DRAM – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/kn/ device, part, ವಿಶೇಷಣ Thu, 01 Dec 2022 23:32:55 +0000 kn hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/#respond Wed, 20 Jul 2022 09:33:56 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1358-kn Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0) backside

  • ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66
  • ಭಾಗ ಸಂಖ್ಯೆ : KMM366S203CTL-G0
  • ತಯಾರಕ : ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಕಂ., ಲಿಮಿಟೆಡ್. (SEC)
  • ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ : ದಕ್ಷಿಣ ಕೊರಿಯಾ
  • ವರ್ಷ/ವಾರವನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಿ : 1998/09
  • ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ : 16MB
  • ಗಡಿಯಾರದ ವೇಗ : 66Mhz (PC66)
  • ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು : 168 ಪಿನ್, ಬಫರ್ ಮಾಡದ ನಾನ್-ಇಸಿಸಿ SDRAM DIMM
  • ಡೇಟಾ ಚಿಪ್ ಸಂಯೋಜನೆ : [KM48S2020CT-G10] × 8 ಚಿಪ್ಸ್
    (2M × 64 ಬಿಟ್)
  • ಒಂದು ಚಿಪ್ ಮಾಹಿತಿ
    • KM48S2020CT-G10 (UQK218EM ಅಥವಾ UQL004DD)
    • ಮೆಮೊರಿ ಐಸಿ ಪ್ರಕಾರ : ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ DRAM
    • ಸಾಮರ್ಥ್ಯ : 2M x 8bit
    • ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ-ಗರಿಷ್ಠ : 7 ಎನ್ಎಸ್
    • ಇಂಟರ್ಲೀವ್ಡ್ ಬರ್ಸ್ಟ್ ಲೆಂಗ್ತ್: 1, 2, 4, 8
    • ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ-ಗರಿಷ್ಠ (fCLK) : 100 MHz
    • 44 ಪಿನ್
    • ವರ್ಷ/ವಾರವನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಿ : 1998/07
  • ವಿಡಿಡಿ : 3.3ವಿ
  • ETC : 366S203BTL, AD1055-00, SMB2 94V-0
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/feed/ 0 LG ಸೆಮಿಕಾನ್ 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S) https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/#respond Fri, 15 Jul 2022 08:54:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1350-kn LG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM GMM2642233BLTG-10K 7101SLG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM 168pin DIMM

  • ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು : LG SDRAM 16MB PC66
  • ಭಾಗ ಸಂಖ್ಯೆ : GMM2642233BLTG-10K 7101S
  • ತಯಾರಕ : LG ಸೆಮಿಕಾನ್ ಕಂ., Ltd.
  • ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ : ದಕ್ಷಿಣ ಕೊರಿಯಾ
  • ವರ್ಷ/ವಾರವನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಿ : 1997/03
  • ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ : 16MB
  • ಗಡಿಯಾರದ ವೇಗ : 66Mhz (PC66)
  • ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು : 168ಪಿನ್, ಬಫರ್ ಮಾಡದ ನಾನ್-ಇಸಿಸಿ SDRAM DIMM
  • ಡೇಟಾ ಚಿಪ್ ಸಂಯೋಜನೆ : [GM72V16821BT10K] × 8 ಚಿಪ್ಸ್
    (2M × 64 ಬಿಟ್)
  • ಒಂದು ಚಿಪ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ : 2M x 8bit
  • ವಿಡಿಡಿ : 3.3ವಿ
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/feed/ 0 LG ಸೆಮಿಕಾನ್ 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/#comments Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1336-kn LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM backside

  • ತಯಾರಕ : LG ಸೆಮಿಕಾನ್ ಕಂ., Ltd.
  • ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ : ದಕ್ಷಿಣ ಕೊರಿಯಾ
  • ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : ?
