Өнім атауы Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB жады (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Samsung Electronics өндірушісі, Қытай өндіретін ел 2010/38 Дерек сыйымдылығы 2GB Сағат жылдамдығы 1333MHZ (PC3-10600) 240pin, Unbuffer eCC емес DDR3 SDRAM DIDRAM DIMM DIMM технологиясы 8 Деректер чипінің құрамы [SEC HCH9 K4B2G0846c] ✕ 8 чиптер […]

Өнім атауы : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Бөлшек нөмірі : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Өндіруші : ELPIDA Өндіруші елі : Тайвань құрылыс жылы/апта : 2010/38 Форма факторы : DDR3 SO-DIMM мүмкіндіктері : 204түйреуіш, ECC емес жад сыйымдылығы : 2ГБ максималды деректер жылдамдығы : 1333Мбит/с кернеу : 1.5V Ұйымдастыру : 256M сөз × 64 бит, 2 Чиптің құрамы бойынша орын алады : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM жылдамырақ деректерді енгізу/шығару үшін уақытша жад кеңістігіне ие. Бұл жүйе кэш жады қолдауын ала алмаған кезде тиімді. Бірақ жүйеде кэш жады болса, EDO DRAM әсері аз. Өндіруші : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Құрылыс жылы/апта : 1997/32 Өндіруші елі : Корея (Оңтүстік Корея) Бөлшек нөмірі […]

Бұл SIMM алтын түспен қапталған. Жазбалы түс және осы SIMM тақтасының тақтасы SIMM-ден GM71C4400A-мен ерекшеленеді. GM71C4400B 1М × 4бит. Ал GM71C1000B - 1М × 4бит. Жад сыйымдылығы мен бұл SIMM функциясы GM71C4400A және GM71C1000 бар SIMM-ден айырмашылығы жоқ.. Өндіріс […]

Goldstar - GoldStar Electron Co компаниясының сауда белгісі, Ltd. Ол өз атауын LG жартылай өткізгішке өзгертті (LG Semicon) -та 1995, және ол Hyundai электроника саласына біріктірілді (Қазір гнике) -та 1999. Өндірістік компания : GoldStar Electron electron ined: 1993 Өндіруші елі : Оңтүстік Корея модулінің мүмкіндіктері : 30түйреуіш, DRAM, SIMM, ЖЖҚ паритеті […]