대한민국 – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/ko/ device, part, 투기 Thu, 01 Dec 2022 23:32:55 +0000 ko hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 삼성 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/ https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/#respond Wed, 20 Jul 2022 09:33:56 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1358-ko Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0) backside

  • 상품명 : 삼성 16MB SDRAM 16MB PC66
  • 부품 번호 : KMM366S203CTL-G0
  • 제조사 : 삼성전자, (주). (비서)
  • 제조 국가 : 대한민국
  • 빌드 년 / 주 : 1998/09
  • 데이터 용량 : 16MB
  • 시계 속도 : 66MHz의 (PC66)
  • 풍모 : 168 핀, 무 버퍼 비 ECC SDRAM DIMM
  • 데이터 칩 조성물 : [KM48S2020CT-G10] × 8 작은 조각
    (2M × 64비트)
  • 원칩 정보
    • KM48S2020CT-G10 (UQK218EM 또는 UQL004DD)
    • 메모리 IC 유형 : 동기식 DRAM
    • 용량 : 2M x 8비트
    • 액세스 시간-최대 : 7 NS
    • 인터리브 버스트 길이: 1, 2, 4, 8
    • 클록 주파수-최대 (fCLK) : 100 메가 헤르츠
    • 44 핀
    • 빌드 년 / 주 : 1998/07
  • VDD : 3.3V
  • 등 : 366S203BTL, AD1055-00, SMB2 94V-0
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/feed/ 0 LG 반도체 16MB EDO-DRAM 72핀 SIMM (GM71C17400CJ6) https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/ https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/#comments Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1336-ko LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM backside

  • 제조사 : LG반도체, Ltd.
  • 제조 국가 : 대한민국
  • 부품 번호 : ?
  • 폼 팩터 : SIMM
  • 풍모 : 72핀, EDO DRAM의, 비 패리티
  • 기억 용량 : 16MB
  • 대역폭 : 32비트
  • 속도 : 60NS(TRAC)
  • 전압 : 5V
  • 칩 구성 : GM71C17400CJ6 × 8
  • 칩 빌드 연도 / 주 : 1998/27
  • 하나 개의 칩 용량 : 4M X 4 비트
  • 등 : 애드도닉스®, SD816
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/feed/ 1 Macronix MX86200 (SiS 6202) https://www.devicelog.com/ko/output/vga/pci/macronix-mx86200-sis-6202/ https://www.devicelog.com/ko/output/vga/pci/macronix-mx86200-sis-6202/#respond Fri, 19 Mar 2021 15:13:35 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1299-ko Macronix MX86200 - SiS 6202

 

유형 비디오 그래픽 어댑터 (VGA)
상품명 MX86200
칩셋 제조업체 SiS
칩셋/GPU 모델 SiS 6202
칩셋 제작 연도 / 주 1997 / 13
유통 업체 마크로닉스
제조 국가 대만
비디오 램 제조사 삼성전자, Ltd.
비디오 RAM 구성 (KM416V256BLJ-7) × 2
사용 가능
비디오 RAM 구성		 1,2, 또는 4 MBytes 디스플레이 메모리
슬롯 인터페이스 PCI
제안된 해결 방법 1600×1200, 64케이 컬러 @ 60 Hz에서
1280×1024, 64케이 컬러 @ 75 Hz에서
1024×768, 16엠 컬러 @ 60 Hz에서
GPU 칩 기능 • 고성능 아키텍처
• True 64-bit graphics engine.
• 진실 8/16/32 bpp acceleration.
• BitBLT, 직사각형, 패턴 채우기, 선 그리기, 색 확장 및 완성 256 롭
• 온칩 패턴 메모리
• 여러 고급 FIFO
• 메모리 매핑된 I/O
• 64x64x2 비트맵 하드웨어 커서고품질 비디오 재생
• 부드러운 고품질 비디오 재생을 위한 기본 표면 DCI 드라이버 지원
• Windows용 Microsoft 비디오 지원• 고급 메모리 제어
• 진정한 64비트 디스플레이 메모리 액세스
• 256K x 4, 256Kx 8, 및 256K x 16 듀얼 CAS 또는 듀얼WE DRAM
• 빠른 페이지 및 하이퍼 페이지 EDO
• 자동 메모리 크기 감지
• 최대 선형 주소 지정 모드 4 메가바이트

• 무접착 PCI 버스 인터페이스
• 전체 PCI 2.1 규정 준수
• 통합 RA MDAC
• 통합 프로그래밍 가능 135 MHz 클록 합성
• 저전력 서브미크론 CMOS
• 208 핀 PQFP

• 플러그 앤 플레이 호환
• VESA 디스플레이 데이터 채널 (DDC2B) 프로토콜 지원
• VESA 표준 기능 커넥터 지원
• DPMS 및 고급 전원 관리 지원
비디오 커넥터 디서브
(15-핀 VGA 커넥터)

