Өндіруші : LG Semicon Co., Ltd. Өндіруші елі : Оңтүстік Корея бөлімінің нөмірі : ? Форма факторы : SIMM ерекшеліктері : 72түйреуіш, EDO DRAM, Ткризал емес жадының сыйымдылығы : 16МБ өткізу қабілеті : 32Бит жылдамдығы : 60ns(tRAC) Вольтаж : 5V чип құрамын : GM71C17400cj6 × 8 Чип салу Жыл / апта : 1998/27 Бір чип сыйымдылығы : 4М […]

Өнім атауы EK EK 2GB DDR SO-DDR SO-DIMM PCM256S74BP8-E6 өндірушісі EK Өндіріс елі Өндіріс елі Тайвань 2008/27 Жад модулі DDR2 түрі SO-DIMM 200 Деректер сыйымдылығы 2 ГБ сағаттық жылдамдығы 667мхц (PC2-5300) Жад уақыты CL = 5, TRCD = 5, TRP = 5 ТҮРЛЕР 200BIN ТҮРЛЕРІ ЕСКІ ЕСІКТІЛІК Ноутбук(Ноутбук) Жад деректері BITS X64 Деректер чипі EK20908A8A-3EG […]

Samsung 8GB өнімінің атауы DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2Rx8, PC3-12800u-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Samsung Electronics Өндіруші Philippine құрастыру жылы / апта 2014/08 Деректер сыйымдылығы 8gb Сағат жылдамдығы 1600mhz (PC3-12800) Жад уақыты CL = 11, TRCD = 11, TRP = 11 функциялары 240pin, Unbuffer eCC емес DDR3 SDRAM DIMM DIMM DIMM өндірістік процесі технологиясы 20, 30, 40NM деректерінде X64 ішкі модульдік банктер 8 Жандар […]

The M368L6423DTM is 32M bit x 64 Double Data Rate(DDR) SDRAM high density memory module based on fifth genernation of 256Mb DDR SDRAM respectively. The M368L6423DTM consists of sixteen CMOS 32M x 8 bit with 4banks Double Data Rate SDRAMs in 66pin TSOP-II(400mil) packages mounted on a 184pin glass-epoxy substrate. Four 0.1uF decoupling capacitors are […]

Samsung Electronics компаниясы шілде айында 30nm процесінің технологиясын қолдана отырып, DDR3 SDRAM модульдерін шығарды 2010. Бұл қошқардың модулі 40NM технологиялық технологиясы бойынша жасалды. Өнім атауы Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2Rx8, PC3-10600s-09-10-Зат, M471b5273ch0-ch9) Samsung Electronics өндірушісі (ӘКК) Қытай өндірілетін ел, жыл / апта 2011/13 Деректер сыйымдылығы 4GB Сағат жылдамдығы 1333MHZ (PC3-10600) Жад уақыты […]