  • ರಚನೆಯ ಅಂಶ : SIMM
  • ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು : 72ಪಿನ್, EDO DRAM, ನಾನ್-ಪಾರಿಟಿ
  • ಮೆಮೊರಿ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ : 16MB
  • ಬ್ಯಾಂಡ್ವಿಡ್ತ್ : 32ಸ್ವಲ್ಪ
  • ವೇಗ : 60ಎನ್ಎಸ್(tRAC)
  • ವೋಲ್ಟೇಜ್ : 5ವಿ
  • ಚಿಪ್ ಸಂಯೋಜನೆ : GM71C17400CJ6 × 8
  • ಚಿಪ್ ಬಿಲ್ಡ್ ವರ್ಷ/ವಾರ : 1998/27
  • ಒಂದು ಚಿಪ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ : 4M x 4bit
  • ಇತ್ಯಾದಿ : ಅಡೋನಿಕ್ಸ್®, SD816
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/feed/ 1 EK ಮೆಮೊರಿ 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-kn EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು EK ಮೆಮೊರಿ 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ EKM256S74BP8-E6
ತಯಾರಕ ಇಕೆ ಮೆಮೊರಿ
ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ ತೈವಾನ್
ಚಿಪ್ ಬಿಲ್ಡ್ ವರ್ಷ/ವಾರ 2008/27
ಮೆಮೊರಿ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಪ್ರಕಾರ DDR2 SO-DIMM 200 ಪಿನ್
ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ 2ಜಿಬಿ
ಗಡಿಯಾರದ ವೇಗ 667Mhz (PC2-5300)
ಮೆಮೊರಿ ಸಮಯ CL=5, tRCD=5, tRP=5
ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು 200ಪಿನ್
ಬಫರ್ ಮಾಡಲಾಗಿಲ್ಲ
ಇಸಿಸಿ ಅಲ್ಲದ
ನೋಟ್ಬುಕ್(ಲ್ಯಾಪ್ಟಾಪ್) ಸ್ಮರಣೆ
ಡೇಟಾ ಬಿಟ್‌ಗಳು x64
ಡೇಟಾ ಚಿಪ್ ಮಾಹಿತಿ EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ FBGA (ಫೈನ್-ಪಿಚ್ BGA)
VDD ವೋಲ್ಟೇಜ್ 1.8ವಿ

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-kn SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ M378A2K43CB1-CTD
(ಸಿ-ಡೈ)
ತಯಾರಕ ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್
ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ ಚೀನಾ
ಬಿಲ್ಡ್ ವರ್ಷ/ವಾರ 2019 / 06
DIMM ಪ್ರಕಾರ ಯುಡಿಐಎಂಗಳು
ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ 16ಜಿಬಿ
ಡೇಟಾ ದರ
(ಗರಿಷ್ಠ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್)		 2666.67 MT/s
(21333.33 MB/s)
ಮೆಮೊರಿ ಸಮಯ
(CL – ಟಿಆರ್ಸಿಡಿ – ಟಿಆರ್ಪಿ – ನಂತರ – ಟಿಆರ್ಸಿ)		 19-19-19-43-61
ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು 288ಪಿನ್, ನಾನ್-ಇಸಿಸಿ DDR4 SDRAM DIMM ಅನ್ನು ಅನ್ಬಫರ್ ಮಾಡಿ
ಡೇಟಾ ಬಿಟ್‌ಗಳು x64
ಆಂತರಿಕ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಬ್ಯಾಂಕುಗಳು 16 ಬ್ಯಾಂಕುಗಳು (4 ಬ್ಯಾಂಕ್ ಗುಂಪುಗಳು)
ಶ್ರೇಯಾಂಕಗಳು 2 (ಉಭಯ ಶ್ರೇಣಿ)
ಘಟಕ ಸಂಯೋಜನೆ (1ಜಿ × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ 78ಲೀಡ್-ಫ್ರೀ ಜೊತೆಗೆ FBGA & ಹ್ಯಾಲೊಜೆನ್-ಮುಕ್ತ
(RoHS ಕಂಪ್ಲೈಂಟ್)
ಎತ್ತರ 31.25 ಮಿಮೀ
VDD ವೋಲ್ಟೇಜ್ 1.2 ವಿ ± 0.06 ವಿ
ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಕೇಸ್ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ ಸರಾಸರಿ ರಿಫ್ರೆಶ್ ಅವಧಿ 7.8us ಕಡಿಮೆ Tಕೇಸ್ 85℃,
3.9ನಮಗೆ 85℃ < ಟಿಕೇಸ್ ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-kn SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ M378A1K43CB2-CTD
(ಸಿ-ಡೈ)
ತಯಾರಕ ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್
ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ ಚೀನಾ
ಬಿಲ್ಡ್ ವರ್ಷ/ವಾರ 2018 / 28
DIMM ಪ್ರಕಾರ ಯುಡಿಐಎಂಗಳು
ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ 8ಜಿಬಿ
ಡೇಟಾ ದರ
(ಗರಿಷ್ಠ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್)		 2666.67 MT/s
(21333.33 MB/s)
ಮೆಮೊರಿ ಸಮಯ
(CL – ಟಿಆರ್ಸಿಡಿ – ಟಿಆರ್ಪಿ – ನಂತರ – ಟಿಆರ್ಸಿ)		 19-19-19-43-61
ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು 288ಪಿನ್, ನಾನ್-ಇಸಿಸಿ DDR4 SDRAM DIMM ಅನ್ನು ಅನ್ಬಫರ್ ಮಾಡಿ
ಡೇಟಾ ಬಿಟ್‌ಗಳು x64
ಆಂತರಿಕ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಬ್ಯಾಂಕುಗಳು 16 ಬ್ಯಾಂಕುಗಳು (4 ಬ್ಯಾಂಕ್ ಗುಂಪುಗಳು)
ಶ್ರೇಯಾಂಕಗಳು 1 (ಏಕ ಶ್ರೇಣಿ)
ಘಟಕ ಸಂಯೋಜನೆ (1ಜಿ × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ 78ಲೀಡ್-ಫ್ರೀ ಜೊತೆಗೆ FBGA & ಹ್ಯಾಲೊಜೆನ್-ಮುಕ್ತ
(RoHS ಕಂಪ್ಲೈಂಟ್)
ಎತ್ತರ 30ಮಿಮೀ
VDD ವೋಲ್ಟೇಜ್ 1.2ವಿ ± 0.06 ವಿ
ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಕೇಸ್ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ ಸರಾಸರಿ ರಿಫ್ರೆಶ್ ಅವಧಿ 7.8us ಕಡಿಮೆ Tಕೇಸ್ 85℃,
3.9ನಮಗೆ 85℃ < ಟಿಕೇಸ್ ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/#respond Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1116-kn Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400
ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ M378T5663QZ3-CF7
ತಯಾರಕ ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್
ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ ಚೀನಾ
ಬಿಲ್ಡ್ ವರ್ಷ/ವಾರ 2009/04, 2010/07
ಮೆಮೊರಿ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಪ್ರಕಾರ DIMM
ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ 2ಜಿಬಿ
ಗಡಿಯಾರದ ವೇಗ 800Mhz (PC2-6400)
ಮೆಮೊರಿ ಸಮಯ CL=6, tRCD=6, tRP=6
ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು 240ಪಿನ್, ಬಫರ್ ಮಾಡದ ನಾನ್-ಇಸಿಸಿ DDR2 SDRAM DIMM
ಡೇಟಾ ಬಿಟ್‌ಗಳು x64
ಆಂತರಿಕ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಬ್ಯಾಂಕುಗಳು 8
ಶ್ರೇಯಾಂಕಗಳು 2
ಡೇಟಾ ಚಿಪ್ ಸಂಯೋಜನೆ
(ಆಳ × ಬಿಟ್ ಸಂಸ್ಥೆ × ಪಿಸಿಗಳು)		 128ಎಂ × 8 × 16pcs
(K4T1G084QQ × 16pcs)
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ 60ಲೀಡ್-ಫ್ರೀ ಮತ್ತು ಹ್ಯಾಲೊಜೆನ್-ಫ್ರೀ ಜೊತೆಗೆ FBGA
(RoHS ಕಂಪ್ಲೈಂಟ್)
ಎತ್ತರ 30ಮಿಮೀ
VDD ವೋಲ್ಟೇಜ್ 1.8ವಿ ± 0.1 ವಿ
ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಕೇಸ್ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ 0°C ~ 95 °C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/feed/ 0 Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R×8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-kn Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
ತಯಾರಕ ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್
ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ ಫಿಲಿಪೈನ್
ವರ್ಷ/ವಾರವನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಿ 2014/08
ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ 8ಜಿಬಿ
ಗಡಿಯಾರದ ವೇಗ 1600Mhz (PC3-12800)
ಮೆಮೊರಿ ಸಮಯ CL=11, tRCD=11, tRP=11
ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು 240ಪಿನ್, ಅನ್ಬಫರ್ ನಾನ್-ಇಸಿಸಿ DDR3 SDRAM DIMM
ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ 20, 30, 40nm
ಡೇಟಾ ಬಿಟ್‌ಗಳು x64
ಆಂತರಿಕ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಬ್ಯಾಂಕುಗಳು 8
ಶ್ರೇಯಾಂಕಗಳು 2
ಡೇಟಾ ಚಿಪ್ ಸಂಯೋಜನೆ
(ಆಳ × ಬಿಟ್ ಸಂಸ್ಥೆ × ಪಿಸಿಗಳು)		 512M×8 × 16 ಪಿಸಿಗಳು
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 ಪಿಸಿಗಳು)
ಪ್ಯಾಕೇಜ್
78 FBGA ಲೀಡ್-ಫ್ರೀ ಜೊತೆಗೆ & ಹ್ಯಾಲೊಜೆನ್-ಮುಕ್ತ
(RoHS ಕಂಪ್ಲೈಂಟ್)
ಎತ್ತರ 30ಮಿಮೀ
VDD ವೋಲ್ಟೇಜ್ 1.5ವಿ ± 0.075 ವಿ
ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಕೇಸ್ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ 0°C ~ 95 °C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-kn M368L6423DTM 32M ಬಿಟ್ x ಆಗಿದೆ 64 ಡಬಲ್ ಡೇಟಾ ದರ(ಡಿಡಿಆರ್) ಕ್ರಮವಾಗಿ 256Mb DDR SDRAM ನ ಐದನೇ ತಲೆಮಾರಿನ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ SDRAM ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಮೆಮೊರಿ ಮಾಡ್ಯೂಲ್. M368L6423DTM ಹದಿನಾರು CMOS 32M x ಅನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿದೆ 8 66pin TSOP-II ನಲ್ಲಿ 4banks ಡಬಲ್ ಡೇಟಾ ದರ SDRAMಗಳೊಂದಿಗೆ ಬಿಟ್(400ಮಿಲಿ) ಪ್ಯಾಕೇಜುಗಳನ್ನು 184ಪಿನ್ ಗ್ಲಾಸ್-ಎಪಾಕ್ಸಿ ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್‌ನಲ್ಲಿ ಅಳವಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ಪ್ರತಿ DDR SDRAM ಗೆ ಸಮಾನಾಂತರವಾಗಿ ಮುದ್ರಿತ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಬೋರ್ಡ್‌ನಲ್ಲಿ ನಾಲ್ಕು 0.1uF ಡಿಕೌಪ್ಲಿಂಗ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ಗಳನ್ನು ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ.. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
ತಯಾರಕ ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್
ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ ಕೊರಿಯಾ
ವರ್ಷ/ವಾರವನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಿ 2003/12
ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ 512MB
ಗಡಿಯಾರದ ವೇಗ 166Mhz (PC2700, DDR333)
ಮೆಮೊರಿ ಸಮಯ CL=2.5
ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು 184ಪಿನ್, DIMM, ಬಫರ್ ಮಾಡದ ನಾನ್-ಇಸಿಸಿ DDR SDRAM
ಗಾತ್ರ 133.35mm × 31.75mm
ಡೇಟಾ ಬಿಟ್‌ಗಳು 64ಸ್ವಲ್ಪ
ಆಂತರಿಕ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಬ್ಯಾಂಕುಗಳು 4
ಡೇಟಾ ಚಿಪ್ ಸಂಯೋಜನೆ K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8bit × 16ಚಿಪ್ಸ್)
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ TSOP-II
VDD ವೋಲ್ಟೇಜ್ 2.5ವಿ ± 0.2 ವಿ
ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಕೇಸ್ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ 0°C ~ 85 °C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/kn/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-kn ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಜುಲೈನಲ್ಲಿ 30nm ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು DDR3 SDRAM ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳನ್ನು ಬಿಡುಗಡೆ ಮಾಡಿತು 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
ತಯಾರಕ ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ (SEC)
ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ ಚೀನಾ
ವರ್ಷ/ವಾರವನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಿ 2011/13
ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ 4ಜಿಬಿ
ಗಡಿಯಾರದ ವೇಗ 1333Mhz (PC3-10600)
ಮೆಮೊರಿ ಸಮಯ CL=9, tRCD=9, tRP=9
ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು 204ಪಿನ್, SODIMM, ನಾನ್-ಇಸಿಸಿ DDR3 SDRAM ಅನ್ನು ಅನ್ಬಫರ್ ಮಾಡಿ
ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ 40nm
ಡೇಟಾ ಬಿಟ್‌ಗಳು x64
ಆಂತರಿಕ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಬ್ಯಾಂಕುಗಳು 8
ಶ್ರೇಯಾಂಕಗಳು 2
ಡೇಟಾ ಚಿಪ್ ಸಂಯೋಜನೆ 256ಎಂ ಎಕ್ಸ್ 8 * 16 ಪಿಸಿಗಳು
ಘಟಕ ಪರಿಷ್ಕರಣೆ 2ಜಿಬಿ, ಸಿ-ಡೈ
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ 78 ಚೆಂಡು FBGA
ಎತ್ತರ 30ಮಿಮೀ
VDD ವೋಲ್ಟೇಜ್ 1.5ವಿ
ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಕೇಸ್ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ 0°C ~ 85 °C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3