ការចងចាំ – DeviceLog.com

Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0)

DeviceLog.com — Wed, 20 Jul 2022 09:33:56 +0000

ឈ្មោះផលិតផល : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66
លេខផ្នែក : KMM366S203CTL-G0
ក្រុមហ៊ុនផលិត : ក្រុមហ៊ុន Samsung Electronics Co., អិលធីឌី. (SEC)
ប្រទេសនៃការផលិត : កូរ៉េខាងត្បូង
សាងសង់ឆ្នាំ / សប្តាហ៍ : 1998/09
សមត្ថភាពទិន្នន័យ : 16មេកាបៃ
ល្បឿននាឡិកា : 66Mhz (កុំព្យូទ័រ PC66)
លក្ខណៈពិសេស : 168 ម្ជុល, អេមអេសអេសអេមអេសអេមអេមអេមអិម
សមាសភាពបន្ទះឈីបទិន្នន័យ : [KM48S2020CT-G10] × 8 បន្ទះសៀគ្វី
(2M × 64 ប៊ីត)
ព័ត៌មានបន្ទះឈីបមួយ។
- KM48S2020CT-G10 (UQK218EM ឬ UQL004DD)
- ប្រភេទអង្គចងចាំ IC : ធ្វើសមកាលកម្ម DRAM
- សមត្ថភាព : 2ម x ៨ ប៊ីត
- ពេលវេលាចូលប្រើអតិបរមា : 7 ន
- ប្រវែងការផ្ទុះអន្តរជាតិ: 1, 2, 4, 8
- ប្រេកង់នាឡិកា - អតិបរមា (fCLK) : 100 MHz
- 44 ម្ជុល
- សាងសង់ឆ្នាំ / សប្តាហ៍ : 1998/07
VDD : 3.3វី
ល : 366S203BTL, AD1055-00, SMB2 94V-0

LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S)

DeviceLog.com — Fri, 15 Jul 2022 08:54:09 +0000

ឈ្មោះផលិតផល : LG SDRAM 16MB PC66
លេខផ្នែក : GMM2642233BLTG-10K 7101S
ក្រុមហ៊ុនផលិត : ក្រុមហ៊ុន LG Semicon, Ltd.
ប្រទេសនៃការផលិត : កូរ៉េខាងត្បូង
សាងសង់ឆ្នាំ / សប្តាហ៍ : 1997/03
សមត្ថភាពទិន្នន័យ : 16មេកាបៃ
ល្បឿននាឡិកា : 66Mhz (កុំព្យូទ័រ PC66)
លក្ខណៈពិសេស : 168ម្ជុល, អេមអេសអេសអេមអេសអេមអេមអេមអិម
សមាសភាពបន្ទះឈីបទិន្នន័យ : [GM72V16821BT10K] × 8 បន្ទះសៀគ្វី
(2M × 64 ប៊ីត)
សមត្ថភាពបន្ទះឈីបមួយ។ : 2ម x ៨ ប៊ីត
VDD : 3.3វី

LG Semicon 16MB EDO-DRAM ស៊ីម 72pin (GM71C17400CJ6)

DeviceLog.com — Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000

ក្រុមហ៊ុនផលិត : ក្រុមហ៊ុន LG Semicon, Ltd.
ប្រទេសនៃការផលិត : កូរ៉េខាងត្បូង
លេខផ្នែក : ?
កត្តាសំណុំបែបបទ : ស៊ីមអឹម
លក្ខណៈពិសេស : 72ម្ជុល, EDO DRAM, ភាពមិនស្មើគ្នា
សមត្ថភាពចងចាំ : 16មេកាបៃ
កម្រិតបញ្ជូន : 32ប៊ីត
ល្បឿន : 60ន(tRAC)
វ៉ុល : 5វី
សមាសភាពជីប : GM71C17400CJ6 × 8
Chip Build ឆ្នាំ/សប្តាហ៍ : 1998/27
សមត្ថភាពបន្ទះឈីបមួយ។ : 4M x 4bit
ល។ : ថ្នាំ Addonics®, SD816

