Samsung 256GB PM981 M.2 PCIe NVMe Leeschtung OEM SSD (Phoenix Controller)

Samsung PM981 ass den OEM Produkt ofgeleet vu Samsung 970 EVO.

Dësen Drive weist dem Samsung säin neien 64-Layer V-NAND an e High-Performance Controller deen bis zu 3,000 MB / s vun sequenziell liesen Débit an 270,000 zoufälleg liesen IOPS.

Samsung Polaris V2 Memory Controller gouf an der fréierer Versioun benotzt, mee ARM Phoenix Erënnerung Controller war an der spéider Versioun benotzt.

Et war populär fir eng Zäit wéinst sengem gudde Wäert fir Suen.

Produit Numm	Samsung 256GB PM981 M.2 PCIe NVMe Leeschtung OEM SSD
Deel Zuel	MZVLB256HAHQ Ubidder-00000
Modell	MZ-VLB2560
Joer erstallt	2017
Fabrikant beschwéiert	Samsung
Land vun Fabrikatioun	China
Product Klassifikatioun	Intern SSD (Solid State Drive)
Form Faktor	M.2 (2280)
Interface	PCIe 3.0 (x 4) (32GT/s)
Host Controller Interface	NVMe 1.2
Katazitéit	256GB
Byte pro Sektor	512Byte
Erënnerung Typ	NAND Flash Memory, Tlc
NAND Struktur	Samsung V-NAND V4 (TLC 3D NAND, 64-Schichten)
DRAM	○
SLC Caching	○
Leeschtung	– Sequenziell Liesen : 3000MB/s – Sequenziell Schreiwen : 1800MB/s – IOPS fir liesen : Max. 270k – IOPS fir ze schreiwen : Max. 420k
Memory Controller	ARM Phoenix (S4LR020 S821HNQD Fotoen 1842 ARM Phoenix)
NVMe Heizkierper	net abegraff
UBER	< 1 Secteur per 10 15 Stécker liesen
MTBF	1.5 Millioune Stonnen
Temperatur	Aktivitéitsaarbecht : 0°C ~ 70°C Net operéierend : -40°C ~ 85°C
Fiichtegkeet (net-kondenséierend)	Net operéierend : 5 ~ 95%
Linearschrëft Schock	Net operéierend (0.5ms Dauer mat 1/2 sinuswelle) : 1,500 Gpeak
Vibratioun	Net operéierend (20 ~ 2,000 Hz, Sinusform) : 20 Gpeak
Spannung Ripple / Kaméidi (max.)	100mv p-p
Stroumverbrauch	– Liesen (Typ, RMS) : 5.9W – Schreiwen (Typ, RMS) : 5.7W – Idle (Typ) : 30mW – L1.2 (Typ) : 5mW
Breet	22.00 ± 0.15 mm
Längt	80.00 ± 0.15 mm
Héicht	Max. 2.38 mm
Gewiicht	Max. 9.0g