제조 중국 폼 팩터 microSDXC NAND 플래시 타입 TLC의 어댑터 모델명 SQUNC-128G-GN6MA 제조 업체 샌 디스크 나라와 제품 이름 샌 디스크 울트라 1백28기가바이트 마이크로 SDXC의 UHS-I 카드 허용 전압 2.7 ~ 3.3 V 데이터 용량 128 GB (119.052734375 지브, 121910 MIB, 127,831,900,160 바이트) 기본 파일 시스템 형식 exFAT에 속도 읽기: 최대. 80 MB / s의 (533엑스) 온도 범위 […]

제품 이름 삼성 DDR2 SDRAM 2기가바이트 2R의 × 8 PC2-6400 부품 번호 M378T5663QZ3-CF7 제조 업체 삼성 전자 국가 중국 (China) 년도 / 주 빌드 제조 2009/04, 2010/07 메모리 모듈 타입 DIMM 데이터 용량 2기가바이트 클럭 속도 800MHz의 (PC2-6400) 메모리 타이밍 CL = 6, tRCD와 = 6, TRP = 6 개 특징 240pin, 버퍼 해제 비 ECC DDR2 SDRAM DIMM 데이터 비트의 x64 내부 모듈 은행 8 계급 2 데이터 […]

Lite-On 56Kbps 전화 접속 내부 PCI 모뎀 (Agere Systems International 소프트 모뎀) 모델 번호 : D-11561 # / A1A (4491A-D1156A1A) 제조업체 Lite-On Technology Corp. / Agere Systems 제조 국가 중국 인터페이스 PCI 칩셋 Agere Systems SV92PL-T00 – 5V 허용 버퍼 및 카드 버스를 지원하는 통합 PCI 인터페이스 전원 • PCI 버스에서 3.3V 보조 전원 레일 필요 • 사용 […]

삼성 전자는 7 월에 30 나노 공정 기술을 사용하여 DDR3의 SDRAM 모듈 출시 2010. 이 RAM 모듈은 40 나노 공정 기술에 의해 만들어진. 제품 이름 Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) 제조업체 삼성 전자 (비서) 제조국 중국 건설 년 / 주 2011/13 데이터 용량 4기가바이트 클럭 속도 1333MHz의 (PC3-10600) 메모리 타이밍 […]

제품명 삼성 DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB 메모리 (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) 제조업체 Samsung Electronics 제조 업체 중국 빌드 년 / 주 2010/38 데이터 용량 2GB 클록 속도 1333Mhz (PC3-10600) 240 핀 특징, Unbuffer 비 -ECC DDR3 SDRAM DIMM 생산 공정 기술 40nm 데이터 비트 x64 내부 모듈 뱅크 8 데이터 칩 조성물 [SEC HCH9의 K4B2G0846C] ✕ 8 작은 조각 […]