Პროდუქტის სახელი : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 მწარმოებელი : EKmemory მწარმოებელი ქვეყანა : სამხრეთ კორეის მონაცემთა მოცულობა : 2GB საათის სიჩქარე : 1333მჰც (PC3-10600) მახასიათებლები : 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 ჩიპები VDD ძაბვა : 1.5V მთავარი გვერდი : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=დრამი&no=91

პროდუქტის დასახელება Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB მეხსიერება (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) მწარმოებელი Samsung Electronics მწარმოებელი ქვეყანა ჩინეთი აშენების წელი/კვირა 2010/38 მონაცემთა მოცულობა 2 GB საათის სიჩქარე 1333 Mhz (PC3-10600) აქვს 240 პინი, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM წარმოების პროცესის ტექნოლოგია 40nm მონაცემთა ბიტი x64 შიდა მოდულის ბანკები 8 მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 ჩიპები […]

A-DATA Viesta DDR600 Viesta მეხსიერება, DDR SDRAM მეხსიერების მოდულებში, პირველად მიაღწია 600Mhz საათის სიჩქარეს Samsung TCCD მეხსიერების ჩიპებით. A-data Viesta-ს მონაცემთა მოცულობა იყო 512 მბ ან 256 მბ. მას ძირითადად იყენებდნენ ოვაკრიკულაციისთვის.   პროდუქტის დასახელება A-DATA Vitesta DDR600 512MB ნაწილის ნომერი MDOSSLF3H47A0B1G0Z მწარმოებელი A-DATA მწარმოებელი ქვეყანა ტაივანი აგების წელი 2004 აქვს 184 პინიანი Unbuffer […]

Პროდუქტის სახელი : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 ნაწილის ნომერი : EBJ21UE8BFU0-DJ-F მწარმოებელი : ELPIDA მწარმოებელი ქვეყანა : ტაივანი აშენების წელი/კვირა : 2010/38 ფორმა : DDR3 SO-DIMM მახასიათებლები : 204pin, არა-ECC მეხსიერების მოცულობა : 2GB მაქსიმალური მონაცემთა სიჩქარე : 1333Mbps ძაბვა : 1.5V ორგანიზაცია : 256M სიტყვა × 64 bits, 2 წოდება Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]