삼성 4기가바이트 PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM

에 의해 게시 됨 DeviceLog.com | 에 게시 됨 DDR3 SDRAM | 에 게시 됨 2015-03-02

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삼성 전자는 7 월에 30 나노 공정 기술을 사용하여 DDR3의 SDRAM 모듈 출시 2010. 이 RAM 모듈은 40 나노 공정 기술에 의해 만들어진.

삼성 SODIMM DDR3 PC3-10600 4 기가 바이트 프론트 사이드 삼성 SODIMM DDR3 PC3-10600 4 기가 바이트 rearside

상품명 삼성 DDR3 SDRAM PC3-10600 4기가바이트 SO-DIMM
(2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
제조사 삼성전자 (비서)
제조 국가 중국
빌드 년 / 주 2011/13
데이터 용량 4GB
시계 속도 1333MHz의 (PC3-10600)
메모리 타이밍 CL = 9, tRCD와 = 9, TRP = 9
풍모 204핀, SODIMM, 버퍼 해제 비 ECC DDR3 SDRAM
생산 공정 기술 40나노
데이터 비트 64
내부 모듈 은행 8
계급 2
데이터 칩 조성물 256M의 X 8 * 16 개
구성 요소 수정 2기가, C-다이
꾸러미 78 볼 FBGA
신장 30mm
VDD 전압 1.5V
작동 케이스 온도 범위 0° C ~ 85 ° C

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코멘트 (3)

Yonathan 싱손 에 말했다 2016-11-30

나는이 메모리를 구입하고 싶습니다.

댓글
마지드 에 말했다 2018-11-07

안녕,

나는이 중 하나를 주문할 수있는 방법?

감사합니다!

댓글
잭 마스 카렌 하스 에 말했다 2019-12-17

나는이 모듈 중 하나를 구입할 계획했다

삼성 DDR3 SDRAM PC3-10600 4기가바이트 SO-DIMM
(2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)

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