 

]]> https://www.devicelog.com/output/vga/pci/macronix-mx86200-sis-6202/feed/ 0 Samsaung 갤럭시 S (SHW-M110S) https://www.devicelog.com/ko/mobile/smart-phone/samsaung-galaxy-s-shw-m110s/ https://www.devicelog.com/ko/mobile/smart-phone/samsaung-galaxy-s-shw-m110s/#comments Sun, 19 Jul 2015 09:24:59 +0000 https://www.devicelog.com/?p=995-ko 이 장치는 1 세대 갤럭시 S 시리즈 스마트 폰. 갤럭시 S (SHW-M110S) SK 텔레콤 가입자를위한 전용 전화입니다. 그것은 T-DMB 튜너를 포함하고, 그것은 GT-I9000 상이. 그것은에 따라 판매됩니다 “애니콜” branding.

Samsung Galaxy S (SHW-M110S) Picture Samsung Galaxy S (SHW-M110S) Picture Samsung Galaxy S (SHW-M110S) Picture Samsung Galaxy S (SHW-M110S) Picture
생성물 모델 삼성 갤럭시 S SHW-M110S
제조사 삼성전자
제조 국가 대한민국
출시일 2010/06
판매 기관 SK 텔레콤 (주), Ltd.
몸 크기 122.4mm × 64.2mm × 9.9mm
무게 121지
색깔 검은, 백설 공주
배터리 배터리 유형 리튬 이온, 이동할 수 있는
배터리 용량 1500MAH (3.7V)
플랫폼 운영 체제 기계적 인조 인간 2.1 ~ 2.3.6
CPU 1 GHz의 싱글 코어 (ARM 코어 텍스 A8)
GPU 200 MHz PowerVR SGX 540
기억 시스템 RAM 512 MB
내부 Stoage 16 GB NAND 플래시 (14 GB 사용자가 사용할 수에게)
외부 저장 마이크로 SD / 마이크로 SDHC (까지 32 GB 지원)
카메라 기본 카메라 5 메가 픽셀 ( 2592 × 1944 픽셀)
플래시 LED 플래시
감지기 1/3.6″ 신장
조리개 F F / 2.6
전면 부 카메라 VGA 카메라 (0.3메가 픽셀, F2.8)
디스플레이 패널 종류를 표시 RBGB 매트릭스와 슈퍼 AMOLED (PenTile)
디스플레이 크기 100 mm (4.0 인치)
(~ 58.0 % 화면에 몸 비율)
해결 800× 480 개 픽셀의 WVGA
픽셀 밀도 233 PPI
그림 물감 16 백만
긁힘 방지 유리 고릴라 유리
회로망 심 미니 SIM
2G 네트워크 850, 900, 1800, 1900MHz의 GSM / GPRS / EDGE
3G 네트워크 900, 2100MHz의 UTMS / HSPA
데이터 네트워크 GSM, GPRS, 가장자리, UMTS, HSDPA, HSUPA, HSPA
무선 네트워크 와이파이 다이렉트, 핫스팟, DLNA, 블루투스
인터페이스 USB USB 2.0 마이크로 B (마이크로 USB)
와이파이 802.11 B / g / n을
오디오 출력 3.5mm 잭
블루투스 3.0 버전, A2DP
라디오 RDS와 스테레오 FM 라디오
GPS A-GPS
DMB T-DMB TV (단지 한국)
]]> https://www.devicelog.com/mobile/smart-phone/samsaung-galaxy-s-shw-m110s/feed/ 2 삼성 갤럭시 S4의 LTE-A (SHV-E330S) https://www.devicelog.com/ko/mobile/smart-phone/samsung-galaxy-s4-lte-a-shv-e330s/ https://www.devicelog.com/ko/mobile/smart-phone/samsung-galaxy-s4-lte-a-shv-e330s/#respond Sun, 07 Jun 2015 15:05:06 +0000 https://www.devicelog.com/?p=905-ko SK 텔레콤 삼성 갤럭시 S4 SHV-E330S 4 월에 릴리스되었습니다 2013. 그것은 두 가지 색상에서 사용할 수 있습니다, 블루 북극과 레드 오로라 색상. SK 텔레콤(SKT) said that LTE Advanced S4 is capable of reaching network speed for up to 150Mbps in their infrastructure.

