პროდუქტის სახელი SanDisk Ultra 128GB micro SDXC UHS-I ბარათი ადაპტერით მოდელის სახელი SQUNC-128G-GN6MA მწარმოებელი SanDisk მწარმოებელი ქვეყანა ჩინეთი ფორმა ფაქტორი microSDXC NAND ფლეშ ტიპი TLC დასაშვები ძაბვა 2.7 ~ 3.3 V მონაცემთა მოცულობა 128 GB (119.052734375 GiB, 121910 მიბ, 127,831,900,160 ბაიტები) ფაილური სისტემის ძირითადი ფორმატი exFAT Speed ​​Reading: მაქს. 80 მბ / წმ (533x) Ტემპერატურის დიაპაზონი […]

DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე 2009/04, 2010/07 DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე (DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე) DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე, DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე, DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე, DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე 8 წოდებები 2 DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე […]

Lite-On 56Kbps dial-up შიდა PCI MODEM (Agere Systems International Softmodem) მოდელის ნომერი D-11561#/A1A (4491A-D1156A1A) მწარმოებელი Lite-On Technology Corp. / Agere Systems მწარმოებელი ქვეყანა ჩინეთი ინტერფეისი PCI ჩიპსეტი Agere Systems SV92PL-T00 – ინტეგრირებული PCI ინტერფეისი 5-V ტოლერანტული ბუფერებით და CardBus-ის მხარდაჭერის სიმძლავრით • საჭიროებს 3.3-ვ დამხმარე დენის რელს PCI ავტობუსზე • იყენებს […]

Samsung Electronics- მა ივლისში გამოუშვა DDR3 SDRAM მოდულები 30 ნმ პროცესის ტექნოლოგიის გამოყენებით 2010. RAM- ის ეს მოდული დამზადებულია 40 ნმ პროცესის ტექნოლოგიით. პროდუქტის დასახელება Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) მწარმოებელი Samsung Electronics (წ) მწარმოებელი ქვეყანა ჩინეთი აშენების წელი/კვირა 2011/13 მონაცემთა მოცულობა 4 GB საათის სიჩქარე 1333 Mhz (PC3-10600) მეხსიერების დრო […]

პროდუქტის დასახელება Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB მეხსიერება (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) მწარმოებელი Samsung Electronics მწარმოებელი ქვეყანა ჩინეთი აშენების წელი/კვირა 2010/38 მონაცემთა მოცულობა 2 GB საათის სიჩქარე 1333 Mhz (PC3-10600) აქვს 240 პინი, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM წარმოების პროცესის ტექნოლოგია 40nm მონაცემთა ბიტი x64 შიდა მოდულის ბანკები 8 მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 ჩიპები […]