EK មេម៉ូរី 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

DeviceLog.com — Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000

ឈ្មោះផលិតផល	EK Memory 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
លេខផ្នែក	EKM256S74BP8-E6
ក្រុមហ៊ុនផលិត	ការចងចាំ EK
ប្រទេសនៃការផលិត	តៃវ៉ាន់
Chip Build ឆ្នាំ/សប្តាហ៍	2008/27
ប្រភេទម៉ូឌុលអង្គចងចាំ	DDR2 SO-DIMM 200 ម្ជុល
សមត្ថភាពទិន្នន័យ	2ជីកាបៃ
ល្បឿននាឡិកា	667Mhz (PC2-5300)
ការចងចាំពេលវេលា	CL=5, tRCD=5, tRP=5
លក្ខណៈពិសេស	200ម្ជុល គ្មានការរំខាន មិនមែនអ។ វ។ ត។ ក សៀវភៅកត់ត្រា(កុំព្យូទ័រយួរដៃ) ការចងចាំ
ប៊ីតទិន្នន័យ	x៦៤
ព័ត៌មានអំពីបន្ទះឈីបទិន្នន័យ	EK20908A8A-3EG 20827 XCG248-UA3G
កញ្ចប់	អេហ្វ។ អេ។ អេ។ អេ (កម្រិតសំឡេងល្អ BGA)
វ៉ុល VDD	1.8វី

Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD)

DeviceLog.com — Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000

ឈ្មោះផលិតផល	Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11)
លេខផ្នែក	M378A2K43CB1-CTD (គ - នេះ)
ក្រុមហ៊ុនផលិត	អេឡិចត្រូនិចសាំស៊ុង
ប្រទេសនៃការផលិត	ចិន
សាងសង់ឆ្នាំ / សប្តាហ៍	2019 / 06
ប្រភេទ DIMM	UDIMM
សមត្ថភាពទិន្នន័យ	16ជីកាបៃ
អត្រាទិន្នន័យ (កម្រិតបញ្ជូនអតិបរមា)	2666.67 MT / s (21333.33 មេកាបៃ / វិនាទី)
ការចងចាំពេលវេលា (CL – tRCD – tRP – បន្ទាប់ពី – tRC)	19-19-19-43-61
លក្ខណៈពិសេស	288ម្ជុល, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
ប៊ីតទិន្នន័យ	x៦៤
ធនាគារម៉ូឌុលផ្ទៃក្នុង	16 ធនាគារ (4 ក្រុមធនាគារ)
ថ្នាក់	2 (ចំណាត់ថ្នាក់ទ្វេ)
សមាសធាតុផ្សំ	(1ជី× 8) × 16 (K4A8G085WC-BCTD) × 16
កញ្ចប់	78FBGA ជាមួយ Lead-Free & Halogen- ឥតគិតថ្លៃ (ការអនុលោមតាម RoHS)
កម្ពស់	31.25 ម
វ៉ុល VDD	1.2 វី± 0.06 វី
ជួរសីតុណ្ហភាពករណីប្រតិបត្តិការ	រយៈពេលធ្វើឱ្យស្រស់ជាមធ្យម ៧.៨us ទាបជាងបន្ទាប់មក T_ករណី 85℃, 3.9យើងនៅ 85 ℃ < ធី_ករណី ≤ ៩៥ ℃

Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD)