Galaxy S4 LTE-A ① Galaxy S4 LTE-A ② Galaxy S4 LTE-A ③ Galaxy S4 LTE-A ④
생성물 모델 갤럭시 S4 LTE-A (SHV-330S)
(삼성 갤럭시 S4 4G 한국의 LTE-A)
(갤럭시 S4 GT-i9506)
제조사 삼성전자
제조 국가 대한민국
제조 날짜 2013/07/30
판매 기관 SK 텔레콤 (주), Ltd.
몸 크기 69.8mm × 136.6mm × 7.9mm
무게 131지
색깔 블루 북극
배터리 배터리 유형 리튬 이온, 이동할 수 있는
배터리 용량 2,600MAH
플랫폼 운영 체제 기계적 인조 인간 4.2.2 (젤리 빈)
기계적 인조 인간 4.4.2 (킷 캣)
기계적 인조 인간 5.0 (사탕 과자)
CPU Quad-core 32bit 2.3Ghz Krait 400
GPU Qualcomm Adreno 330
기억 시스템 RAM 2GB LPDDR3
내부 Stoage 32GB
외부 저장 마이크로 SD / 마이크로 SDHC / 마이크로 SDXC(64GB 최대.)
카메라 기본 카메라 13 메가 픽셀 (4128 엑스 3096 픽셀)
플래시 LED 플래시
감지기 1/3.06″ 신장
조리개 F F / 2.2
전면 부 카메라 2,1 메가 픽셀 (1920 × 1080 픽셀)
디스플레이 패널 종류를 표시 HD S-AMOLED
디스플레이 크기 12.7 센티미터 (5.0 인치)
해결 1080 × 1920 픽셀
픽셀 밀도 441 PPI
그림 물감 16 백만
긁힘 방지 유리 Gorilla Glass 3
회로망 심 마이크로 SIM (3FF)
2G 네트워크 GSM 900/1800/1900
3G 네트워크 UMTS 1900/2100
4G 네트워크 LTE 850/1800
데이터 네트워크 GPRS, 가장자리, UMTS, HSDPA, HSUPA, HSPA +, LTE, LTE-A
무선 네트워크 와이파이 다이렉트, NFC, MHL, 핫스팟, DLNA, 블루투스
최대 속도 내려가는: 150Mbps의, 쪽으로: 50Mbps의
인터페이스 USB USB 2.0 마이크로 B (마이크로 USB)
TV 출력 USB 2.0 마이크로 B (마이크로 USB)
오디오 출력 3.5mm 잭
블루투스 4.0 A2DP와 버전
와이파이 802.11 A / B / G / N /과
GPS A-GPS, 위치 정보 태그 지정 및 GLONASS
DMB T-DMB TV (단지 한국)
]]> https://www.devicelog.com/mobile/smart-phone/samsung-galaxy-s4-lte-a-shv-e330s/feed/ 0 삼성 Spinpoint F2EG HD154UI 1.5TB https://www.devicelog.com/ko/storage/hdd/samsung-spinpoint-f2eg-hd154ui-1-5tb/ https://www.devicelog.com/ko/storage/hdd/samsung-spinpoint-f2eg-hd154ui-1-5tb/#respond Wed, 04 Mar 2015 11:48:00 +0000 https://www.devicelog.com/?p=830-ko Samsung Electronis sold its hard disk drive business to Seagate Technology for approximately US$1.4 billion in April 2011.

이 HDD는 다음과 같이 SATA-1 또는 SATA-2 모드로 변경할 수 있습니다 ESTool, the utility for Samsung hard disk drives.

Samsung HD154UI 1.5GB

상품명 삼성 Spinpont F2EG HD154UI 1.5TB
제조사 삼성전자
제조 국가 대한민국
년 / 월 빌드 2009/10
인터페이스 SATA 2 (3Gbits / s)
디스크 용량 1.5결핵 (1500GB)
버퍼 용량 32MB
섹터 당 바이트 512바이트
회전 속도 5400RPM
폼 팩터 3.5인치
크기
(폭 × 길이 × 높이)		 101.5 × 147.0 × 26.1mm
무게 650지
디스크 수 3
헤드 수 6
전압 5V(± 5 %), 12V(± 10 %)
스핀 업 전류 (최대) 2.0ㅏ
온도 범위 운영 : 0° C ~ 60 ° C
비 작동 : -40° C ~ 70 ° C
선형 충격
(1/2 사인 펄스)		 운영 : 70지
비 작동 : 300지
고도
(해수면 대비)		 운영 : -300 에 3,000 미디엄
비 작동 : -300 에 12,000 미디엄
전력 소비 게으른 : 5.1W
찾다. 목표물 탐색 : 5.7W
읽기 / 쓰기 : 6.3W
대기 : 1W
자다 : 1W
소음 유휴 25dB / 28dB를 찾으십시오
복구 불가능한 읽기 오류
1 10¹⁵ 비트의 섹터
사이클 시작 / 중지 50,000

Samsung HD154UI 1.5GBSamsung HD154UI 1.5GBSamsung HD154UI 1.5GB Samsung HD154UI 1.5GBSamsung HD154UI 1.5GB

