Өндүрүүчү : LG Semicon Co., Ltd. Өндүрүлгөн өлкө : Түштүк Корея Бөлүмдүн номери : ? Форманын фактору : Simm өзгөчөлүктөрү : 72пин, EDO DRAM, Паритикалык эмес эс тутумунун кубаттуулугу : 16MB Bitwidth : 32биттик ылдамдык : 60ns(tRAC) Чыңалуу : 5V CHIP Курамы : Gm71c17400cj6 × 8 Чип куруу жыл / жумасына : 1998/27 Бир чип кубаттуулугу : 4М […]

Продукт аты EK Memory 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 Бөлүштүк номери EKM256S74BP8-E6 Өндүрүүчү EK Эстутум Өндүрүлгөн өлкө Тайвань Чипти куруу Жыл/Апта 2008/27 Эс тутум модулунун түрү DDR2 SO-DIMM 200 пин маалымат сыйымдуулугу 2GB Clock ылдамдыгы 667Mhz (PC2-5300) Эстутум убактысы CL=5, tRCD=5, tRP=5 Өзгөчөлүктөрү 200пин буферсиз ECC эмес ноутбук(Ноутбук) Memory Data Bits x64 Data Chip маалыматы EK20908A8A-3EG […]

PROTET NAME Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378b1g73qh0-ck0) Өндүрүүчүсү Samsung Electronics Өндүрүү Өндүрүү Өлкө: Филиппин 2014/08 Маалымат кубаттуулугу 8GB Clock Speed ​​1600MHZ (PC3-12800) Эстутум убактысы cl = 11, trcd = 11, trp = 11 өзгөчөлүктөрү 240pin, Unbuffer ECC DDR3 SDRAM DIMM өндүрүү процесси технологиясы 20, 30, 40NM маалыматтары Bits X64 Ички Модулдун Банктары 8 Рейлер […]

The M368l6423dTM 32M бит x 64 Кош маалымат ылдамдыгы(DDR) Бешинчи генернациянын болжол менен 256MB DDR СДРАСЫНЫН БӨЛҮМҮНҮН ЭСКЕРТҮҮ МЕНЕН СПРИТЕСТ ЭСТЕРИ МОМЕЛИ тиешелүүлүгүнө жараша. M368L6423dTM он алты CMOS 32M Xден турат 8 4Banks кош маалымат ставкасы менен бит 66pin TSOP-II(400Mil) Пакеттер 184pin айнек-эпокси субстратка орнотулган. Төрт 0.1uf decoUpling конденсаторлору […]

Samsung Electronics июлда 30 нм процесс технологиясын колдонуу менен DDR3 SDRAM модулдарын чыгарды 2010. Бул RAM модулу 40 нм процесс технологиясы менен жасалган. Продукт аты Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Өндүрүүчү Samsung Electronics (SEC) Өндүрүүчү өлкө Кытай Курулуш жыл/жума 2011/13 Маалымат кубаттуулугу 4 ГБ Сааттын ылдамдыгы 1333 МГц (PC3-10600) Memory Timeming […]