기억 – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/ko/ device, part, 투기 Mon, 25 Jul 2022 04:37:45 +0000 ko hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 EKmemory 2기가바이트 DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz의 (2RX8) https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/ https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/#comments Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000 https://www.devicelog.com/?p=643-ko EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) frontside

EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) backside

  • 상품명 : EKmemory DDR3 SDRAM 2기가바이트 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0
  • 제조사 : EKmemory
  • 제조 국가 : 대한민국
  • 데이터 용량 : 2GB
  • 시계 속도 : 1333MHz의 (PC3-10600)
  • 풍모 : 240핀, 버퍼 해제 비 ECC DDR3 SDRAM DIMM
  • 데이터 칩 조성물 : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 작은 조각
  • VDD 전압 : 1.5V
  • 홈페이지 : HTTP://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = DRAM&없음 = 91

EKmemory_DDR3_2GB_2Rx8_PC3-10600U-9-10-B0_package

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/feed/ 1 삼성 SDHC 클래스 10 필수 32기가바이트 https://www.devicelog.com/ko/storage/memory-card/sd/sdhc/samsung-sdhc-class-10-essential-32gb/ https://www.devicelog.com/ko/storage/memory-card/sd/sdhc/samsung-sdhc-class-10-essential-32gb/#respond Sat, 02 Mar 2013 16:03:37 +0000 https://www.devicelog.com/?p=625-ko Samsung SDHC Essential 32GB Class 10 Package

Samsung SDHC Essential 32GB Class 10 Frontside

Samsung SDHC Essential 32GB Class 10 Backside

  • 상품명 : 삼성 SDHC 클래스 10 필수 32기가바이트
  • 모델명 : MB-SSBGA/KR
  • 제조사 : 삼성전자
  • 제조 국가 : 대한민국
  • 메모리 종류 : SDHC
  • 크기 : 32mm x 24mm x 2.1mm
  • 데이터 용량 : 32GB (2923지브, 29927MiB 크기)
  • 읽기 속도 : 최대. 24MB / s의
  • 쓰기 속도 : 최대. 13MB / s의
  • 허용 전압 : 2.7 ~ 3.6V
  • 작동/비작동 온도 범위 : -25 ~ 85 ° C / -40 ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/storage/memory-card/sd/sdhc/samsung-sdhc-class-10-essential-32gb/feed/ 0 삼성 4기가바이트 DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600의 1333MHz의 (2RX8, 대한민국) https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-ko Samsung DDR3 SDRAM 4GB Memory DIMM (2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131)

상품명 삼성 4기가바이트 DDR3 SDRAM PC3-10600 메모리
(2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
제조사 삼성전자 (비서)
제조 국가 대한민국
빌드 년 / 주 2011/31
데이터 용량 4GB
시계 속도 1333MHz의 (PC3-10600)
메모리 타이밍 CL = 9, tRCD와 = 9, TRP = 9
풍모 240핀, 버퍼 해제 비 ECC DDR3 SDRAM DIMM
데이터 비트 64
깊이 / 비트 조직 512엠 / X8
내부 모듈 은행 8
계급 2
데이터 칩 조성물 [SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 작은 조각
(256메가 ✕ 8 ✕ 16 개)
구성 요소 수정 4일 세대
꾸러미 FBGA (무연 & 할로겐 프리)
신장 30mm
VDD 전압 1.5V
작동 케이스 온도 범위 0° C ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0 UMC 동기화 캐시 모듈 256킬로바이트 (파이프 라인은 캐시 버스트, 연안) https://www.devicelog.com/ko/memory/sram/umc-sync-cache-module-256kb-pipeline-burst-cache/ https://www.devicelog.com/ko/memory/sram/umc-sync-cache-module-256kb-pipeline-burst-cache/#comments Sat, 05 Jan 2013 13:27:32 +0000 https://www.devicelog.com/?p=535-ko UMC Sync Cache Module 256KB Frontside (Pipeline Burst Cache)

UMC Sync Cache Module 256KB Backside (Pipeline Burst Cache)

대부분의 메인 보드, 지원 초기 펜티엄 CPU, 일반적으로 CPU L2 캐시로 동기화 캐시 메모리 칩을했다. 이 동기화 캐시 모듈(연안; 캐시에 막대기) 외부 메모리 모듈을 추가 CPU L2 캐시로 사용. 프로세서가 명령 또는 데이터를 기다리는 동안은 프로세서의 perfomance를 극대화. L2 cache is used for operating closer to the theoretical limit of the microprocessor.

