https://www.devicelog.com/ka/ device, part, სპეც Tue, 23 Mar 2021 10:33:05 +0000 ka hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 https://www.devicelog.com/ka/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/ka/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-ka

Პროდუქტის სახელი	EK მეხსიერება 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
Ნაწილი ნომერი	EKM256S74BP8-E6
მწარმოებელი	EK მეხსიერება
მწარმოებელი ქვეყანა	Taiwan
ჩიპის აშენების წელი/კვირა	2008/27
მეხსიერების მოდულის ტიპი	DDR2 SO-DIMM 200 pin
მონაცემთა მოცულობა	2GB
საათის სიჩქარე	667მჰც (მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6)
მეხსიერების დრო	CL=5, მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6, tRP=5
მახასიათებლები	200pin Unbuffered Non-ECC Notebook(მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6) Memory
მონაცემთა ბიტი	x64
მონაცემთა ჩიპის ინფორმაცია	EK20908A8A-3EG 20827 XCG248-UA3G
პაკეტი	FBGA (წვრილფეხა BGA)
VDD ძაბვა	1.8V

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 https://www.devicelog.com/ka/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/ https://www.devicelog.com/ka/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/#respond Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1116-ka

Პროდუქტის სახელი	Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400
Ნაწილი ნომერი	M378T5663QZ3-CF7
მწარმოებელი	Samsung Electronics
მწარმოებელი ქვეყანა	China
აშენების წელი / კვირა	2009/04, 2010/07
მეხსიერების მოდულის ტიპი	DIMM
მონაცემთა მოცულობა	2GB
საათის სიჩქარე	800მჰც (DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე)
მეხსიერების დრო	CL=6, DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე, tRP=6
მახასიათებლები	240pin, არაბუფერირებული არა-ECC DDR2 SDRAM DIMM
მონაცემთა ბიტი	x64
შიდა მოდულის ბანკები	8
წოდებები	2
მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა (სიღრმე × ბიტის ორგანიზაცია × ცალი)	128M × 8 × 16 ცალი (K4T1G084QQ × 16 ცალი)
პაკეტი	60FBGA ტყვიის გარეშე და ჰალოგენის გარეშე (RoHS შესაბამისობაშია)
სიმაღლე	30mm
VDD ძაბვა	1.8V±0.1V
ოპერაციული Case ტემპერატურის დიაპაზონი	0°C ~ 95 °C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/feed/ 0