRAC) Stroumspannung […]

EDO DRAM huet temporär Erënnerung Plaz fir méi séier Daten ech / O. Et ass effektiv wann de System net Cache Memory Support kann kréien. Mä wann de System huet Cache Erënnerung, den Effet vun EDO DRAM ass wéineg. Fabrikant beschwéiert : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd., Ltd. Bau Joer / Woch : 1997/32 Land vun Fabrikatioun : Korea (Südkorea) Deel Zuel […]

Dëse RAM ass 30-Pin 1MB SIMM produzéiert vun der Hyundai Electronics Industrie(Hynix vun elo). 30-PIN SIMMs goufen allgemeng benotzt aus 80286 zu 80486. Wann d'Zuel vun de Chips komesch Zuel ass, ee vun de Chips Leeschtunge Paritéit kontrolléieren. Dëse RAM besteet aus zwee HY514400A(1M x 4bit) an een HY531000A(1M x 1 bit). D'Erënnerung Kapazitéit vun […]