ಇಸಿಸಿ ಅಲ್ಲದ – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/kn/ device, part, spec Tue, 23 Mar 2021 10:33:05 +0000 kn hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 EK ಮೆಮೊರಿ 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-kn EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು EK Memory 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ EKM256S74BP8-E6
ತಯಾರಕ EK Memory
ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ Taiwan
ಚಿಪ್ ಬಿಲ್ಡ್ ವರ್ಷ/ವಾರ 2008/27
Memory Module Type DDR2 SO-DIMM 200 ಪಿನ್
ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ 2ಜಿಬಿ
ಗಡಿಯಾರದ ವೇಗ 667Mhz (PC2-5300)
ಮೆಮೊರಿ ಸಮಯ CL=5, tRCD=5, tRP=5
ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು 200ಪಿನ್
Unbuffered
ಇಸಿಸಿ ಅಲ್ಲದ
ನೋಟ್ಬುಕ್(ಲ್ಯಾಪ್ಟಾಪ್) ಸ್ಮರಣೆ
Data Bits x64
Data Chip info EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ FBGA (Fine-pitch BGA)
VDD Voltage 1.8ವಿ

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-kn SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ M378A2K43CB1-CTD
(ಸಿ-ಡೈ)
ತಯಾರಕ ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್
ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ ಚೀನಾ
ಬಿಲ್ಡ್ ವರ್ಷ/ವಾರ 2019 / 06
DIMM type UDIMM
ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ 16ಜಿಬಿ
Data Rate
(ಗರಿಷ್ಠ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್)		 2666.67 MT/s
(21333.33 MB/s)
ಮೆಮೊರಿ ಸಮಯ
(CL – ಟಿಆರ್ಸಿಡಿ – ಟಿಆರ್ಪಿ – ನಂತರ – ಟಿಆರ್ಸಿ)		 19-19-19-43-61
ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು 288ಪಿನ್, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Data Bits x64
Internal Module Banks 16 Banks (4 Bank Groups)
ಶ್ರೇಯಾಂಕಗಳು 2 (Dual Rank)
Component Composition (1G × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ 78FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
(RoHS compliant)
ಎತ್ತರ 31.25 ಮಿಮೀ
VDD Voltage 1.2 V ± 0.06 ವಿ
ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಕೇಸ್ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ Average Refresh Period 7.8us at lower then TCASE 85℃,
3.9us at 85℃ < TCASE ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-kn SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ M378A1K43CB2-CTD
(ಸಿ-ಡೈ)
ತಯಾರಕ ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್
ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ ಚೀನಾ
ಬಿಲ್ಡ್ ವರ್ಷ/ವಾರ 2018 / 28
DIMM type UDIMM
ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ 8ಜಿಬಿ
Data Rate
(ಗರಿಷ್ಠ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್)		 2666.67 MT/s
(21333.33 MB/s)
ಮೆಮೊರಿ ಸಮಯ
(CL – ಟಿಆರ್ಸಿಡಿ – ಟಿಆರ್ಪಿ – ನಂತರ – ಟಿಆರ್ಸಿ)		 19-19-19-43-61
ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು 288ಪಿನ್, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Data Bits x64
Internal Module Banks 16 Banks (4 Bank Groups)
ಶ್ರೇಯಾಂಕಗಳು 1 (Single Rank)
Component Composition (1G × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ 78FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
(RoHS compliant)
ಎತ್ತರ 30ಮಿಮೀ
VDD Voltage 1.2V ± 0.06V
ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಕೇಸ್ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ Average Refresh Period 7.8us at lower then TCASE 85℃,
3.9us at 85℃ < TCASE ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, ಅಸಲಿ RAM) https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-kn Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (ಅಸಲಿ ಭಾಗಗಳು)
  • ಭಾಗ ಸಂಖ್ಯೆ : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • ತಯಾರಕ : ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ (SEC)
  • ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ : ದಕ್ಷಿಣ ಕೊರಿಯಾ
  • ವರ್ಷ/ವಾರವನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಿ : 2003/33
  • ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ : 512MB
  • ಗಡಿಯಾರದ ವೇಗ : 400Mhz (PC3200)
  • ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು : 184ಪಿನ್, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM
  • ಡೇಟಾ ಚಿಪ್ ಸಂಯೋಜನೆ : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 ಚಿಪ್ಸ್
  • Data banks : 4 banks
  • Refresh interval : 7.8μs (8K/64ms refresh)
  • Read latancy : 3 clock (CL3)
  • Burst length : 2, 4, 8
  • Burst type : sequential & interleave
  • Maximum burst refresh cycle : 8
  • ವಿಡಿಡಿ, VDDQ : 2.6V ± 0.1V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3 Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8, ಕೊರಿಯಾ) https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-kn Samsung DDR3 SDRAM 4GB Memory DIMM (2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131)

ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Memory
(2Rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
ತಯಾರಕ ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ (SEC)
ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ ದಕ್ಷಿಣ ಕೊರಿಯಾ
ವರ್ಷ/ವಾರವನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಿ 2011/31
ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ 4ಜಿಬಿ
ಗಡಿಯಾರದ ವೇಗ 1333Mhz (PC3-10600)
ಮೆಮೊರಿ ಸಮಯ CL=9, tRCD=9, tRP=9
ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು 240ಪಿನ್, ಅನ್ಬಫರ್ ನಾನ್-ಇಸಿಸಿ DDR3 SDRAM DIMM
ಡೇಟಾ ಬಿಟ್‌ಗಳು x64
ಆಳ / ಬಿಟ್ ಸಂಘಟನೆ 512ಎಂ / x8
ಆಂತರಿಕ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಬ್ಯಾಂಕುಗಳು 8
ಶ್ರೇಯಾಂಕಗಳು 2
ಡೇಟಾ ಚಿಪ್ ಸಂಯೋಜನೆ [SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 ಚಿಪ್ಸ್
(256Mbit ✕ 8 ✕ 16 pcs)
ಘಟಕ ಪರಿಷ್ಕರಣೆ 4ನೇ ಪೀಳಿಗೆ
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ FBGA (ಸೀಸ-ಮುಕ್ತ & ಹ್ಯಾಲೊಜೆನ್-ಮುಕ್ತ)
ಎತ್ತರ 30ಮಿಮೀ
VDD ವೋಲ್ಟೇಜ್ 1.5ವಿ
ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಕೇಸ್ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ 0°C ~ 85 °C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0 Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1Rx8, ಚೀನಾ) https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/#comments Wed, 09 Jan 2013 14:20:55 +0000 https://www.devicelog.com/?p=557-kn Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB ಮೆಮೊರಿ
(1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1)
ತಯಾರಕ ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್
ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ ಚೀನಾ
ವರ್ಷ/ವಾರವನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಿ 2010/38
ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ 2ಜಿಬಿ
ಗಡಿಯಾರದ ವೇಗ 1333Mhz (PC3-10600)
ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು 240ಪಿನ್, ಅನ್ಬಫರ್ ನಾನ್-ಇಸಿಸಿ DDR3 SDRAM DIMM
ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ 40nm
ಡೇಟಾ ಬಿಟ್‌ಗಳು x64
ಆಂತರಿಕ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಬ್ಯಾಂಕುಗಳು 8
ಡೇಟಾ ಚಿಪ್ ಸಂಯೋಜನೆ [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 ಚಿಪ್ಸ್
ಆಳ / ಬಿಟ್ ಸಂಘಟನೆ 256ಎಂ / x8
ಘಟಕ ಪರಿಷ್ಕರಣೆ 4ನೇ ಪೀಳಿಗೆ
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ FBGA (ಸೀಸ-ಮುಕ್ತ & ಹ್ಯಾಲೊಜೆನ್-ಮುಕ್ತ)
ಎತ್ತರ 30ಮಿಮೀ
VDD ವೋಲ್ಟೇಜ್ 1.5ವಿ
ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಕೇಸ್ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ 0°C ~ 85 °C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/feed/ 6