]]> https://www.devicelog.com/storage/hdd/samsung-spinpoint-f2eg-hd154ui-1-5tb/feed/ 0 삼성 512메가바이트 PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-ko M368L6423DTM는 32M 비트 x는 64 더블 데이터 레이트(DDR) 각각 256Mb의 DDR SDRAM의 제 genernation에 기초 SDRAM 고밀도 메모리 모듈. M368L6423DTM는 여섯 CMOS 32M X의 구성 8 66pin TSOP-II의 4banks 더블 데이터 레이트 SDRAM과와 비트(400천) 패키지는 184pin 유리 에폭시 기판에 실장. 네 0.1uF를 디커플링 커패시터는 각 DDR SDRAM에 대해 평행하게 상기 인쇄 회로 기판 상에 장착되고. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

상품명 삼성 DDR SDRAM PC2700 5백12메가바이트 DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
제조사 삼성전자
제조 국가 대한민국
빌드 년 / 주 2003/12
데이터 용량 512MB
시계 속도 166MHz의 (PC2700, DDR333)
메모리 타이밍 CL = 2.5
풍모 184핀, DIMM, 버퍼 해제 비 ECC DDR SDRAM
크기 133.35mm × 31.75mm
데이터 비트 64비트
내부 모듈 은행 4
데이터 칩 조성물 K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8 비트 × 16chips)
꾸러미 TSOP-II
VDD 전압 2.5V ± 0.2V
작동 케이스 온도 범위 0° C ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 삼성 4기가바이트 PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-ko 삼성 전자는 7 월에 30 나노 공정 기술을 사용하여 DDR3의 SDRAM 모듈 출시 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

상품명 삼성 DDR3 SDRAM PC3-10600 4기가바이트 SO-DIMM
(2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
제조사 삼성전자 (비서)
제조 국가 중국
빌드 년 / 주 2011/13
데이터 용량 4GB
시계 속도 1333MHz의 (PC3-10600)
메모리 타이밍 CL = 9, tRCD와 = 9, TRP = 9
풍모 204핀, SODIMM, 버퍼 해제 비 ECC DDR3 SDRAM
생산 공정 기술 40나노
데이터 비트 64
내부 모듈 은행 8
계급 2
데이터 칩 조성물 256M의 X 8 * 16 개
구성 요소 수정 2기가, C-다이
꾸러미 78 볼 FBGA
신장 30mm
VDD 전압 1.5V
작동 케이스 온도 범위 0° C ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3 삼성 32메가바이트 SDRAM DIMM의 PC66 (KMM366S403BTN-G0) https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/sdram/samsung-sdram-32mb-pc66-kmm366s403btn-g0/ https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/sdram/samsung-sdram-32mb-pc66-kmm366s403btn-g0/#comments Thu, 14 Mar 2013 03:50:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=732-ko Samsung SDRAM 32MB PC66 KMM366S403BTN-G0

Samsung SDRAM 32MB PC66 KMM366S403BTN-G0 underside

  • 상품명 : 삼성 SDRAM 32메가바이트 PC66
  • 부품 번호 : KMM366S403BTN-G0
  • 제조사 : 삼성전자 (비서)
  • 제조 국가 : 대한민국
  • 빌드 년 / 주 : 1997/33
  • 데이터 용량 : 32MB
  • 시계 속도 : 66MHz의 (PC66)
  • 풍모 : 168핀, 무 버퍼 비 ECC SDRAM DIMM
  • 데이터 칩 조성물 : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 작은 조각
  • VDD : 3.3V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-sdram-32mb-pc66-kmm366s403btn-g0/feed/ 1 삼성 5백12메가바이트 PC3200 DDR SDRAM의 DIMM (CL3, 정품이 아닌 RAM) https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/ko/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-ko Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • 상품명 : 삼성 DDR SDRAM 5백12메가바이트 PC3200 (정품이 아닌 부품)
  • 부품 번호 : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • 제조사 : 삼성전자 (비서)
  • 제조 국가 : 대한민국
  • 빌드 년 / 주 : 2003/33
  • 데이터 용량 : 512MB
  • 시계 속도 : 400MHz의 (PC3200)
  • 풍모 : 184핀, 무 버퍼 비 ECC DDR SDRAM DIMM
  • 데이터 칩 조성물 : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 작은 조각
  • 데이터 은행 : 4 은행
  • 새로 고침 간격 : 7.8μS (8K / 64ms 새로 고침)
  • 읽기 latancy : 3 시계 (CL3)
  • 버스트 길이 : 2, 4, 8
  • 버스트 유형 : 잇달아 일어나는 & 인터리브
  • 최대 버스트 갱신주기 : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6V ± 0.1V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3