DDR4 – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/ka/ device, part, სპეც Wed, 06 Nov 2019 11:16:37 +0000 ka hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 16GB DDR4 SDRAM udimm 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/ka/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/ka/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-ka SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

Პროდუქტის სახელი Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
Ნაწილი ნომერი M378A2K43CB1-CTD
(გ-ის)
მწარმოებელი Samsung Electronics
მწარმოებელი ქვეყანა China
აშენების წელი / კვირა 2019 / 06
DIMM ტიპის UDIMM
მონაცემთა მოცულობა 16GB
მონაცემთა შეფასება
(მაქსიმალური გამტარობა)		 2666.67 MT / s
(21333.33 მბ / წმ)
მეხსიერების დრო
(CL – tRCD – tRP – შემდეგ – tRC)		 19-19-19-43-61
მახასიათებლები 288pin, მოხსენით არა-ECC DDR4 SDRAM DIMM
მონაცემთა ბიტი x64
შიდა მოდულის ბანკები 16 ბანკები (4 ბანკის ჯგუფები)
წოდებები 2 (ორმაგი წოდება)
კომპონენტის შემადგენლობა (1G 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
პაკეტი 78FBGA ტყვიისგან თავისუფალი & Ჰალოგენის გარეშე
(RoHS შესაბამისობაშია)
სიმაღლე 31.25 mm
VDD ძაბვა 1.2 V ± 0.06 V
ოპერაციული Case ტემპერატურის დიაპაზონი განახლების საშუალო პერიოდი 7.8us დაბალ და T- ზესაქმე 85℃,
3.9us 85 ℃ -ზე < თსაქმე ≤ 95

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 Samsung 8GB DDR4 SDRAM udimm 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/ka/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/ka/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-ka SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

Პროდუქტის სახელი Samsung DDR4 SDRAM 8 GB 1R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
Ნაწილი ნომერი M378A1K43CB2-CTD
(გ-ის)
მწარმოებელი Samsung Electronics
მწარმოებელი ქვეყანა China
აშენების წელი / კვირა 2018 / 28
DIMM ტიპის UDIMM
მონაცემთა მოცულობა 8GB
მონაცემთა შეფასება
(მაქსიმალური გამტარობა)		 2666.67 MT / s
(21333.33 მბ / წმ)
მეხსიერების დრო
(CL – tRCD – tRP – შემდეგ – tRC)		 19-19-19-43-61
მახასიათებლები 288pin, მოხსენით არა-ECC DDR4 SDRAM DIMM
მონაცემთა ბიტი x64
შიდა მოდულის ბანკები 16 ბანკები (4 ბანკის ჯგუფები)
წოდებები 1 (ერთი რანგი)
კომპონენტის შემადგენლობა (1G 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
პაკეტი 78FBGA ტყვიისგან თავისუფალი & Ჰალოგენის გარეშე
(RoHS შესაბამისობაშია)
სიმაღლე 30mm
VDD ძაბვა 1.2V ± 0,06 ვ
ოპერაციული Case ტემპერატურის დიაპაზონი განახლების საშუალო პერიოდი 7.8us დაბალ და T- ზესაქმე 85℃,
3.9us 85 ℃ -ზე < თსაქმე ≤ 95

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0