DeviceLog.com — Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000

ឈ្មោះផលិតផល	Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11)
លេខផ្នែក	M378A1K43CB2-CTD (គ - នេះ)
ក្រុមហ៊ុនផលិត	អេឡិចត្រូនិចសាំស៊ុង
ប្រទេសនៃការផលិត	ចិន
សាងសង់ឆ្នាំ / សប្តាហ៍	2018 / 28
ប្រភេទ DIMM	UDIMM
សមត្ថភាពទិន្នន័យ	8ជីកាបៃ
អត្រាទិន្នន័យ (កម្រិតបញ្ជូនអតិបរមា)	2666.67 MT / s (21333.33 មេកាបៃ / វិនាទី)
ការចងចាំពេលវេលា (CL – tRCD – tRP – បន្ទាប់ពី – tRC)	19-19-19-43-61
លក្ខណៈពិសេស	288ម្ជុល, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
ប៊ីតទិន្នន័យ	x៦៤
ធនាគារម៉ូឌុលផ្ទៃក្នុង	16 ធនាគារ (4 ក្រុមធនាគារ)
ថ្នាក់	1 (ចំណាត់ថ្នាក់តែមួយ)
សមាសធាតុផ្សំ	(1ជី× 8) × 8 (K4A8G085WC-BCTD) × 8
កញ្ចប់	78FBGA ជាមួយ Lead-Free & Halogen- ឥតគិតថ្លៃ (ការអនុលោមតាម RoHS)
កម្ពស់	30ម
វ៉ុល VDD	1.2V ± 0.06V
ជួរសីតុណ្ហភាពករណីប្រតិបត្តិការ	រយៈពេលធ្វើឱ្យស្រស់ជាមធ្យម ៧.៨us ទាបជាងបន្ទាប់មក T_ករណី 85℃, 3.9យើងនៅ 85 ℃ < ធី_ករណី ≤ ៩៥ ℃

Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

DeviceLog.com — Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000

ឈ្មោះផលិតផល	Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400
លេខផ្នែក	M378T5663QZ3-CF7
ក្រុមហ៊ុនផលិត	អេឡិចត្រូនិចសាំស៊ុង
ប្រទេសនៃការផលិត	ចិន
សាងសង់ឆ្នាំ / សប្តាហ៍	2009/04, 2010/07
ប្រភេទម៉ូឌុលអង្គចងចាំ	ឌីមឹម
សមត្ថភាពទិន្នន័យ	2ជីកាបៃ
ល្បឿននាឡិកា	800Mhz (PC2-6400)
ការចងចាំពេលវេលា	CL=6, tRCD=៦, tRP=6
លក្ខណៈពិសេស	240ម្ជុល, Unbuffer Non-ECC DDR2 SDRAM DIMM
ប៊ីតទិន្នន័យ	x៦៤
ធនាគារម៉ូឌុលផ្ទៃក្នុង	8
ថ្នាក់	2
Data Chip Composition (ជម្រៅ × អង្គការប៊ីត × ភី)	128M × 8 × 16pcs (K4T1G084QQ × 16pcs)
កញ្ចប់	60FBGA with Lead-Free and Halogen-Free (ការអនុលោមតាម RoHS)
កម្ពស់	30ម
វ៉ុល VDD	1.8v ± 0.1V
ជួរសីតុណ្ហភាពករណីប្រតិបត្តិការ	0°C ~ 95 °C

Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2× ៨, M378B1G73QH0-CK0)

DeviceLog.com — Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000

ឈ្មោះផលិតផល	Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
ក្រុមហ៊ុនផលិត	អេឡិចត្រូនិចសាំស៊ុង
ប្រទេសនៃការផលិត	ហ្វីលីពីន
សាងសង់ឆ្នាំ / សប្តាហ៍	2014/08
សមត្ថភាពទិន្នន័យ	8ជីកាបៃ
ល្បឿននាឡិកា	1600Mhz (PC3-12800)
ការចងចាំពេលវេលា	CL=11, tRCD = ១១, tRP=11
លក្ខណៈពិសេស	240ម្ជុល, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM
បច្ចេកវិទ្យាដំណើរការផលិតកម្ម	20, 30, 40nm
ប៊ីតទិន្នន័យ	x៦៤
ធនាគារម៉ូឌុលផ្ទៃក្នុង	8
ថ្នាក់	2
សមាសភាពបន្ទះឈីបទិន្នន័យ (ជម្រៅ × អង្គការប៊ីត × ភី)	512ម × ៨ × 16 កុំព្យូទ័រ (K4B4G0846Q-HCK0 × 16 កុំព្យូទ័រ)
កញ្ចប់	78 អេហ្វ។ អេ។ អេ។ អេ ជាមួយ Lead-Free & Halogen- ឥតគិតថ្លៃ (ការអនុលោមតាម RoHS)
កម្ពស់	30ម
វ៉ុល VDD	1.5V ± 0.075V
ជួរសីតុណ្ហភាពករណីប្រតិបត្តិការ	0°C ~ 95 °C

Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

DeviceLog.com — Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000

M368L6423DTM គឺ 32M ប៊ីត x 64 អត្រាទិន្នន័យទ្វេដង(ឌីឌី) ម៉ូឌុលអង្គចងចាំដង់ស៊ីតេខ្ពស់ SDRAM ផ្អែកលើជំនាន់ទីប្រាំនៃ 256Mb DDR SDRAM រៀងគ្នា។. M368L6423DTM មានដប់ប្រាំមួយ CMOS 32M x 8 bit ជាមួយ 4banks Double Data Rate SDRAMs ក្នុង 66pin TSOP-II(400មីល) កញ្ចប់ដែលបានដំឡើងនៅលើស្រទាប់ខាងក្រោមកញ្ចក់ 184pin-epoxy. ឧបករណ៍បំប្លែង 0.1uF ចំនួនបួនត្រូវបានម៉ោននៅលើបន្ទះសៀគ្វីដែលបានបោះពុម្ពស្របគ្នាសម្រាប់ DDR SDRAM នីមួយៗ. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

ឈ្មោះផលិតផល	Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM (PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
ក្រុមហ៊ុនផលិត	អេឡិចត្រូនិចសាំស៊ុង
ប្រទេសនៃការផលិត	កូរ៉េ
សាងសង់ឆ្នាំ / សប្តាហ៍	2003/12
សមត្ថភាពទិន្នន័យ	512មេកាបៃ
ល្បឿននាឡិកា	166Mhz (PC2700, DDR333)
ការចងចាំពេលវេលា	CL = 2.5
លក្ខណៈពិសេស	184ម្ជុល, ឌីមឹម, អាន់ឆឺរមិនមែនអេកស៊ីឌីអេសឌីអេសអរអេសអេម
ទំហំ	133.35ម × ៣១.៧៥ ម។
ប៊ីតទិន្នន័យ	64ប៊ីត
ធនាគារម៉ូឌុលផ្ទៃក្នុង	4
សមាសភាពបន្ទះឈីបទិន្នន័យ	K4H560838D-TCB3 × 16 (32M × 8 ប៊ីត × 16 បន្ទះសៀគ្វី)
កញ្ចប់	TSOP-II
វ៉ុល VDD	2.5V ± 0.2V
ជួរសីតុណ្ហភាពករណីប្រតិបត្តិការ	0° C ~ 85 អង្សាសេ

Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM

DeviceLog.com — Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000

ក្រុមហ៊ុន Samsung Electronics បានបញ្ចេញម៉ូឌុល DDR3 SDRAM ដោយប្រើបច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ ៣០nm នៅក្នុងខែកក្កដា 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

ឈ្មោះផលិតផល	Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
ក្រុមហ៊ុនផលិត	អេឡិចត្រូនិចសាំស៊ុង (SEC)
ប្រទេសនៃការផលិត	ចិន
សាងសង់ឆ្នាំ / សប្តាហ៍	2011/13
សមត្ថភាពទិន្នន័យ	4ជីកាបៃ
ល្បឿននាឡិកា	1333Mhz (PC3-10600)
ការចងចាំពេលវេលា	CL = ៩, tRCD = ៩, tRP = ៩
លក្ខណៈពិសេស	204ម្ជុល, សូឌីមីម, អាន់ឆឺរមិនមែនអេកស៊ីឌីអេសឌី ៣ ស៊ីអរអេ
បច្ចេកវិទ្យាដំណើរការផលិតកម្ម	40nm
ប៊ីតទិន្នន័យ	x៦៤
ធនាគារម៉ូឌុលផ្ទៃក្នុង	8
ថ្នាក់	2
សមាសភាពបន្ទះឈីបទិន្នន័យ	256ម x 8 * 16 កុំព្យូទ័រ
ការកែប្រែសមាសភាគ	2Gb, គ - នេះ
កញ្ចប់	78 បាល់អេហ្វអេអេអេអេ
កម្ពស់	30ម
វ៉ុល VDD	1.5វី
ជួរសីតុណ្ហភាពករណីប្រតិបត្តិការ	0° C ~ 85 អង្សាសេ