https://www.devicelog.com/ky/ device, part, спец Wed, 06 Nov 2019 11:16:37 +0000 ky hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 https://www.devicelog.com/ky/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/ky/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-ky

Продукциянын аты	Samsung DDR4 SDRAM 16 ГБ 2R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11)
Бөлүмдүн номери	M378a2k43cb1-ctd (C-Di)
Өндүрүүчү	Samsung Electronics
Өндүрүү өлкөсү	Кытай
Жума / Жума	2019 / 06
DIMM түрү	UDIMMs
Маалымат сыйымдуулугу	16GB
Маалымат ылдамдыгы (Макс өткөрмө жөндөмдүүлүгү)	2666.67 Mt / S (21333.33 Мб/с)
Memory Timeming (Cl – TRCD – TRP – кийин – ТРК)	19-19-19-43-61
Өзгөчөлүктөрү	288пин, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Маалымат биттери	x64
Ички модулдук банктар	16 Банктар (4 Банк топтору)
Рейлер	2 (Dual Rank)
Компоненттик состав	(1G × 8) × 16 (K4A8G085WC-BCTD) × 16
Пакет	78FBGA коргошунсуз & Галогенсиз (RoHS ылайыктуу)
Бийиктиги	31.25 мм
VDD Voltage	1.2 V ± 0.06 В
Иштөө иши температуранын диапазону	Орточо жаңыртуу мезгили Тдан төмөн 7.8usИШ 85℃, 3.9бизде 85℃ < ТИШ ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 https://www.devicelog.com/ky/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/ky/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-ky

Продукциянын аты	Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11)
Бөлүмдүн номери	M378a1k43cb2-ctd (C-Di)
Өндүрүүчү	Samsung Electronics
Өндүрүү өлкөсү	Кытай
Жума / Жума	2018 / 28
DIMM түрү	UDIMMs
Маалымат сыйымдуулугу	8GB
Маалымат ылдамдыгы (Макс өткөрмө жөндөмдүүлүгү)	2666.67 Mt / S (21333.33 Мб/с)
Memory Timeming (Cl – TRCD – TRP – кийин – ТРК)	19-19-19-43-61
Өзгөчөлүктөрү	288пин, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Маалымат биттери	x64
Ички модулдук банктар	16 Банктар (4 Банк топтору)
Рейлер	1 (Single Rank)
Компоненттик состав	(1G × 8) × 8 (K4A8G085WC-BCTD) × 8
Пакет	78FBGA коргошунсуз & Галогенсиз (RoHS ылайыктуу)
Бийиктиги	30мм
VDD Voltage	1.2V ± 0,06V
Иштөө иши температуранын диапазону	Орточо жаңыртуу мезгили Тдан төмөн 7.8usИШ 85℃, 3.9бизде 85℃ < ТИШ ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0