제조사 : 현대 전자 산업 (주), (주). 빌드 년 : 1994 제조 국가 : 한국 부품 번호 : HYM532100AM-70 폼 팩터 : SIMM 메모리 유형 : EDO DRAM 메모리 용량 : 4MB 버스 유형 : 빠른 페이지 메모리 (FPM) 오류 수정 : 비 패리티 핀 : 72핀 대역폭 : 32비트 지연 : 70NS (TRAC) 전압 […]

상품명 : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 제조업체 : EKmemory 제조국 : 한국 데이터 용량 : 2GB 클럭 속도 : 1333MHz의 (PC3-10600) 풍모 : 240핀, 언 버퍼 비 ECC DDR3 SDRAM DIMM 데이터 칩 구성 : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 칩 VDD 전압 : 1.5V 홈페이지 : HTTP://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = DRAM&없음 = 91

KMM591000AN -7- 두 KM44C1000AJ -7- 칩 및 하나 KM44C1000CJ -7- 칩으로 구성된다. KMM591000BN -7- 두 KM44C1000BJ -7- 칩 및 하나 KM44C1000CJ -7- 칩으로 구성된다. 그들은 삼성 전자에 의해 생산 1메가바이트 DRAM SIMM을이다. 제조 회사 : 삼성 전자 제조 년도 : 1992 / 1993 제조 국가 : 한국 모듈 특징 : 30핀, SIMM, 패리티 RAM 메모리 용량 […]

빠른 데이터 I / O를위한 임시 메모리 공간이있는 EDO DRAM. 시스템이 캐시 메모리 지원을받을 수 없을 때 효과적입니다. 그러나 시스템에 캐시 메모리가있는 경우, EDO DRAM의 효과는 거의 없습니다. 제조사 : 현대 전자 산업 (주), (주). 년 / 주 빌드 : 1997/32 제조 국가 : 대한민국 (대한민국) 부품 번호 […]

이 RAM은 현대 전자 산업에서 생산 한 30 핀 1MB SIMM입니다.(지금의 하이닉스). 30-핀 SIMM은 80286 에 80486. 칩 수가 홀수 인 경우, 칩 중 하나가 패리티 검사를 수행. 이 RAM은 두 개의 HY514400A로 구성됩니다(1M X 4 비트) 하나의 HY531000A(1M x 1 비트). 메모리 용량 […]