'파이프 라인’ 첫번째 전송이 프로세서에 도착하기 전에 첫 번째 전송 후 전송이 일어날 것을 제안. 'Pipleline 캐시 버스트’ was developed as an alternative to asynchronous cache and synchronous burst cache.

  • 상품명 : UMC 동기화 캐시 모듈 256킬로바이트 (버전 : 1.8)
  • 부품 번호 : LM 2mV의 94V-0
  • 제조사 : UMC
  • 제조 국가 : 대만
  • 년 / 주 빌드 : 1996/39
  • 데이터 용량 : 256KB
  • 핀 수 : 80다리
  • 풍모 : 연안(캐시에 막대기), 파이프 라인은 캐시 버스트, 추가 L2 캐시, SRAM
  • 전압 : 3.3V
  • 칩 구성 : [UM61(엘)3232AF-9641S 7 MM4X52] ✕ 2 + [UM61(미디엄)256S-15 9549D RB1121] ✕ 1

 

Sync Cache Module Slot (Pipeline_Burst_Cache Moduel Slot)

UMC Sync cache module installed on Soyo mainboard slot

]]> https://www.devicelog.com/memory/sram/umc-sync-cache-module-256kb-pipeline-burst-cache/feed/ 2 금성 1메가바이트 DRAM의 30 핀의 SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400b-gmc71c1000b/ https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400b-gmc71c1000b/#respond Tue, 02 Aug 2011 09:45:54 +0000 https://www.devicelog.com/?p=46-ko 이 SIMM은 황금색으로 도금되었습니다.. 이 SIMM의 도금 색상과 보드 형태가 다릅니다 GM71C4400A를 사용한 SIMM.

GM71C4400B는 1M × 4 비트. GM71C1000B는 1M × 4bit. The memory capacity and the function of this SIMM is not different from the SIMM with GM71C4400A and GM71C1000.

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (frontside)

Goldstar 30핀 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (backside)

  • 제조 회사 : 골드 스타 일렉트론
  • 제조년도 : 1994
  • 제조 국가 : 대한민국
  • 모듈의 특징 : 30핀, SIMM, 패리티 RAM
  • 기억 용량 : 1MB
  • 의 BandWidth : 8비트
  • 스피드 기능 : 70NS(TRAC)
  • 칩 구성 : GM71C4400B × 2 + GM71C1000B

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B)

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400b-gmc71c1000b/feed/ 0 금성 1메가바이트 DRAM의 30 핀의 SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400a-gmc71c1000/ https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400a-gmc71c1000/#comments Tue, 02 Aug 2011 05:39:00 +0000 https://www.devicelog.com/?p=23-ko 금성은 금성 전자 (주)의 등록 상표입니다, (주). 그것은 LG 반도체로 상호를 변경 (LG 반도체) ...에서 1995, 그것은 현대 전자 산업에 합병되었다 (지금의 하이닉스) at 1999.

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A+GMC71C1000) (frontside)Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A+GMC71C1000) (backside)

  • 제조 회사 : 금성 전자
  • 제조 년: 1993
  • 제조 국가 : 대한민국
  • 모듈의 특징 : 30핀, 음주, SIMM, 패리티 RAM
  • 기억 용량 : 1MB
  • 의 BandWidth : 8비트
  • 스피드 기능 : 70NS(TRAC)
  • 칩 구성 : GM71C4400A × 2 + GM71C1000
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400a-gmc71c1000/feed/ 2 현대 1메가바이트 DRAM의 30 핀의 SIMM https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/ https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/#comments Mon, 01 Aug 2011 16:12:29 +0000 https://www.devicelog.com/?p=5-ko 이 RAM은 현대 전자 산업에서 생산 한 30 핀 1MB SIMM입니다.(지금의 하이닉스). 30-핀 SIMM은 80286 에 80486. 칩 수가 홀수 인 경우, one of the chips perform parity check.

이 RAM은 두 개의 HY514400A로 구성됩니다(1M X 4 비트) 하나의 HY531000A(1M x 1 비트). RAM의 메모리 용량은 1MB입니다. HY531000A는 데이터 칩입니다, and HY531000A is parity chip.

Hyundai 30-pin 1MB SIMM (HY514400A × 2 + HT531000A)

  • 제조사 : 현대 전자 산업 (주), Ltd.
  • 제조년도 : 1993
  • 제품 특징 : 30-핀, DRAM SIMM, 패리티 RAM
  • 기억 용량 : 1MB
  • 대역폭 : 8비트
  • 스피드 기능 : 70NS(TRAC)
  • 칩 구성 : HY514400A × 2 + HY531000A (4× 2 + 1 비트)
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/feed/ 1