K4B4G0846Q – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/ka/ device, part, სპეც Sat, 04 Jun 2016 15:06:43 +0000 ka hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R × 8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/ka/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/ka/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-ka Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

Პროდუქტის სახელი Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2RX8, DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე, M378B1G73QH0-CK0)
მწარმოებელი Samsung Electronics
Მწარმოებელი ქვეყანა ფილიპინი
აშენება წელი / კვირაში 2014/08
მონაცემთა მოცულობა 8GB
Საათის სიჩქარე 1600მჰც (DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე)
მეხსიერების დრო CL=11, DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე, tRP=11
მახასიათებლები 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM
წარმოების პროცესის ტექნოლოგია 20, 30, 40ნმმ
მონაცემთა ბიტი x64
შიდა მოდულის ბანკები 8
წოდებები 2
მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა
(სიღრმე × ბიტის ორგანიზაცია × ცალი)		 512M×8 × 16 ცალი
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 ცალი)
პაკეტი
78 FBGA ტყვიის გარეშე & Ჰალოგენის გარეშე
(RoHS შესაბამისობაშია)
სიმაღლე 30mm
VDD ძაბვა 1.5V ± 0,075 ვ
ოპერაციული Case ტემპერატურის დიაპაზონი 0°C ~ 95 °C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4