Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Data Capacity 2GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 Деректер чипінің құрамы [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 чиптер […]

A-DATA Viesta DDR600 Viesta жады, DDR SDRAM жад модульдерінде, алдымен Samsung TCCD жад микросхемаларымен 600 МГц сағат жылдамдығына қол жеткізді. A-data Viesta деректер сыйымдылығы 512 МБ немесе 256 МБ болды. Ол көбінесе овкрктинг үшін пайдаланылды.   Өнім атауы A-DATA Vitesta DDR600 512MB Бөлшек нөмірі MDOSSLF3H47A0B1G0Z Өндіруші A-DATA Өндіруші елі Тайвань Құрылған жылы 2004 184pin Unbuffer мүмкіндіктері […]

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Өндірістік компания : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Өндіруші елі : South Korea Module Features : 30түйреуіш, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

Өнім атауы : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Бөлшек нөмірі : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Өндіруші : ELPIDA Өндіруші елі : Тайвань құрылыс жылы/апта : 2010/38 Форма факторы : DDR3 SO-DIMM мүмкіндіктері : 204түйреуіш, ECC емес жад сыйымдылығы : 2ГБ максималды деректер жылдамдығы : 1333Мбит/с кернеу : 1.5V Ұйымдастыру : 256M сөз × 64 бит, 2 Чиптің құрамы бойынша орын алады : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM жылдамырақ деректерді енгізу/шығару үшін уақытша жад кеңістігіне ие. Бұл жүйе кэш жады қолдауын ала алмаған кезде тиімді. Бірақ жүйеде кэш жады болса, EDO DRAM әсері аз. Өндіруші : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Құрылыс жылы/апта : 1997/32 Өндіруші елі : Корея (Оңтүстік Корея) Бөлшек нөмірі […]