제품명 삼성 DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB 메모리 (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) 제조업체 Samsung Electronics 제조 업체 중국 빌드 년 / 주 2010/38 데이터 용량 2GB 클록 속도 1333Mhz (PC3-10600) 240 핀 특징, Unbuffer 비 -ECC DDR3 SDRAM DIMM 생산 공정 기술 40nm 데이터 비트 x64 내부 모듈 뱅크 8 데이터 칩 조성물 [SEC HCH9의 K4B2G0846C] ✕ 8 작은 조각 […]
계속 읽기
상품명 : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 부품 번호 : EBJ21UE8BFU0-DJ-F 제조업체 : ELPIDA 제조국 : 대만 건축 연도 / 주 : 2010/38 폼 팩터 : DDR3 SO-DIMM 기능 : 204핀, 비 ECC 메모리 용량 : 2GB 최대 데이터 속도 : 1333Mbps 전압 : 1.5V 조직 : 256M 워드 × 64 비트, 2 칩 구성 순위 : J1108BFBG-DJ-F […]
빠른 데이터 I / O를위한 임시 메모리 공간이있는 EDO DRAM. 시스템이 캐시 메모리 지원을받을 수 없을 때 효과적입니다. 그러나 시스템에 캐시 메모리가있는 경우, EDO DRAM의 효과는 거의 없습니다. 제조사 : 현대 전자 산업 (주), (주). 년 / 주 빌드 : 1997/32 제조 국가 : 대한민국 (대한민국) 부품 번호 […]
이 SIMM은 황금색으로 도금되었습니다.. 이 SIMM의 도금 색상과 보드 형태는 GM71C4400A의 SIMM과 다릅니다. GM71C4400B는 1M × 4 비트. GM71C1000B는 1M × 4bit. 이 SIMM의 메모리 용량 및 기능은 GM71C4400A 및 GM71C1000을 사용하는 SIMM과 다르지 않습니다. 조작 […]
금성은 금성 전자 (주)의 등록 상표입니다, (주). 그것은 LG 반도체로 상호를 변경 (LG 반도체) ...에서 1995, 그것은 현대 전자 산업에 합병되었다 (지금의 하이닉스) ...에서 1999. 제조 회사 : Goldstar Electron 제조년도: 1993 제조 국가 : 한국 모듈 특징 : 30핀, 음주, SIMM, 패리티 RAM […]
