https://www.devicelog.com/kn/ device, part, ವಿಶೇಷಣ Tue, 23 Mar 2021 10:33:05 +0000 kn hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-kn

ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು	EK ಮೆಮೊರಿ 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ	EKM256S74BP8-E6
ತಯಾರಕ	ಇಕೆ ಮೆಮೊರಿ
ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ	ತೈವಾನ್
ಚಿಪ್ ಬಿಲ್ಡ್ ವರ್ಷ/ವಾರ	2008/27
ಮೆಮೊರಿ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಪ್ರಕಾರ	DDR2 SO-DIMM 200 ಪಿನ್
ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ	2ಜಿಬಿ
ಗಡಿಯಾರದ ವೇಗ	667Mhz (PC2-5300)
ಮೆಮೊರಿ ಸಮಯ	CL=5, tRCD=5, tRP=5
ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು	200ಪಿನ್ ಬಫರ್ ಮಾಡಲಾಗಿಲ್ಲ ಇಸಿಸಿ ಅಲ್ಲದ ನೋಟ್ಬುಕ್(ಲ್ಯಾಪ್ಟಾಪ್) ಸ್ಮರಣೆ
ಡೇಟಾ ಬಿಟ್‌ಗಳು	x64
ಡೇಟಾ ಚಿಪ್ ಮಾಹಿತಿ	EK20908A8A-3EG 20827 XCG248-UA3G
ಪ್ಯಾಕೇಜ್	FBGA (ಫೈನ್-ಪಿಚ್ BGA)
VDD ವೋಲ್ಟೇಜ್	1.8ವಿ

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-kn

ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು	Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11)
ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ	M378A2K43CB1-CTD (ಸಿ-ಡೈ)
ತಯಾರಕ	ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್
ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ	ಚೀನಾ
ಬಿಲ್ಡ್ ವರ್ಷ/ವಾರ	2019 / 06
DIMM ಪ್ರಕಾರ	ಯುಡಿಐಎಂಗಳು
ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ	16ಜಿಬಿ
ಡೇಟಾ ದರ (ಗರಿಷ್ಠ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್)	2666.67 MT/s (21333.33 MB/s)
ಮೆಮೊರಿ ಸಮಯ (CL – ಟಿಆರ್ಸಿಡಿ – ಟಿಆರ್ಪಿ – ನಂತರ – ಟಿಆರ್ಸಿ)	19-19-19-43-61
ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು	288ಪಿನ್, ನಾನ್-ಇಸಿಸಿ DDR4 SDRAM DIMM ಅನ್ನು ಅನ್ಬಫರ್ ಮಾಡಿ
ಡೇಟಾ ಬಿಟ್‌ಗಳು	x64
ಆಂತರಿಕ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಬ್ಯಾಂಕುಗಳು	16 ಬ್ಯಾಂಕುಗಳು (4 ಬ್ಯಾಂಕ್ ಗುಂಪುಗಳು)
ಶ್ರೇಯಾಂಕಗಳು	2 (ಉಭಯ ಶ್ರೇಣಿ)
ಘಟಕ ಸಂಯೋಜನೆ	(1ಜಿ × 8) × 16 (K4A8G085WC-BCTD) × 16
ಪ್ಯಾಕೇಜ್	78ಲೀಡ್-ಫ್ರೀ ಜೊತೆಗೆ FBGA & ಹ್ಯಾಲೊಜೆನ್-ಮುಕ್ತ (RoHS ಕಂಪ್ಲೈಂಟ್)
ಎತ್ತರ	31.25 ಮಿಮೀ
VDD ವೋಲ್ಟೇಜ್	1.2 ವಿ ± 0.06 ವಿ
ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಕೇಸ್ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ	ಸರಾಸರಿ ರಿಫ್ರೆಶ್ ಅವಧಿ 7.8us ಕಡಿಮೆ Tಕೇಸ್ 85℃, 3.9ನಮಗೆ 85℃ < ಟಿಕೇಸ್ ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-kn

ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು	Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11)
ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ	M378A1K43CB2-CTD (ಸಿ-ಡೈ)
ತಯಾರಕ	ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್
ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ	ಚೀನಾ
ಬಿಲ್ಡ್ ವರ್ಷ/ವಾರ	2018 / 28
DIMM ಪ್ರಕಾರ	ಯುಡಿಐಎಂಗಳು
ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ	8ಜಿಬಿ
ಡೇಟಾ ದರ (ಗರಿಷ್ಠ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್)	2666.67 MT/s (21333.33 MB/s)
ಮೆಮೊರಿ ಸಮಯ (CL – ಟಿಆರ್ಸಿಡಿ – ಟಿಆರ್ಪಿ – ನಂತರ – ಟಿಆರ್ಸಿ)	19-19-19-43-61
ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು	288ಪಿನ್, ನಾನ್-ಇಸಿಸಿ DDR4 SDRAM DIMM ಅನ್ನು ಅನ್ಬಫರ್ ಮಾಡಿ
ಡೇಟಾ ಬಿಟ್‌ಗಳು	x64
ಆಂತರಿಕ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಬ್ಯಾಂಕುಗಳು	16 ಬ್ಯಾಂಕುಗಳು (4 ಬ್ಯಾಂಕ್ ಗುಂಪುಗಳು)
ಶ್ರೇಯಾಂಕಗಳು	1 (ಏಕ ಶ್ರೇಣಿ)
ಘಟಕ ಸಂಯೋಜನೆ	(1ಜಿ × 8) × 8 (K4A8G085WC-BCTD) × 8
ಪ್ಯಾಕೇಜ್	78ಲೀಡ್-ಫ್ರೀ ಜೊತೆಗೆ FBGA & ಹ್ಯಾಲೊಜೆನ್-ಮುಕ್ತ (RoHS ಕಂಪ್ಲೈಂಟ್)
ಎತ್ತರ	30ಮಿಮೀ
VDD ವೋಲ್ಟೇಜ್	1.2ವಿ ± 0.06 ವಿ
ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಕೇಸ್ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ	ಸರಾಸರಿ ರಿಫ್ರೆಶ್ ಅವಧಿ 7.8us ಕಡಿಮೆ Tಕೇಸ್ 85℃, 3.9ನಮಗೆ 85℃ < ಟಿಕೇಸ್ ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-kn

ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು	Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 ಮೆಮೊರಿ (2Rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
ತಯಾರಕ	ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ (SEC)
ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ	ದಕ್ಷಿಣ ಕೊರಿಯಾ
ವರ್ಷ/ವಾರವನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಿ	2011/31
ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ	4ಜಿಬಿ
ಗಡಿಯಾರದ ವೇಗ	1333Mhz (PC3-10600)
ಮೆಮೊರಿ ಸಮಯ	CL=9, tRCD=9, tRP=9
ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು	240ಪಿನ್, ಅನ್ಬಫರ್ ನಾನ್-ಇಸಿಸಿ DDR3 SDRAM DIMM
ಡೇಟಾ ಬಿಟ್‌ಗಳು	x64
ಆಳ / ಬಿಟ್ ಸಂಘಟನೆ	512ಎಂ / x8
ಆಂತರಿಕ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಬ್ಯಾಂಕುಗಳು	8
ಶ್ರೇಯಾಂಕಗಳು	2
ಡೇಟಾ ಚಿಪ್ ಸಂಯೋಜನೆ	[SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 ಚಿಪ್ಸ್ (256Mbit ✕ 8 ✕ 16 ಪಿಸಿಗಳು)
ಘಟಕ ಪರಿಷ್ಕರಣೆ	4ನೇ ಪೀಳಿಗೆ
ಪ್ಯಾಕೇಜ್	FBGA (ಸೀಸ-ಮುಕ್ತ & ಹ್ಯಾಲೊಜೆನ್-ಮುಕ್ತ)
ಎತ್ತರ	30ಮಿಮೀ
VDD ವೋಲ್ಟೇಜ್	1.5ವಿ
ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಕೇಸ್ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ	0°C ~ 85 °C

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0